离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明，薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好，薄膜的电阻温度系数（TCR）最高可达4.23%/K.从成膜机理出发，较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为，单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能，致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度，使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词： VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数     

核介质中五夸克奇特重子态Θ+的有效质量

利用非线性s-w-r模型，在相对论平均场近似下，通过能量密度函数，给出了五夸克奇特重子态Q+有效质量随核密度的增加逐渐下降的依赖关系，并进行了数值计算.分析了不同参数对核物质中Q+有效质量的影响，并考虑了耦合系数中GQ/B的3个不同值，计算了不同耦合系数对Q+有效质量的影响.     

KDP晶体三倍频实验和分析

报道了ＫＤＰ晶体中的三倍频产生的实验研究，计算了比较了直接三倍频过程和级联过程对ＫＤＰ晶体三阶有效非线性系数的贡献，并探讨了ＫＤＰ作为非线性晶体材料三阶非线性系数测量基准的可行性。     

双纽线｜W^2＋c｜=1的弧长

设ｓ（ｃ）为双纽线｜Ｗ＾２＋Ｃ｜＝１的弧长，ｃ∈「０，＋∞），该文讨论了ｓ（ｃ）的性质，并在ｎ＝２的情况下解决了Ｅｒｄｏｓ，Ｈｅｒｚｏｇｔ Ｐｉｒａｎｉａｎ提出的一个猜测。     

“声表面波信道化滤波器组件”通过鉴定

由中国科学院声学研究所承担的院“八五”军工项目“声表面波信道化滤波器组件”于1996年12月在北京通过了中国科学院组织的鉴定．在现代战争中，电子对抗是一个重要的方面军．电子侦察信道化接收机是所有电子对抗系统的关键．声表面波信道化滤波器组件是由多个声表面波滤波器加上匹配网络组合起来的，有一个输人端和多个输出端．输出信号按频率分路，是信道化接收机中实现信道化功能的关键部件．声学所承担院句＼五”军工项目．研制成频率范围分别为200－350MHZ和350一5O0MHZ两种15信道的声表面波滤波器组件．配套使用时复盖带宽达到300MHZ．在研制过程中，技术上有以下突破：（）采用YllZ”LITaO；基片     

湍流边界层外区大尺度相干结构的理论模型及与实验的比较

本文基于流动稳定性理论,提出了一种解释湍流边界层外区大尺度相干结构产生机理的理论模型.将计算所得流线、等涡线分布及利用相干结构理论模型计算湍流边界层中平均温度分布的结果与实验比较,结果是比较满意的.     

太阳核心中7Be电子俘获几率的计算

在太阳核心的条件下,⁷Be原子被完全电离.所以,重新计算的⁷Be和⁸B太阳中微子流强分别约为4.00×10⁹cm^－2·s^－1和6.18×10⁶cm^－2·s^－1,而标准太阳模型预言的⁷Be和⁸B太阳中微子流强则分别是4.80×10⁹cm^－2·s^－1和5.15×10⁶cm^－2·s^－1.这将进一步增大在Super Kamiokande太阳中微子实验上中微子流强的实验测量值与理论预计值之间的差异.     

弥散型金属薄膜逾渗系统的临界特性

报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。     

类铜离子的电子碰撞参数及其规律

用准相对论扭曲波方法系统地计算了Ｂａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ａｕ、Ｐｂ类铜离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω（ｎｌ－ｎｌ），３≤ｎ≤７，４≤ｎ≤７，同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度，用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程，用１０个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速率系数。     

双峰双波长吸光光度法测定痕量铝

在pH5.5～6.0的六次甲基四胺缓冲溶液中,铝一络天青S—溴化十六烷基毗啶一Triton X-100体系具有正、负两个吸收峰于630nm和475nm处.据此,建立了痕量铝的双峰双波长吸光光度法.铝在0～5μg/25ml范围遵守比耳定律,摩尔吸光系数达1.2×10~5.测定了铝锅开水中痕量铝,结果满意.