首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   17096篇
  免费   1242篇
  国内免费   1022篇
化学   5691篇
晶体学   143篇
力学   1846篇
综合类   234篇
数学   6111篇
物理学   5335篇
  2023年   96篇
  2022年   185篇
  2021年   281篇
  2020年   284篇
  2019年   343篇
  2018年   268篇
  2017年   380篇
  2016年   408篇
  2015年   327篇
  2014年   490篇
  2013年   985篇
  2012年   667篇
  2011年   832篇
  2010年   778篇
  2009年   1313篇
  2008年   1312篇
  2007年   1114篇
  2006年   1105篇
  2005年   718篇
  2004年   600篇
  2003年   590篇
  2002年   588篇
  2001年   513篇
  2000年   432篇
  1999年   424篇
  1998年   376篇
  1997年   287篇
  1996年   235篇
  1995年   180篇
  1994年   179篇
  1993年   127篇
  1992年   120篇
  1991年   113篇
  1990年   89篇
  1989年   82篇
  1988年   60篇
  1987年   59篇
  1985年   444篇
  1984年   317篇
  1983年   254篇
  1982年   233篇
  1981年   180篇
  1980年   130篇
  1979年   151篇
  1978年   92篇
  1977年   95篇
  1976年   97篇
  1975年   95篇
  1974年   120篇
  1973年   135篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 156 毫秒
51.
王九庆  方守贤 《中国物理 C》1998,22(12):1156-1163
探讨了设计负动量压缩因子(αp<0)的正负电子对撞机储存环磁聚焦结构的可行性及方法.作为应用实例,说明了设计αp<0的τ–粲工厂磁聚焦结构的可能性.  相似文献   
52.
53.
具有奇异值分解性质的代数   总被引:4,自引:0,他引:4  
黄礼平 《数学学报》1997,40(2):161-166
设F为一个域,R为一个带有对合的F-代数,如果R上每一个矩阵都有奇异值分解(简称SVD),则称R为一个有SVD性质的F-代数.本文指出:R为一个有SVD性质的F-代数的充要条件是:R同构于R~+,或R~+上二次扩域,或R~+上四元数体((-1,-1)/R~+),其中R~+为R的对称元集合,并且R~+为一个Galois序闭域.  相似文献   
54.
In this paper we prove theorems on multiplicators of Fourier series inL p, where the conditions depend on a parameterp. An example illustrating the importance of these conditions is constructed. Translated fromMatematicheskie Zametki, Vol. 63, No. 2, pp. 235–247, February, 1998.  相似文献   
55.
射流式单重态氧发生器研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
单重态氧O2 (a1Δg)是迄今唯一能用纯化学反应高效产生的具有长寿命的亚稳激发态分子 .为了考察提出的用两个O2 (1Δ)能量汇集反应生成氧第二单重激发态O2 (b1Σ+ g)以实现近可见短波长化学激光方案的现实性 ,设计和实验了一个氯流量为 3~ 10mmol/s的射流式单重态氧发生器 (JSOG) .考察了三种具有不同孔径和孔数目的喷头、氯气流量和脱水冷阱温度等对JSOG出口的O2 (1Δ)浓度、O2 (1Δ)分压、氯利用率及水蒸气含量的影响 .发现用聚氯乙烯管作冷阱时 ,最佳冷阱介质温度为 - 140~ - 15 0℃ ,对此提出了O2 (1Δ)表面脱活与脱水互相竞争的解释 .在最佳条件下 ,可将O2 (1Δ)气中水分压降低至 4Pa ,这一结果是首次报导  相似文献   
56.
陈昌永 《光子学报》2002,31(11):1317-1320
描述了简并V型三能级原子与单模相干态光场的Raman相互作用,获得了处于激发态单态的原子与相干态光场相互作用的结果.利用探测原子与光场的相互作用将原子和光场制备成最大缠结态,并注入待测原子,通过原子与腔模构成的Bell基矢演化,对腔场进行选择性探测,获得探测原子相互作用后可能的量子状态,然后对待测原子与腔场进行联合探测,接着对探测原子的量子状态实施幺正变换,就将探测原子制备到待测原子的初始量子态上,从而实现未知原子态的隐形传送.  相似文献   
57.
A singularly perturbed parabolic equation with a nonlinear right-hand side of a special form is examined. A numerical analytical study of such equations is performed.  相似文献   
58.
一种改进的计算探测器校正因子的相关抽样方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
对于小尺寸探测器处于大块介质的情形, 在探测器的校正因子的Monte Carlo模拟中, 存在两个难题: 一是由于探测器尺寸很小粒子难以到达探测器并发生碰撞; 二是两个随机变量比值难以达到要求精度. 本文使用经过改进的粒子碰撞自动重要抽样方法, 再结合相关抽样方法, 解决了这两个难题, 并在MCNP-4C程序平台上加以实现. 除了粒子碰撞自动重要抽样以外, 还选用了其他3种方法: 直接模拟、区域分裂、强迫碰撞+Dxtran球分别与相关抽样方法结合, 对一个简化的探测器校正因子计算模型进行了计算. 实际计算结果表明, 相关抽样方法无论与哪种方法结合, 都起到了提高相关量计算效率的作用; 而它与粒子碰撞自动重要抽样结合, 比其他方法具有明显的优越性.  相似文献   
59.
Cobalt antidot arrays with different thicknesses are fabricated by rf magnetron sputtering onto porous alumina substrates. Scanning electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction are employed to characterize the morphology and crystal structure of the antidot array, respectively. The temperature dependence of magnetic properties shows that in the temperature range 5K--300K, coercivity and squareness increase firstly, reach their maximum values, then decrease. The anomalous temperature dependences of coercivity and squareness are discussed by considering the pinning effect of the antidot and the magnetocrystalline anisotropy.  相似文献   
60.
By applying geometric techniques to real analytic singularly perturbed vector fields on the plane, we develop a way to give a bound on the Gevrey type of the Taylor development of canard manifolds at degenerate planar turning points. By blowing up the phase space at the turning point, we find asymptotic estimates even when such expansions w.r.t. traditional phase space variables do not exist. The asymptotic estimates are then used to give a sufficient and necessary condition on the existence of (local) canard solutions.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号