硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究

低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料，是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一，有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布，纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。     

Na原子链表面等离激元特性的含时密度泛函研究

本文用含时密度泛函理论研究了线性Na原子链的表面等离激元机理.主要在原子尺度下模拟计算了体系随着原子数增加及原子间距变化的集体激发过程.研究发现线性原子链有一个普遍的特性——存在一个纵模和两个横模.两个横模一般在实验上很难被观测到.纵模随着原子链长度增加,能量红移的同时,该纵模主峰的强度呈线性增长.随着原子个数的增加,端点模式(TE)开始蓝移,能量和偶极强度都逐渐趋向饱和.横模能量被劈裂的原因概括如下:(一)每个位置的电子受到的势不同,在两端的电子受到的势要比在中间的电子受到的势要高,因此两端的电荷积累也比中间多;(二)端点存在悬挂键,所以中间的电子-电子间相互作用与端点的不一样,这两方面又都与原子间距d有关.     

原子轨道方法研究He^2＋-He碰撞中电荷转移过程

应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了He^2＋-He碰撞中的电荷转移过程，计算了随入射离子能量变化的单电子俘获总截面及各个次壳层的态选择截面，并与其它理论结果和实验结果进行了比较，发现我们的理论结果与实验很好的符合．针对中国科学院近代物理研究所最近的实验测量，我们也计算了电荷转移过程的微分截面．     

第七届中国（广州）国际分析测试与科教仪器设备展览会暨技术研讨会第五届中国（广州）国际生物技术展览会暨技术研讨会

由中华人民共和国科学技术部批准，广东省科学技术厅主办，广东省对外科技交流中心，广东省分析测试协会，中国广州分析测试中心，广东计量协会，广东国际科技贸易展览公司承办的第七届中国（广州）国际分析测试与科教仪器设备展览会暨技术研讨会，第五届中国（广州）国际生物技术展览会暨技术研讨会。于2006年5月30日～6月1日在广州市（流花路）中国出口商品交易会展馆举行。主要内容为分析测试、高教仪器与实验室设备、生物技术、医学诊断与临床检验、环境监测、食品检测等。     

随机函数的几乎处处中心极限定理

设{X_n,n≥1}是独立同分布随机变量序列,EX_1=0,EX_1~2=1．设S_n=∑_i~n=1 X_i,T_N=T_N(X_1,…,X_n)是随机函数且T_N=AS_N+R_n．我们证明若supE|R_n|＜∞,R_n=o n~(1/2)a．s．或R_n=O(n~(1／2-2γ))a．s．(0＜γ＜1／8),则对随机函数T_n几乎处处中心极限定理(简记为ASCLT)和函数型几乎处处中心极限定理(简记为FASCLT)成立．由此作为推论,可得对U统计量、Von-Mises统计量、线性过程、移动平均过程、线性模型中误差方差估计、功率和、连续分布函数的乘积极限估计和分位点函数的乘积极限估计等均成立着ASCLT和FASCLT．     

带用横向射流的三维超声速湍流流场分析

应用显式的五阶WENO格式，结合k-ω湍流模型，求解三维Favre平均N－S方程，计算了从方孔横向喷出的声速气流与马赫数为3．0的超声速气流的干扰流场。结果表明，在射流上游，射流的阻碍便超声速气流产生分离，形成两个主要的回流区域，主回流导致在方孔射流两侧形成马蹄涡区域，射流下游存在低压区域，形成较小的回流以及一对螺流形旋涡。     

基于园区网络的主动安全模型设计与研究

从现行典型园区网络安全设计方案入手，结合其在安全防范解决方案上存在的问题，提出了一种网络主动安全模型；在全局网络安全认识的基础上．阐述了模型组成部件的功能定义和网络主动安全实现流程；采用统一网络入口认证、网络知识发现及资源有效控制、沟通等手段，解决了现行网络安全设计中存在的恶意攻击行为源头定位困难，以及信息安全司法取证不准、网络资源安全被动防护、网络灾难快速反映能力差等问题．实验结果表明，该设计方案具有较好的可行性和实用性．     

全内反射荧光显微术应用于单分子荧光的纵向成像

利用这种显微术中激发场的纵向强度呈指数衰减的分布特性，测得的荧光强 度将强烈依赖渗透深度（强度衰减到1/e时的距离），从而快速直接的确定单分子荧光 团间的纵向间隔、每个荧光团的纵向绝对位置和荧光团的半径大小，即实现荧光分子三维分 布的重构.在整个重构的过程中，只需要改变一次入射角的大小，即只需探测两幅荧光分子 的全内反射成像. 关键词： 全内反射荧光显微术 纵向重构     

黑龙江珠心算教育指导中心幼少儿智力开发教学园开园庆典仪式

2005年7月4日，世界珠算心算联合会副会长、台湾省商业会副理事长叶宗义，台湾省商业会总干事李绍平，黑龙江省财政厅副厅长孙敏强，黑龙江省台湾事务办公室副主任陈伟民等为教学园开园庆典仪式剪彩，并参观考察了占地近千平方米的珠心算教学园。黑龙江省珠算协会秘书长梁玉容主持开园仪式。