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61.
赵玲慧  魏志义  张杰 《物理》2002,31(11):729-732
总结了目前几种可产生兆瓦级(10^6W)峰值功率的飞秒(10^-15s)掺钛蓝宝石激光器的发展状况,分析了这类激光器相应的腔结构,讨论了相关的特点以及在实验上的应用前景。  相似文献   
62.
 强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。  相似文献   
63.
混合判断矩阵排序方法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了混合判断矩阵及完全一致性混合判断矩阵的概念,提出了混合判断矩阵排序的一种最小偏差法,并给出了其收敛性迭代算法,最后通过算例说明了方法的可行性。  相似文献   
64.
多相体系中Ni-PMMA纳米复合材料的γ辐射制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在多相体系中 ,运用γ射线辐射法 ,在常温常压下成功地一步合成了镍 聚甲基丙烯酸甲酯 (Ni PMMA)纳米复合材料 .XRD、TEM分析和IR光谱表明 ,在此实验条件下 ,镍离子和甲基丙烯酸甲酯已成功地被还原或聚合 ,镍粒子为面心立方 ,尺寸为 7.33nm .研究显示 ,用醋酸钠代替氢氧化钠或氨水作为碱性试剂 ,可以有效地控制体系的pH ,同时不影响单体的聚合 .  相似文献   
65.
用标准放射源进行模拟核材料库房监控实验,当放射源被转移出系统的时候,在不同位置探测了γ计数率变化,根据γ计数率变化的距离平方反比规律实现了被转移的放射源的定位,并估算了该放射源的源强.  相似文献   
66.
用于波分复用系统的多峰干涉滤光片   总被引:10,自引:7,他引:3  
介绍了用于波分复用系统的多峰干涉滤光片的设计原理,提出了滤光片透射峰位置的确定方法,讨论了影响滤光片半宽度和截止度的因素,给出了滤光片的膜厚容差分析结果,表明透射率监控标准偏差在<0.5%范围内,可以得到波形良好的多峰滤光片,最后给出了实验结果.  相似文献   
67.
对动态缓变Reissner-Nordström黑洞量子辐射特征的研究   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
《物理学报》2004,53(11):4007-4014
考虑到Reissner-Nordstrom黑洞的质量M和荷电量Q随时间t缓慢变化的情况,研究了此黑洞的量子辐射特征.结果表明,在动态缓变Reissner-Nordstrom时空中荷电Dirac粒子的量子热辐射谱与其黑洞蒸发率及随时间t缓变的M(t)和Q(t)等因素有关;动态缓变Reissner-Nordstrom黑洞量子非热辐射的最大能量与量子热辐射谱中的化学势相等.  相似文献   
68.
贾亚青  朱晓农 《物理学报》2004,53(9):3065-3070
研究了由理想线偏振片和单轴双折射晶体波片组成的双折射滤光片倾斜放置时的二阶色散和 三阶色散特性,包括波片厚度、光线入射角和光轴旋转角的变化对二阶和三阶色散的影响. 还给出了双折射滤光片的群延迟表达式,并就色散特性与GT干涉仪进行了详细比较. 关键词: 双折射滤光片 群延迟 二阶色散 三阶色散  相似文献   
69.
Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature.  相似文献   
70.
用二次阳极氧化法制备纳米多孔氧化铝板,然后用磁控溅射方式在纳米多孔氧化铝板表面镀金得到介孔网络电路,对该介孔网络电路进行输运测量,发现其具有非线性电阻.  相似文献   
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