不同激发密度下CdS晶体的光致发光和受激发射

本文主要研究在77-111K温度范围内、不同激发密度的N2激光器的337.1nm谱线激发下,激子-激子(Ex-Ex)、激子-载流子(Ex-e)的相互作用和发射一个LO声子(Ex-1LO)、两个LO声子(Ex-2LO)的自由激子的辐射复合行为.并在77K温度下观测到由Ex-Ex发射产生的受激发射.     

氙灯泵浦的NYAB晶体调Q激光运转特性及实验研究

首次报道了氙灯泵浦的自激活自倍频NYAB复合功能晶体的BDN染料片调Q运转,获得了自倍频绿光单脉冲.测量了不同L和T_o情况下的绿光脉冲的能量、脉宽和峰值功率.文中还从理论上推导了自激活自倍频晶体调Q激光器的方程组.数值求解方程组,所得的理论数据与实验结果很好地相符.最后,讨论了进一步提高绿光脉冲峰值功率的途径.     

在BBO中产生217.3-2 21.4nm高功率和频输出

用Q-YAG激光的三次谐波(355nm)与调谐的Rh·6G染料激光在β-BaB2O4(BBO)晶体中和频,获得217.3～221.4nm连续调谐输出,和频输出的最大能量为250μJ,转换效率为11%.我们还讨论了获取最大和频输出能量的一些实验条件.     

Cr3+在SrTiO3晶体中的晶场能级

由激发光谱及荧光光谱的测量,运用Tanabe-Sugano能量矩阵计算了Cr3+在SrTiO3晶体中的晶场能级.     

LiNbO3:Fe晶体中调制双光束耦合衍射效率的测定

通过对LiNbO₃:Fe晶体中双光束耦合中的任一束光强进行低频调制,其衍射效率比无调制时提高两倍多(由30％提高到76％)。用运动光栅理论解释了这一实验结果。 关键词：     

BEPCII直线注入器的尾场效应

BEPCII直线注入器中的强流、短束团的尾场效应将损害束流的性能.用分析解和数值模拟计算的方法,系统地研究了尾场对纵向和径向束流动力学的影响,包括单束团的短程尾场和多束团的长程尾场对束流能量、能散、发射度、轨道和初级电子束在正电子产生靶上束斑尺寸的影响等.研究了有效抑制这些尾场效应的措施     

Structural Phase Transformations of ZnS Nanocrystalline Under High Pressure

In-situ energy dispersive x-ray diffraction on ZnS nanocrystalline was carried out under high pressure by using a diamond anvil cell. Phase transition of wurtzite of 10nm ZnS to rocksalt occurred at 16.0GPa, which was higher than that of the bulk materials. The structures of ZnS nanocrystalline at different pressures were built by using materials studio and the bulk modulus, and the pressure derivative of ZnS nanocrystalline were derived by fitting the equation of Birch-Murnaghan. The resulting modulus was higher than that of the corresponding bulk material, which indicates that the nanomaterial has higher hardness than its bulk materials.     

长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的能量重建

提出了用于TEXONO实验中双端读出的长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的两种粒子能量重建方法———“算术平均值能量重建法”和“几何平均值能量重建法”,讨论了两种算法的理论依据和计算方法,并对两种算法进行了比较     

极性晶体外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量

本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手，应用二支模型理论，分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量，计算结果表明，利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大，对GaAs，误差约为31.1%, 对ZnO，误差约为14.8%。     

顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁

本文首次采用顶部籽晶泡生法在敞开体系中生长了出了磁光晶体硼酸铁单晶。选用Ｂ２Ｏ３作自助溶剂，ＬｉＦ作稀释剂，确定了原料配方。对长出的晶体作了初步的物化性能测试。讨论了晶体生长的结果。