滑动弧电极放电等离子体作用甲烷制C2烃的工艺

采用刀片式不锈钢电极放电反应器,以Ar气为稀释气,研究了等离子体作用下甲烷转化制C2烃的工艺条件。考察了CH4流量、高频电源输入电压和电极间距等参数对甲烷转化率、C2烃选择性、收率和反应表观能耗的影响。结果表明,增加CH4流量,表观能耗随之降低;当输入电压和电极间距较小时,甲烷转化率随输入电压和电极间距的增大而增大,但输入电压和电极间距过大时,C2烃收率明显下降,积碳严重。在CH4流量14 mL/min、Ar气流量60 mL/min、高频电源输入电压22 V、电流0.44 A、电极间距4 mm的优化条件下,甲烷最高转化率为43.1%,C2烃收率、选择性和表观能耗分别为40.1%、93.2%和2.41 MJ/mol。C2烃中不饱和烃的体积分数可达95%以上。     

颤振环境MoS2/Ag薄膜碰撞滑动接触摩擦性能研究

基于空间机构的运动特性,考虑空间颤振环境的影响,采用粗粒化分子动力学研究MoS₂/Ag薄膜的碰撞滑动接触摩擦性能,建立颤振环境碰撞滑动接触摩擦的粗粒化分子动力学模型,对比了纯Ag和MoS₂/Ag薄膜的摩擦性能,研究了初始碰撞速度、滑动速度以及空间温度对碰撞滑动接触摩擦过程的影响. 结果表明:与纯Ag相比,MoS₂/Ag薄膜表现出更优异的摩擦性能;压头碰撞速度对动能有一定的贡献,初始碰撞速度的增加会增大压头压入基体的深度,使得平均摩擦力增大;滑动速度的增加会加剧原子间的相互剪切摩擦,使平均摩擦力增加;MoS₂/Ag薄膜在100~500 K温度范围内表现出良好的摩擦性能,当空间温度为600 K时,其摩擦性能降低,并伴随着MoS₂膜的破裂.      

求解二维Poisson方程的重心插值配点法

采用重心Lagrange插值配点法计算了二维Poisson方程.采用重心Lagrange插值法构造近似函数,由配点法离散Poisson方程及其边界条件.数值算例表明方法具有理论简单、计算精度高的特点.     

内积在溶液浓度测定中的应用

提出内积的溶液浓度测定方法。该方法计算已知浓度溶液透光率曲线与0号溶液（浓度最低的溶液）透光率曲线的内积ρ,确定溶液的ρ-C曲线,然后测定未知溶液的透光率曲线,计算其与0号溶液透光率曲线的内积,并利用已建立好的ρ-C曲线进行插值以估计溶液浓度。由于该方法利用了透光率曲线的全部信息,因此对溶液浓度的估计精度较高。对K2Cr2O7溶液浓度的测定实验结果表明,该方法对溶液浓度的估计相对误差小于1.00%。     

旋转滑动弧氩等离子体裂解甲烷制氢

采用切向气流和磁场协同驱动的旋转滑动弧氩等离子体,先通过光谱分析法计算了其电子温度和电子密度,了解其物理特性,将其应用于甲烷裂解制氢,研究了进气流量和CH_4/Ar比对反应效果的影响。结果表明,该滑动弧系统电子温度为1.0-2.0 e V,电子密度高达1015cm~(-3),是介于热与低温等离子体之间的一种等离子体形式,具有独特的物理特性,可以在达到较高反应效率的同时,保持较大的处理量;在CH_4裂解制氢实验中,CH_4转化率可达22.1%-70.2%,并随进气流量和CH_4/Ar比的增大均逐渐降低;H_2选择性为21.2%-61.2%,并随进气流量的增大先基本不变后有所增大,随CH_4/Ar比的增大逐渐降低;与应用于甲烷裂解的不同形式的低温等离子体对比(如微波、射频、介质阻挡放电等)可以发现,旋转滑动弧在获得较高甲烷转化率、较高H_2选择性和较低制氢能耗的同时,还可以保持较大的处理量,即进气流量可达6-20 L/min。     

探讨罗列法与函数法判断仪表刻度均匀的优劣

随着社会的发展,越来越多的先进仪器、表盘进入我们的生活中,如汽车里的油量表、速度盘,市场上的电子秤,工厂车间里监控着机器运转的各种仪表等;它们与生活息息相关.这些仪表上的刻度有     

此题还一个解——对《正确使用平均值》一文的补充

《物理通报》2010年第6期一篇文章《正确使用平均值》[1]中,例题1的参考解答是利用动量与能量的观点来研究的.但笔者认为此题还有一个解,分析如下.文中如有不当之处还请各位批评指正.     

解二阶椭圆本征值问题的有限元插值校正方法

§1.引言 本文介绍解二阶椭圆本征值问题的有限元插值校正方法.理论分析和数值实验都表明,此方法具有低代价和高精度的特点.这个方法是超收敛和迭代伽略金法的思想相结合的产物。 考虑二阶椭圆本征值问题:     

矩形网格上二元向量有理插值的对偶性

矩形网格上二元向量有理插值的对偶性朱功勤，檀结庆（合肥工业大学）ＴＨＥＤＵＡＬＩＴＹＯＦＢＩＶＳＲＩＡＴＥＶＥＣＴＯＲＶＡＬＵＥＤＲＡＴＩＯＮＡＬＩＮＴＥＲＰＯＬＡＮＴＳＯＶＥＲＲＥＣＴＡＮＧＵＬＡＲＧＲＩＤＳ￥ＺｈｕＧｏｎｇ－ｑｉｎ；ＴａｎＪｉｅ－...     

基于LAGRANGE插值的高阶微分中值定理

本文基于LAGRANGE插值，将微积分中非常重要的中值定理推广到了高阶的情形。