关于多项式系数微分方程复振荡理论的两个结果

本文证明了：如果ａ_ｋ－ｊ（ｊ＝１，…，ｋ）为多项式，ｄｅｇａ_ｋ－ｊ＝ｎ_ｋ－ｊ，存在某个ａ_ｋ－s（１≤ｓ≤ｋ）满足：当１≤ｊ＜ｓ时，ｎ_ｋ－ｊ／ｊ≤ｎ_ｋ－s／ｓ；当ｓ＜ｊ≤ｋ时，ｎ_ｋ－ｊ＜ｎ_ｋ－s－（ｊ－ｓ）．如果Ｆ≠０是整函数且满足σ（Ｆ）＝β＜（ｎ_ｋ－s＋ｓ）／ｓ，那么微分方程ｆ^（ｋ）＋ａ     

一种计算量子拍讯号强度的新方法

本文运用密度矩阵方程推导了V型三能级系统的荧光量子拍讯号强度,并对其结果进行了分析和讨论。     

基于零点的函数K图和dj图的转换

介绍了函数的最大项展开式和CRM展开式及其图形表示，提出函数K图和dj图的零点的概念，并以此为基础讨论了基于零点的函数K图和dj图之间的转换方法。     

三级近似束流光学计算程序

为了精确计算束流在离子光学系统中的传输,用Visual FORTRAN 6.5语言编写了一个计算程序,长约13000行. 此程序可以计算由三圆筒单透镜、三膜片单透镜、双元筒透镜、均匀场静电加速管、磁四极透镜、六极磁铁、静电四极透镜、偏转磁铁、螺线管透镜、ExB~正交电磁场分析器、静电偏转器、漂浮管、QWR(Quarter Wave Resonators)和SLR(Split Loop Resonators)射频加速元件等元件任意组成的离子光学系统. 粒子轨迹的计算可精确到三级近似. 粒子的分布类型也可以有多种选择. 程序具有最优化计算功能,即可以自动调整元件的参数,以实现所需要的光学条件. 各元件之后的横向和纵向相图以及系统的束流包络线以图形方式显示在屏幕上.     

S波Kπ散射以及动力学产生标量介子

考虑Kπ和Kη两个耦合道, 用手征幺正方法研究了S波Kπ散射. 结果表明, 只用一个参数, 1.2GeV以下的散射相移数据就可以得到很好的描述, 并且散射长度也和实验值符合很好. 此方法可以动力学产生标量介子κ, 并预言其质量和宽度分别大约是752MeV和594MeV. 可以定性地产生对应于K^*₀(1430)的标量介子.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

Kerr介质中级联三能级原子与压缩相干态相互作用的光子统计演化

本文研究了存在Kerr介质的高Q腔中压缩相干态与级联三能级原子相互作用的光子统计演化规律,讨论了光场参数、Kerr介质及相干振幅对平均光子数的影响.     

微粒大小及其分布的光电复合检测

叙述一种新的光电复合测量技术，它集ＣＣＤ摄像显示，微机信息采集与处理，光不投影放大，显微镜目视判读为一体，可对微粒大小及其空间分布实行多通道测量，观察和分析。     

X…H2O（X=Li，Na，K）非线性光学性质的从头算理论

在MP2水平上采用6-311G基组计算了van der Waals复合物X…H2O(X=Li, Na, K)的非线性光学性质(μ, α, β), 讨论了基组效应和电子相关效应对计算结果的贡献. 在MP2/6-311++G(2df, 2pd)水平上计算得到的三个复合物分子X(X=Li, Na, K)•••H2O的非线性光学性质. 结果表明, 三种复合物分子均具有巨大的一阶超极化率, 其中最外层电子的弥散特性对一阶超极化率有很大的影响.