科学家成功研制全半导体室温太赫兹时域光谱仪

英国的研究人员已经公布了全半导体室温太赫兹时域光谱仪。该小组认为,这是第一个使用全半导体结构的光谱仪,相比于传统的基于超激光的设计,具有节约成本和规模小的优势。南安普敦大学的VasileiosApostolopoulos在optics.org提到:传统的太赫兹时域光谱仪是基于钛蓝宝石激光器的基础上设计的,它虽然具有优良的性能,但成本昂贵、规模较大。目前使用的是由南安普敦的AnneTropper研究小组开发的一种微型半导体激光源,它有非常高的重复率,并在未来的一两年内,可能会产生低于200飞秒的脉冲。通过全半导体的方法,研究小组开始制造垂直外腔表面发射激光器(VECSEL),在波长为1044nm时可以发射480飞秒的脉冲。腔体包括一个光学斯塔克半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为锁模元件。垂直外腔表面发射激光器用于传统的时域光谱设置,它可以照亮一组光敏天线。Apostolopoulos和他的同事们报告说,他们可以检测到超过带宽0.1至0.8THz的辐射,并有充分确定水吸收谱线的方案。Apostolopoulos评论说:“同样的技术可被用来制造太赫兹光敏天线和垂直外腔表面发射激光器的元件,如量子阱增益样品和半导体...     

Effect of Al Doping in the InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

The effect of Al doping in the GaN layer of InGaN/GaN multiple quantum-well light emitting diodes （LEDs） grown by metalorganic chemical vapour deposition is investigated by using photoluminescence （PL） and highresolution x-ray diffraction. The full width at half maximum of PL of A1 doped LEDs is measured to be about 12nm. The band edge photoluminescence emission intensity is enhanced significantly. In addition, the in-plane compressive strain in the Al-doped LEDs is improved significantly and measured by reciprocal space map. The output power of Al-doped LEDs is 130mW in the case of the induced current of 200mA.     

自模型曲线分辨法校正ICP-AES中谱线重叠干扰——测量误差对结果的影响

本文将自模型曲线分辨方法(SMCR)应用于ICP-AES谱线重叠光谱干扰的校正,并就测量误差对重叠光谱解析结果的影响作了详细的研究和讨论。两谱线的重叠程度越大,随机误差对光谱干扰校正的影响越大。对测量数据作平滑处理。可以减小数据随机误差对结果的影响,但平滑次数增加,将导致光谱图变形,使干扰校正结果产生较大的误差。数据的平滑不能减小光谱偏离加和性的误差。本工作对两条光谱重叠的情况作了讨论,并取得了较好的结果,表明SMCR法是校正ICP-AES中重叠谱线干扰的一种简便、快速的方法。     

激光对潜通信原理及发展

 带有核弹头的战略核潜艇是现代化军事强国军事力量的重要组成部分。由于其具有极高的隐蔽性,可以在300～400米深水中活动数月之久,带有的核弹头足以摧毁一个国家的主要军事目标,是未来核战争中遭受第一次核打击之后保存的重要反击力量。发展核潜艇具有战略威慑意义,是各国军方竞相发展的重要装备。潜艇与基地的通信联系是关系到潜艇能否正常发挥作用的重要问题。对潜通信问题是各潜艇强国研究的热点和重点。在水下进行通信,和陆上常规的通信相比有着明显的特点,主要原因是传播媒介的不同。现代的通信技术已经相当成熟,但是在水下实现远距离的通信如果仍然采用超短波、微波等手段,将面临很大的衰减问题。     

一种测量弹丸膛内攻角变化的激光高速摄影系统

弹丸在膛内的攻角变化及其影响因素是发射动力学研究的重要内容,而测量弹丸膛内攻角变化则是实现此项研究的前提,并见过不少这方面的报导。本文介绍一种采用激光源及高速摄影机的测量系统。此系统的特点是:(1)能同时测量弹丸的攻角,转速及炮管的振动等参量随时间的变化规律。(2)可以实现白天拍照。(3)光路系统不用抛物面镜,使成本大大降低。调整并配置摄影光学系统,从而充分利用底片来记录所需的信息。经过射击实验,已获得了弹丸的膛内攻角曲线,证明该系统是可行的。     

多π关联对π发射源相干性的分析

对高能重离子碰撞中不同相于性程度π源产生的多π关联事件进行了蒙特卡罗模拟,比较了不同多重数子事件中的多π关联对π源相于性程度依赖的敏感性.对Bevalac流光室2.1A GeV Ne+Pb和1.2A GeV Ar+KCl中心碰撞产生的π源的相干性程度进行了分析,并与以往的2π干涉学的结果进行了比较.     

真空表面的绝缘特性

绝缘子的真空表面绝缘特性研究真空下的高压沿绝缘子表面击穿物理过程，称真空表面闪络过程。影响该过程的因素主要包括绝缘材料结构、空间电场分布、表面处理方法、所加电压特征，脉冲宽度等。研究了真空表面闪络过程，有两类理论：二次电子发射崩溃和电子引发极化松弛。SEEA理论以绝缘子表面在电子轰击下发射二次电子为基础，包含了电子诱发脱附和脱附气体离子化，并且对闪络过程产生的影响等过程，对表面闪络现象进行了解释。     

未来武器的物理学基础

 四、含苞待放的电磁炮电磁炮是利用电磁发射技术制成的一种先进的动能杀伤武器,它是继激光武器之后发展起来的又一种新式武器。第一次世界大战中的法国科学家和第二次世界大战中的德、日科学家,都曾进行过利用洛仑兹力发射炮弹的研究,均以失败而告终。     

利用针缝法测量强流栅控脉冲电子枪束流发射度

采用单缝单针法测量电子枪束流的发射度。用可移动的宽0.1mm单缝取样,与缝平行的直径为0.1mm匀速运动的探针接收穿过狭缝的束流。 缝、针距离为59mm,角分辨率为3.4mrad,系统最大接收度为0.64cm·rad。缝、针间设有平行度调节装置,提高了测量精度;狭缝板设有水冷结构,可承受较大的束流功率,采用良好的屏蔽及合理的二次电子抑制结构,清晰地测出了10~(-10)A量级的弱信号电流。所测相图的相对误差约为8％。利用该装置方便地测得了电子枪高压、栅控脉冲电压、阴极温度、脉冲流强等不同条件下的发射度变化。