掺铒联吡啶钌为探针分子压敏漆的制备及氧猝灭特性

以2,2′-联吡啶,三氯化钌(RuCl3),氯化铒(ErCl3)为原料合成了铒掺杂的探针分子。将探针分子加入到铕掺杂的硅溶胶基质中获得了铕、铒共掺杂的压敏漆样品。采用IR,SEM,EDS及荧光发射光谱对探针分子和压敏漆进行了表征。红外光谱结果表明,探针分子中联吡啶的结构没有被破坏。扫描电镜观察发现探针分子呈片状,EDS测试发现探针分子表面含有Er,Ru等元素。紫外吸收光谱表明压敏漆的最佳吸收波段位于200~500 nm处,选择410 nm作为激发光源,压敏漆在590 nm处有很强的荧光发射,并且随着空气压力的增大(即氧分子浓度的增加),压敏漆的荧光发射强度降低,说明压敏漆具有较好的氧猝灭特性。     

聚合结晶化胶体阵列结构的压敏光响应性质

制备了由单分散聚苯乙烯微球构成的结晶化胶体阵列结构, 并制备了结晶化胶体阵列聚丙烯酰胺水凝胶薄膜. 通过微区反射光谱研究了其光子带隙位置随外加压力的变化规律. 实验结果表明, 该薄膜在垂直表面方向存在光子带隙, 并在一定载荷范围内带隙波长随外加压力呈可逆线性变化.     

Energy Spectrum of La3Lu2Ga3O12：Cr^3＋ and Its Pressure-Induced R-Line-Shift Reversal

By means of both the theory for pressure-induced Shifts （PS） of energy spectra and the theory for shifts of energy spectra due to electron-phonon interaction （EPI）, the normal-pressure energy spectra of α and β centers of Cr^3＋ ions for LLGG：Cr^3＋ and the PS＇s of R1 lines and U band of these centers have been calculated at 10 K, respectively. The total calculated results are in very good agreement with the experimental data. For LLGG：Cr^3＋, the pressureinduced low-high crystal-field transition and the reversal of R1-line PS take place. The pressure-dependent variation of Rmix^ei （2E - 4T2） [mixing-degree of （t2^2 （^3T1）e^4T2） and （t2^3 E） base-wavefunctions in the wavefunction of R1 state without EPI] plays a key role for the reversal of R1-line PS. The behavior of the pure electronic PS of R1 line is quite different from that of the PS of R1 line due to EPI. It is the combined effect of them that gives rise to the total PS of R1 line. The comparison between R1-line PS＇s of GSGG：Cr^3＋ and LLGG：Cr^3＋ has been made. It is found that a peak of R1-line PS appears at Rmix^ei （^2E - ^4T2） ≈ 0.08.     

略论滑线电阻器的两种误差

一、引言滑线电阻器,是物理、电工实验中最常用的器件。在实验时,通常把它当作分压器,用来取出一部分电压,还可用作限流,以改变电路中的电流大小。在工业上,它是自动平衡电桥、自动电子电位差计中的重要调节元件,以及还用于自动控制系统中的给定部分等。绕线式滑动电阻器事实上要比碳膜式的精度高。但是,由于结构上的原因,它还是存在误差的。本文拟就其存在的两种误差作一探讨。     

深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zn_i^?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zn_i^?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''_Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''_Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证.     

Pr6O11对ZnO压敏材料显微结构的影响

研究了在ZnO压敏材料组分中以溶液方式加入稀土氧化物Pr6O11后其微观结构的变化。结果表明，Pr6O11的加入改变了ZnO尖晶石相的生成途径，使该材料在低于700℃时生成大量焦绿石相（Bi3Zn2Sb3O14）。当烧成温度高于900℃时，焦绿石相分解生成细小的二次尖晶石相（Zn7Sb2O12）。这种二次生成的细小尖晶石使材料晶粒尺寸减小，分布均匀；此外，Pr6O11的引入能生成含Pr物相，以及Pr氧化物相也有利于材料的晶粒细化。晶粒细化结果改善了ZnO压敏材料的压敏电压和非线性特性，与掺杂前相比，压敏电压提高了约60％。     

ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5系列压敏陶瓷的微观缺陷和电学性能研究

研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%Nb2O5的ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时,ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加,压敏电压升高。     

ZnO压敏陶瓷中组分工艺对Znï本征缺陷的影响

用导纳谱法,测量ZnO压敏陶瓷中Schottky势垒区的陷阱能级,研究组分、制备工艺对二价填隙锌离子Znï本征缺陷的影响.结果表明,ZnO压敏陶瓷中由于添加剂的多元化,导致制备过程中组分之间反应增强,从而形成本征缺陷的趋向也随之增强;其中那些能分凝于晶界的Bi,Ba添加剂,则对Znï的形成有抑制作用;而过高的退火处理温度,则大大地促进Znï的形成.     

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

研究了ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷等效势垒高度_eff随着归一化电压的变化规律，发现等效势垒高度_eff随着归一化电压的增加先逐渐增大，达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度，等效势垒高度_eff主要取决于反偏势垒.因此，这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区，晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序 关键词： ZnO压敏陶瓷 归一化电压 等效势垒高度 导电过程     

光纤双向应变-位移点式传感器

选择不同间距的基片自由端和不同长度的自由悬垂光纤研制了利用光纤弯曲损耗的光纤双向应变-位移传感器.该传感器可分别用于测量应变和位移.实验表明:悬臂梁上的应变标准误差约为～26 με.微位移架上的位移标准误差约～0.06 mm.基本满足建筑结构对测量精度的要求.