A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors：Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy

We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity.     

圆锥曲线上两点关于直线对称问题巧解

在平面解析几何中,直线与圆锥曲线相交弦的中点问题是平面解析几何中的重点问题、综合性问题,有一定的难度.尤其是圆锥曲线上两点关于某直线对称问题,在求某一变数的取值范围时,常见解法多数繁杂,解题过程冗长.本文给出下面四个定理,挖掘出了弦的中点的有关规律性问题.运用这四     

Wigner超多重态的解析解

考虑一个单l能级自旋。同位旋无关的成对力模型,当先辈数为零时,它对应于Winger超多重态对称性,借助子Dyson玻色子表示,我们求得了对应于Wigner超多重态对称性的解析解。     

Morse势的SUSY-m伴随势

将利用激发态产生和定义超势的方法应用于Morse，得到Morse势瓣的SUSY伴随势系列。对给定的Morse的第m个激发，它的SUSY—m伴随势可以表示为Morse势函数加上一有理函数，此有理函数为两相邻缔合拉革尔多项式的比的导函数。     

谱约束下对称正交对称矩阵束的最佳逼近

讨论了对称正交对称矩阵的广义逆特征值问题，得到了通解表达式和最佳解的表达式。     

有限局部环Z/2\+kZ上斜对称矩阵标准形和伪辛群的阶

设R=Z/2\+kZ(k>1)是\{2\}[TX-]为非单位的有限局部环. 该文首先确定了R上斜对称矩阵标准形. 设G\+m\-p(R,H)={P∈GL\-m(R)|PHP′=H}是由矩阵H确定的伪辛群,其中H=[JB((][HL(2]0[]I\+\{(v)\}\=-I\+\{(v)\}[]0[HL)][JB))]Δ，Δ=[JB((][HL(2]\{2\}[TX-]\+\{k-1\}[]\{1\}[TX-]\=-\{1\}[TX-][]0[HL)][JB))]. 其次,计算了伪辛群G\+m\-P(R,H)的阶|G\+m\-P(R,H)|.     

螺旋脉冲形成线实验

在脉冲功率技术中，长脉冲的电压脉冲形成是研究的一个难点。形成数百纳秒甚至上微秒采用一般的同轴传输线是不现实的，而采用集中参数人工线在负载为低阻抗时由于电容器的寄生电感等的影响而使波形成形较差。螺旋传输线可以延缓脉冲的传播速度，形成较长的脉冲，是比较有前途的发展方向，本次实验以300kV功率源作为螺旋线的脉冲充电电源，试验螺旋传输线形成高压脉冲的可行性及具体的技术问题。     

二取双恶唑啉衍生物的合成及其在不对称环丙烷化反应中的应用

通过双亚氨酸盐酸盐与手性胺醇反应简便地合成了二取代双恶唑啉衍生物, 并将其与铜配位运用于重氮醋酸酯对烯烃的不对称环丙化反应, 不对称诱导反应光学产物收率最高达95%d.e.     

局部对称共形平坦黎曼流形中具有平行平均曲率向量的子流形

本文把[1]的结论推广到了环绕空间是局部对称共形平坦的情形,即获得了:设M~是局部对称共形平坦黎曼流形N~+p(p>1)中具有平行平均曲率向量的紧致子流形,如果则M~位于N~+p的全测地子流形N~+1中。其中S,H分别是M~的第二基本形式长度的平方和M~的平均曲率,T_C、t_c分别是N~+p的Ricci曲率的上、下确界,K是N~+p的数量曲率。