新型光纤光栅温度自补偿方法理论分析

为了解决光纤光栅作为应变传感器使用时的温度应变交叉敏感问题,提出了一种全新的光纤光栅温度补偿方法,该方法最大特点是利用一个光纤光栅同时实现了温度自动补偿与应变测量。该方法基于材料的热应力原理,简称为基于材料热应力的光纤光栅温度补偿方法。通过理论分析表明:温度灵敏度系数与应变灵敏度必须精确测定,否则会影响结构设计;应变元件与温度补偿元件的面积之比对温度补偿效果很大,原则上应小于0.5,因此结构半径的加工误差对温度补偿影响很大。应变元件与温度补偿元件的长度比对温度补偿效果基本可忽略,因此,原则上在不影响温度补偿效果的前提下,尽量提高温度补偿元件与应变元件的长度比。     

硅尖阵列的制备及其在真空微电子加速度计中的应用

针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜（SEM）观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH 腐蚀液中添加I2和 KI,显著减小了削角速率,得到了呈火箭尖的硅尖阵列。各向同性腐蚀采用HNA腐蚀液,腐蚀的硅尖呈埃菲尔铁塔形。通过调整腐蚀液配比,氧化锐化后,硅尖尖端曲率半径小于15 nm。该硅尖阵列已成功应用于真空微电子加速度计之中。     

1.06kW 13GHz线宽全光纤激光器

分析了高功率光纤激光器中受激布里渊散射(SBS)效应的抑制方法。研究表明,利用宽带噪声源高速相位调制展宽光谱的方法对于抑制SBS十分有效,可实现kW级用于光谱组束的数10GHz高功率光纤激光子束。通过理论计算线宽与SBS阈值的关系,并分析噪声相位调制各参数对SBS阈值提升的影响,优化了光纤激光器设计参数。通过宽带噪声高速相位调制的方法,展宽单频种子源线宽至13GHz,通过两级预放大至10 W后,使用20/400μm掺Yb光纤最终实现了中心波长1064nm、线宽13GHz、最高功率1.06kW的激光输出,光束质量M21.2,光-光转换效率86%,实验过程未观测到模式不稳定性现象。进一步扩宽噪声源频带,加大调制深度,有望实现更高功率的窄线宽光纤激光输出。     

环硅氮烷的合成与应用研究进展(1)——环二硅氮烷

环二硅氮烷是有机硅氮化合物中结构与性能比较特殊的一类化合物,在材料化学及配位化学领域有重要的潜在应用前景.综述了近年来环二硅氮烷的合成方法与应用研究进展.在合成方面,主要分为3条路线,分别由环三硅氮烷锂盐、取代硅胺及六氯化二硅为起始物.在应用领域,介绍了环二硅氮烷的离子开环聚合、等离子聚合、与其它单体的共聚、水解和金属配合物的制备及其在陶瓷、粘合剂和预想的催化剂上的应用.     

η6-[三(三甲基硅基)苯基硅烷]三羰基钼化合物的合成、结构及硅-硅键的稳定性

在三氟化硼存在下,三(三甲基硅基)苯基硅烷(Me3Si)3SiC6H4R(R=H,p-Me和p-Me0)与三吡啶三羰基钼反应得到相应的η6-[三(三甲基硅基)苯基硅烷]三羰基钼类化合物矿η6-([Me3 Si)3SiC6H4R]MO(CO)3.利用1H NMR,133C NMR,IR和元素分析对3个化合物进行了鉴定,并...     

Si掺杂对TiO2空心微球微结构和光催化性能的影响

以葡萄糖、氟钛酸铵和氟硅酸铵为原料,采用一锅水热合成法在葡萄糖聚合形成的胶体碳球表面原位生成了含有Ti/Si物种的前驱物实心微球,再经高温焙烧脱除碳球模板,制得Si掺杂的TiO2空心微球.应用高分辨透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱和N2吸附-脱附等手段对样品进行了表征.结果表明,Si进入到TiO2的晶格,形成的S...     

改性纳米HZSM-5催化剂上甲苯与甲醇的烷基化反应

以Si,P,Mg复合改性的纳米HZSM-5为催化剂,进行了甲苯与甲醇的烷基化反应;并采用X射线衍射,NH3程序升温脱附,红外和低温N2吸附等方法研究了改性前后催化剂酸性质和孔结构的变化.在小型固定床反应器上,考察了载气量、反应温度和重时空速等反应条件对烷基化反应性能的影响.在2h-1,460℃,甲苯/甲醇比,水/烃比和...     

感应熔炼高锰硅的结构和形貌特性

采用场发射扫描电镜(FESEM)和X射线能谱仪(EDXS)对感应熔炼高锰硅(HMS)中的第二相条纹的形貌和成份进行了研究,发现第二相条纹平行贯穿整个高锰硅晶粒,其条纹宽度约30nm,间距在5-30μm内,成份为MnSi.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察到MnSi条纹为短程有序而长程无序的非晶形态.采用选区电子衍射(SAED)确定了高锰硅的晶体结构,结果表明所获得的高锰硅为单一的Mn4Si7相,未观察到高锰硅其它的非公度结构.透射电镜(TEM)结果表明,熔炼的高锰硅经过球磨和热压后产生了大量缺陷和应力畴,与热压之前的熔锭材料相比有明显差异.     

电感耦合等离子体质谱法测定硅铁和硅锰合金中痕量硼

硅铁及硅锰合金作为炼钢时的脱氧剂、脱硫剂、合金剂和生产低碳锰铁时的还原剂,被广泛应用于钢铁生产及铸造行业。近年来,随着我国钢铁工业的迅猛发展,硅铁及硅锰合金的需求量日益增加,对其质量的要求也不断提高。许多客户除了对常规元素检测需求外,还增加了对硼的检测指标。目前,痕量硼的检测方法主要有:光度法、电感耦合等离子体原子发射光谱法、电位分析法、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)等。电感耦合等离子体质谱法是一种用于痕量同位素和元素测定的高新技术,与