半导体激光泵浦的掺铒光纤放大器新进展

本文作者曾于1991年4月采用国产元器件建立了国内第一台半导体激光泵浦的掺铒光纤放大器,当时增益为5.6dB.经过进一步的技术改进措施,依然是采用全部国产元器件,其增益已高达17.4dB.于1992年10月30日在上海市科委主持下,通过了以学部委员张煦教授为主任的鉴定委员会鉴定,得到好评     

半导体激光泵浦预激光锁模调Q固体激光器研究

报道半导体激光侧面泵浦预激光锁模调Ｑ的Ｎｄ：ＹＡＧ固体板条激光器，预激光锁模调Ｑ的激光脉冲宽度为３６ｐｓ，调Ｑ包纤各心的锁模单脉冲能量超过７μＪ，相应的峰值功率达２００ｋＷ。     

CO2激光外差接收的实时强度成像

利用国内的元器件建立了声光调制CO_2激光外差接收系统,并进行了实验室内静止目标的实时强度成像,成像距离3m,成像视场7°× 5°,像素128×98,4个颜色梯度显示像强度.     

半导体中的双激子压缩态及其复合辐射

本文引进双激子压缩态,在单激子“非玻色近似”和玻色近似两种情形下,讨论了量子关联和空间关联的双激子的压缩特性、二阶相关特性及其复合辐射光的压缩特性,说明两种情形下双激子玻色近似分别相当于SU(2)群和SU(1,1)群到谐振子群的收缩,并给出这种收缩所带来的结果。 关键词：     

聚合物电致发光材料研究进展

本文较详细地综述了聚合物电致发光材料的研究进展，重点介绍了聚对苯撑乙烯（ＰＰＶ），并提出了有关聚合物电致发光材料及器件构造研究的一些观点。     

ZnO超微粒子光催化氧化降解n-C7H16的研究

利用ZnO光催化氧化技术对气相n-C7H16进行了降解研究，考察了氧气、水燕气体积分数等因素对n-C7H16光催化氧化的影响，利用气相色谱－质谱联用仪和气相色谱仪对气相光催化反应过程中的气体组成进行了定性分析，并对主要中间产物丙醛进行了定量分析，结果发现，ZnO超微粒子光催化氧化n-C7H16的降解率较高，n-C7H16绝大部分被完全氧化成CO2，探讨了n-C7H16光催化氧化反尖的动力学行为及机理。     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.     

[(enH)2(enH2)Sn2Se6]的合成、结构及性能研究

采用溶剂热法,以K2Se:SnCl2·2H2O∶Se∶en=1∶1∶4∶48的摩尔比,在150 ℃下反应5d,生成黄色透明柱状晶体[(enH2)2Sn2Se6·en]。该晶体属于三斜晶系 ,空间群为Pl^-,晶胞参数,a=0.8659(2)nm,b=1.1055(2)nm,c=0.66360(10)nm, a=104.44(3)°,β=110.93(3)°,γ=79.74(3)°,V=0.57198(19)nm^3,Z=1.[ (enH2)Sn2Se6]晶体由质子化的乙二胺正离子（enH)^+,(enH2)^2+和二聚硒代锡根 负离子（Sn2Se6)^4-堆积而成。在AxSn2Se6系列化合物,正离子A的大小对晶体结 构的类型产生重要的影响。研究表明,此晶体具有1.76eV的能隙（Eg）,是个半导 体,对太阳辐射具有选择吸收特性,在温度低于180℃时是稳定的。     

ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶的合成及其光学性质研究

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用共沉淀法制备了水溶性的Ag掺杂的ZnxCd1-xS合金型纳米晶. Ag掺杂后ZnxCd1-xS纳米晶产生新的发射峰, 并且发光效率得到了有效提高. 通过改变纳米粒子中Zn/Cd比例可有效地调控ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶的吸收带隙宽度, 同时可以在425～603 nm之间实现对ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶发射峰位的连续调控.