多色高分子薄膜电致发光器件

采用多层高分子发光层和电极层结构实现了在同一ITO基片上产生红、绿、蓝三基色发光。得到电压阈值分别为：蓝色：2．5V,绿色：2．5V,红色：1．8V;发光量子效率：蓝色：2．5％,绿色：1．7％,红色：1．2％：色度坐标分别为：蓝色：(0．16,0．16),绿色：(0．34,0．58),红色：(0．60,0．39)。这种多层薄膜结构可能成为实现高分子彩色发光显示的新途径。     

测三极管特性的改进电路

指出了电子线路基础实验教材中所给出的测三极管特性的电路所存在的问题,提出了合理的电路.     

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

研究了钝化在抑制电流崩塌的同时，会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V，表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着，比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件，钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度，得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明，采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾. 关键词： GaN 场板 击穿电压 电流崩塌     

1.2 MV大功率直流高压电源研制

 采用等边三角形结构的铁芯，次级线圈分成40级，分别进行三相全波整流，每级输出直流30 kV，串联后获得1.2 MV/A的直流高电压大功率输出。电源的能量转换效率大于95%，漏抗高达21.7%。采用无滤波电容结构，次级线圈星型/三角型接法交替使用，纹波系数小于±4%。整个电源密封在压力钢筒中，充0.8 MPa高纯度SF6气体作为绝缘介质，最大工作场强小于130 kV/cm。设计了专门的SF6气体冷却系统，气体温度控制在60 ℃以内，高电压由充气同轴传输线输出。在小负载条件下，电源各项指标满足技术要求，已经安装在1.2 MW，1.2 MeV大功率直流电子加速器上进行整机联调。     

高性价比电子标准电池

为了避免化学标准电池由于自身特点在使用中存在诸多不便,采用集成温度传感器LM334设计制作了电子标准电池,同时在设计电路中还采用了两级稳压措施以保证标准电池输出的稳定性.     

巧用指针式多用表

指针式多用表内一般有一块1.5V低电压池和一块9V或15V高电压池.其黑表笔接内部电源的正极,红表笔接负极,指针表读取精度较差,但指针摆动过程较直观,其摆动速度幅度也能比较客观地反映被测量的大小.指针表较适用于相对来说大电流高电压的模拟电路的测量.     

A threshold voltage model MOSFETs considering for high-k gate-dielectric fringing-field effect

In this paper, a threshold voltage model for high-k gate-dielectric metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） is developed, with more accurate boundary conditions of the gate dielectric derived through a conformal mapping transformation method to consider the fringing-field effects including the influences of high-k gate-dielectric and sidewall spacer. Comparing with similar models, the proposed model can be applied to general situations where the gate dielectric and sidewall spacer can have different dielectric constants. The influences of sidewall spacer and high-k gate dielectric on fringing field distribution of the gate dielectric and thus threshold voltage behaviours of a MOSFET are discussed in detail.     

表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程, 获得double RESURF表面电场的解析式. 借助此模型, 研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响; 计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关系, 给出了获得最大击穿电压和最小导通电阻的途径. 数值结果, 解析结果和试验结果符合较好.     

Magnetic Tunnel Junctions with MgO／Al-O Composite Barriers

Magnetic tunnel junctions (MTJs) with structures of Ta(5 nm)/Cu(30nm)/Ta(5 nm)/Ni79Fe21 (5 nm)/Ir22Mn78 (12 nm)/Co62Fe20B18 (4 nm)/MgO(d)/Al(0.8 nm)-oxide/Co62Fe20B18 (6 nm)/Cu(30 nm)/Ta(5 nm) on a thermally oxidized Si wafer substrate were fabricated by magnetron sputtering and photolithographic patterning method. The tunnel magnetoresistance (TMR) and the bias dependence of TMR at room temperature for the MTJs with different thickness d of MgO are investigated. TMR values of over 50% as high as those of the MTJs with pure Al-O barrier and the TMR-voltage curve asymmetries, which vary with the increase of d, are observed in the MTJs with hybrid barriers after annealing at 265℃ for an hour. The dependences of TMR, resistance and coercivity of the MTJs with composite barriers on temperature are also investigated.