"电源电动势"教学设计

【教学目的】(1)理解电动势的物理意义．(2)电动势在数值上等于闭合电路中内外电压之和     

理想情况下电感中电流和电容电压的突变

本文将实际物理系统的暂态过程理想化，得到 了便于进行定量分析的理想电路，并说明了这类电路 电感电流和电容电压发生突变的可能性．本文还从电路结构上讨论了电感电流和电容电压发生突变的必要 条件．     

冲击波作用下铁电体的击穿

 将导电裂纹视为铁电体的击穿模型。导出了当有一裂纹和一电极成垂直接触时的储能公式，由此推得当裂纹开裂一单位面积时的驱动能量，当此能量大于铁电体的表面能时，就是临界击穿的条件，从而可以求出临界电压或临界冲击波强度。并将结果和其它文献作了比较。     

用电流源法测量非线性元件的伏安特性

本文报导了一种新的用于测量非线性元件伏安特性的实验电路，该电路采用的是以电流为信号变量的电流模式测量电路，并分析与比较了该电路与传统的以电压作为信号变量的电压模式测量电路的不同．     

Spin polarization effect for Os2 molecule

Density functional Theory （DFT） （B3p86） of Gaussian03 has been used to optimize the structure of Os2 molecule. The result shows that the ground state for Os2 molecule is 9-multiple state and its electronic configuration is ^9∑^＋g, which shows spin polarization effect of Os2 molecule of transition metal elements for the first time. Meanwhile, we have not found any spin pollution because the wavefunction of the ground state does not mingle with wavefunctions with higher energy states. So, the fact that the ground state for Os2 molecule is a 9-multiple state is indicative of spin polarization effect of Os2 molecule of transition metal elements. That is, there exist 8 parallel spin electrons. The non-conjugated electron is greatest in number. These electrons occupy different spacious tracks, so that the energy of Os2 molecule is minimized. It can be concluded that the effect of parallel spin of Os2 molecule is larger than the effect of the conjugated molecule, which is obviously related to the effect of electron d delocalization. In addition, the Murrell-Sorbie potential functions with the parameters for the ground state ^9∑^＋g and other states of Os2 molecule are derived. Dissociation energy De for the ground state of Os2 molecule is 3.3971eV, equilibrium bond length Re is 0.2403nm, vibration frequency ωe is 235.32cm^-1. Its force constants f2, f3, and f4 are 3.1032×10^2aJ·nm^-2, -14.3425×10^3aJ·nm^-3 and 50.5792×10^4aJ·nm^-4 respectively. The other spectroscopic data for the ground state of Os2 molecule ωexe, Be and ae are 0.4277cm^- 1, 0.0307cm^- 1 and 0.6491 × 10^-4cm^-1 respectively.     

Petersen图的点传递正则覆盖图

运用基图自同构能被提升的线性准则 ,对满足 :1覆叠变换群 K =Znp,2覆盖图的保簇变换群是点传递的 Petersen图的连通正则覆盖图进行了完全分类 .这种图共有 1 2种类型 .     

金属-聚哇烷-硅结构的电容-电压特性

设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望设计成测定聚硅烷枝化度装置.     

高压氮气亚纳秒开关放电特性实验研究

 利用幅值约220 kV、脉宽约4 ns的高压纳秒脉冲源，对高压氮气亚纳秒气体开关放电特性进行了实验研究。实验结果表明：当气压在3~10 MPa间变化，间隔距离在0.6~1.2 mm间变化时，氮气间隙击穿电压随气压和间隙距离的增大而增大，并随气压的增大略呈饱和趋势,最高击穿电场约为2 MV/cm。开关输出电压波形的上升时间变化范围为145~190 ps，该上升时间随气压、击穿电场以及间隙距离增大而减小。     

直流电致发光器件在脉冲电压激发下光电特性的测量

我们用单极性脉冲电压激发ＺｎＳ－Ｍｎ，Ｃｕ粉未发光器件并测量了光电特性。研究了不同形成电压下脉冲电流同脉冲电压的关系；过电压激发下积分亮度的变化；积分亮度同激发脉冲的频率和占空比的关系。我们也测量了一个脉冲期间在发光器件年的瞬态电压变化，看到了负阻效应。