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Doped Polycrystalline 3C-SiC Films Deposited by LPCVD for Radio-Frequency MEMS Applications 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Polycrystalline 3C-SiC films are deposited on SiO2 coated Si substrates by low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) with C3H8 and SiH4 as precursors. Controlled nitrogen doping is performed by adding NH3 during SiC growth to obtain the low resistivity 3C-SiC films. X-ray diffraction (XRD) patterns indicate that the deposited films are highly textured (111) orientation. The surface morphology and roughness are determined by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). The surface features are spherulitic texture with average grain size of 100nm, and the rms roughness is 20nm (AFM 5×5 μm images). Polycrystalline 3C-SiC films with highly orientational texture and good surface morphology deposited on SiO2 coated Si substrates could be used to fabricate rf microelectromechanical systems (MEMS) devices such as SiC based filters. 相似文献
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建立了全自动QuEChERS样品前处理系统结合低压气相色谱-三重四极杆质谱(LPGC-MS/MS)同时检测茶叶中46种农药残留的分析方法。茶叶样品经粉碎均匀后,用全自动QuEChERS样品前处理系统提取、净化,氮吹浓缩后,用TG-5LPGC-MS柱分离,三重四极杆质谱多反应监测(Multiple Reaction Monitoring,MRM)模式检测目标物,外标法定量。在1倍定量限、2倍定量限和10倍定量限三个添加水平下,选定的空白茶叶样品中的回收率在77.9%~106.3%之间,相对标准偏差(relative standard deviation,RSD)为0.8%~9.4%,方法的检出限(detection of limit,LOD)在0.11~4.3μg·kg-1。该方法自动化程度高,出错率低,耗时短,有效的节省人力资源成本及实验成本,适用于大批量茶叶样品中多种农药残留的快速定性定量。 相似文献