聚丁二炴的能量和能带结构计算

本文采用LCAO_SCF ab initio晶体轨道方法计算了聚丁二炔的两种可能结构: 乙炔型结构C(R—C≡C—CR′)和丁三烯型结构(_nCR=C=CR′)_n的能量和能带结构; 讨论了不同侧链基团聚丁二炔的两种结构的能量稳定性及其能带结构的变化; 并从侧链基团的性质及这两种结构的差别进行了分析, 较好地解释了计算结果。     

2-烷基-苯并咪唑在硝酸银亚相上的Langmuir膜及LB膜

对不同链长的2-烷基-苯并咪唑衍生物（BzCn,烷基链长从C5到C15）在硝酸银亚相上的成膜行为及形成的LB膜的结构进行了研究.表面压－面积曲线的结果表明，短链(C5～C9)的2-烷基-苯并咪唑可在银离子亚相上形成稳定的单分子膜，而长链(C13和C15)衍生物则形成多层膜.利用LB技术可将上述Langmuir膜转移到固体基板上形成LB膜，其吸收光谱的结果说明了苯并咪唑和银离子配位.利用AFM、XRD及FT-IR等技术研究了烷基链长对LB膜结构的影响.实验结果表明,除了BzC15，其余的衍生物都可形成规整的层状结构.短链衍生物的单层LB膜具有均一、平整的形貌；而对于BzC15，观察到多层结构.     

相反转技术制备环氧树脂水基体系——相反转过程的流变行为研究

对高乳化剂浓度下的相反转发展过程的流变行为进行了应力扫描、动态频率扫描实验表征．结果表明，乳化剂浓度较高时，体系发生完全相反转；体系在相反转点前为Ｗ／Ｏ结构，其粘度几乎不随剪切应力的改变而改变，表现为牛顿流体行为；体系在相反转点后为Ｏ／Ｗ结构，具有很高的粘弹性，并且在较高剪切应力下表现为典型的假塑性．这是由于高分子水基微粒间通过其表面覆盖的表面活性剂与水形成氢键而产生了一种静态结构，此结构在较高剪切应力作用下破坏而导致假塑性．     

在“高聚物的结构与性能”课程中讲透高聚物的特点

通过对高分子链的柔性、聚合物独有的熵弹性、显著的粘弹性、特有的描述链段运动的WLF方程,可能实现的大尺寸取向和小尺寸解取向、银纹、单链凝聚态、折叠链片晶和伸直链晶体、分子量的多分散性、高分子溶液特性和高聚物熔体的弹性行为等的讨论,希望能突出“高聚物的结构与性能”课程中高聚物的特点。     

磺掺杂和非掺杂高取向反式聚乙炔导电性能的各向异性

本文应用量子化学EHMO/CO方法计算了高取向反式聚乙炔及其碘掺杂物的二维能带结构,并以此为依据讨论了它们导电性能的各向异性.平行于分子链方向的电导率与垂直于该方向的电导率之比(σ~1/σ~⊥)取决于这两个方向上价带宽和导带宽的大小.碘掺杂后σ~1/σ~⊥下降,其原因是链间耦合增强的结果.这也使掺杂后的反式聚乙炔成为链间相互作用微弱的三维体系.计算结果与实验结果较好地吻合.     

PIXE法分析共聚物中痕量氯

四氟乙烯和全氟4-甲基-3,6-二氧杂-△~7辛基磺酰氟在溶剂氟里昂-113(F-113)中进行自由基引发聚合反应时,共聚物(T-O)是否有链转移,可以通过测定所得共聚物中的含氯量来得以证实。我们首次应用质子X萤光分析法(PIXE)进行分析。结果表明,共聚物中含氯量小于1ppm,F-113溶剂并未发生链转移。同时,我们测定了已证明有F-113参与链转移反应的F_(40)试样,含氯量高达700ppm。     

HDDR过程中三元和多元Nd-Fe-B合金磁畴结构的MFM研究

用磁力显微镜研究了三元Nd-Fe-B合金在HDDR过程的不同阶段(铸态、不充分吸氢歧化、充分吸氢歧化和脱氢再复合)的破畴结构。在铸态样品表面清楚地观察到了易磁化轴互相垂直的柱状晶表面的两类磁畴图型。当样品不充分吸氢歧化和充分吸氢歧化时，破畴结构明显发生变化，反映了Nd-Fe-B的分解产物NdH2，α-Fe和Fe2B及其微晶结构的变化。脱氢再复合后形成的微晶的磁畴结构则表明样品保留了铸态样品柱状晶的构型。此外，还对比研究了多元Nd-Fe-B合金在HDDR过程中的磁畴结构，并根据微磁结构分析，指出过量的Ga元素添加可抑制Nd2(Fe，M)14B相的吸氢歧化，从而导致相应HDDR粘结磁体性能降低。     

硝酸银及其产物银对六角相液晶流变性影响

用偏光显微镜测定了硝酸银及其产物银对NP－10／水六角相区的影响，用动态 （应力和频率扫描）和稳态（蠕变－恢复）方法研究了硝酸银的加入和银的生成对 该体系粘弹性的影响。无机前驱物硝酸银和银的生成能使六角相区略缩，动态流变 实验表明，无机物引入纯六角相液晶体系中会使其抗剪切的能力降低，对相区两侧 影响与振荡所采用的频率有关。生成的银原子会在胶束表面聚集，增加了胶束内部 不同EO链之间的交联，造成松弛时间变长，粘弹性指数降低，稳态实验所得到的结 果与动态实验一致，并将粘性和弹性定量化。用弹簧－粘壶模型和液晶的空间构型 及作用力解释了实验结果。     

三配位[CuCl_3]~-的电子结构、化学键和配位化学性质

用INDO法从正则分子轨道和定域分子轨道讨论了[CuCl_3]~-的电子结构和化学键,铜的4p轨道对成键贡献最大,3d轨道不参与成键。根据[CuCl_3]~-的HOMO和LUMO的原子轨道成份,讨论了它的配位化学性质。