Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究

采用sol-gel工艺, 在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi_{4Ti3O12铁电薄膜. 研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长行为、铁电性能、C-V特性和疲劳特性. 研究表明: Si基Bi4Ti3O12薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势; 退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi关键词： sol-gel法 铁电薄膜 4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12 C-V特性}     

自旋体系的一般SU(2)相干态

本文引进自旋体系的一般SU(2)相干态,讨论它的压缩特性、反聚束特性及其产生。证明当SU(2)群收缩到谐振子群时,一般SU(2)相干态转变成一般Glauber相干态,并给出有关的收缩结果。 关键词：     

GaAs半导体材料中双光子吸收光限幅与偏振方向的关系

理论分析了线偏振光波的偏振方向对ＧａＡｓ半导体双光子吸收的影响，实现了ＧａＡｓ半导体材料中不同偏振方向的双光子吸收限幅，提高了双光子吸收光限幅的性能。     

有机分子激发态非线性吸收的瞬态特性研究

提出了一种通过测量单脉冲光的输入与输出波形来研究激发态非线性吸收的新方法，用这种方法研究了纳秒脉作用下类卟啉镉溶液与甲基橙溶液的三重激发态的非线性吸收特性，前者为反饱和吸收现象，后者是由饱和吸收转化为反饱和吸收的新现象，实验结果验证了理论模拟和正确性。     

RE1—xTxMnO3氧化物的结构，电磁特性和巨磁电阻

ＲＥＭｎＯ３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｃｄ等）具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素，可形成掺杂锰氧化物ＲＥ１－ｘＴｘＭｎＯ３（Ｔ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）。随掺杂量的增加，样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应，其值可达１０６％。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构，电子结构，电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果，并对其可能的机理进行探讨。     

精密声速和超声衰减自动跟踪测试仪

中国科技大学超声检测实验室研制的精密声速和超声衰减自动跟踪测试仪已于去年通过省级鉴定。并投入小批量生产．该仪器在声速和超声衰减的测量原理方面进行了创新，在精密声速的测量中实现了脉冲回波重合法（PEO）和回鸣法（SA）两者优点的兼容，从而实现了精密声速的目动高精度测量癌超声衰减的测量中采取了一系列措施，提高了测量精度．仪器的另一特色是实现了精密声速和超声衰减的同时自动测量，整个测量过程用微机控制，工作软件提供了较强功能，测试结果可以显示、存储、打印，也可以根据测量要求方便地编制特定的测量软件进行定时…     

Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究

在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 关键词：     

铕激活的铝酸锶镁的合成及发光特性

研究了二价铕激活的Sr1-nMgnAl2O4的合成、发光性质以及基质组分Sr/Mg摩尔比与荧光性质的关系，并对其余辉及衰减进行了测定。