束流位置监测系统的研制及其在国家同步辐射实验室二期工程中的应用

 介绍一种储存环束流位置监测系统的标定装置。这套标定装置是为NSRL二期工程储存环注入段真空盒改造而研制的。系统的标定精度达±0.01mm。该装置已用于新增注入段真空管的束流位置探测器的定标，获得了探头定标值，并根据其拟合和计算结果对注入段真空管进行了筛选，被选中的真空管已装入储存环注入段。     

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Ｉ~＊－ＲｉｎｇｓＷ．Ｂ．ＶａｓａｎｔｈａＫａｎｄａｓａｍｙ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＭａｔｈ．，ＩｎｄｉａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｍａｄｒａｓ６０００３６，Ｉｎｄｉａ．）ＴｈｉｓｐａｐｅｒｃｏｎｓｉｄｅｒｓｒｉｎｇｓＲｗｈｉｃｈｓａｔｉ?..     

非线性光学及其若干新进展

扼要介绍了非线性光学的基本概念及其最近10年来在飞秒激光，半导体材料，光纤通信和光信息存储等若干方面的研究进展。     

整环上几类矩阵空间的保持伴随矩阵线性算子

本文刻画了整环上的全矩阵空间、对称矩阵空间和上三角矩阵空间上保持伴随矩阵的线性算子的结构。     

非线性方程极限环存在性的另一类情况

本文讨论了非线性方程(dx)/(dt)=h(y)-F(x),(dy)/(dt)=-g(x)的极限环存在性的另一类情况. 即去掉了G(±∞)的假设,该方程的极限环的存在性问题.     

相变型半导体存储器研究进展

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题．C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品．     

GeX2(X=F,Cl)与甲醛环加成反应机理的理论研究

在从头算方法HF/6311+G水平上研究了单重态GeX2(X=F,Cl)与甲醛的环加成反应,找到了反应的中间配合物和过渡态,并在MP4(SDTQ)/6311+G计算水平上进一步进行单点算,对得到的复合物以振动频率确认其驻点性质(过渡态和稳定态),讨论了其反应机理.结果表明,二氟锗烯与甲醛的环加成反应分两步进行,第一步生成中间配合物,是一个无势垒的放热反应;第二步是中间配合物异构化为产物%D二氟锗杂环氧甲烷,计算的反应势垒为196.4kJ/mol,是整个反应发生的控速步骤.而在二氯锗烯与甲醛环加成反应中,对应的控速步骤的能垒仅为125.7kJ/mol.与二氟硅烯与甲醛环加成反应相比,二氟锗烯与甲醛的环加成反应速率要慢一些,而二氯锗烯与甲醛环加成反应速率则与其相当.     

牛顿的光学思想及其影响

依据某些史料，指出人们对牛顿光学成就认识上存在的片面性．对于光的本性的两种学说，认为牛顿只持其一种是不正确的，更不能说是由于牛顿的权威而阻碍了光学的发展达１００年之久     

收敛幂级数环的一个性质

本文证明了收敛幂级数环的张量积不是Ｎｏｅｔｈｅｒ环，并提出一个问题。     

关于RC-正则环

我们利用ralated单位正则元刻西了正则环的比较结构．进而把文[2]定理中的related单位元推广到了related单位正则元，并给出了RC-正则环的—个局部特征．