首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14731篇
  免费   2470篇
  国内免费   2114篇
化学   839篇
晶体学   27篇
力学   1293篇
综合类   737篇
数学   12088篇
物理学   4331篇
  2024年   71篇
  2023年   283篇
  2022年   279篇
  2021年   271篇
  2020年   196篇
  2019年   283篇
  2018年   156篇
  2017年   341篇
  2016年   408篇
  2015年   530篇
  2014年   928篇
  2013年   642篇
  2012年   1091篇
  2011年   1157篇
  2010年   1049篇
  2009年   951篇
  2008年   1154篇
  2007年   921篇
  2006年   817篇
  2005年   976篇
  2004年   803篇
  2003年   817篇
  2002年   582篇
  2001年   702篇
  2000年   560篇
  1999年   457篇
  1998年   381篇
  1997年   334篇
  1996年   329篇
  1995年   340篇
  1994年   304篇
  1993年   239篇
  1992年   216篇
  1991年   199篇
  1990年   234篇
  1989年   181篇
  1988年   43篇
  1987年   30篇
  1986年   13篇
  1985年   17篇
  1984年   14篇
  1983年   5篇
  1982年   3篇
  1980年   4篇
  1959年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 125 毫秒
991.
径向轴承启动过程瞬态热效应的研究   总被引:7,自引:2,他引:7  
联立求解广义雷诺方程、油膜瞬态三维能量方程、轴瓦瞬态三维固体热传导方程及轴颈的运动方程,并考虑粘度和密度随温度及压力的变化,在油膜与轴瓦界面使用热流连续性边界条件,确定了在承受稳态载荷时圆轴承在启动过程中的温度变化情况.介绍了一种有效的用于求解轴承瞬态性能的改进Newton—Raphson算法.结果表明:整个系统达到热平衡的时间与启动加速度的大小无关;启动加速度越高,温度升高越快;在启动过程中,油膜最高温度出现的位置沿膜厚方向而变化.同有关试验结果的对比证实所建模型和所用算法正确可行.  相似文献   
992.
本文研究Melnikov方法在具有滞后特性动力系统中的应用,证明了Melnikov方法对一类连续有界函数的适用性,以具有滞后类阻尼Duffing振子为例,给出了产生异宿分岔的条件,并在非共振条件下做了数值计算,其结果表明了该系统动力学特性的复杂性。  相似文献   
993.
从Donnell圆柱壳方程出发,利用复变函数与保角映射的方法,将圆柱壳展开面上的开孔边界线保角晨射成单位圆,并在映射平面上给出了逼近大开孔圆柱壳方程解答的完备函数逼近序列,进而利用边界条件和正交函数展开的方法得到了自由孔边应力集中系数的表达式,最后,对具有开孔率的圆柱壳在不同荷载条件下的自由孔口边界上的应力集中的系数进行了计算,此种方法,同时研究圆柱壳开非圆大孔和接管等问题提供了可能性。  相似文献   
994.
非牛顿流体有限长粗糙轴承分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文采用H.Christense力提出的随机粗糙模型,推导了幂律型流体纵向粗糙型和横向粗糙型润滑雷诺方程和相应的承载力、流量系数和摩擦系数的计算公式.对有限长动载径向轴承纵向粗糙型雷诺方程,用差分方法进行数值求解,得到了粗糙度和幂律指数对轴承的压力分布、承载力、流量系数和摩擦系数影响曲线,并有表面粗糙度和润滑油的非牛顿特性独立地影响轴承油膜力学特性的结论.  相似文献   
995.
由J. T. Pindera提出的平面isodyne法是散光法的一种发展。具有非破坏性直接测取受力物体内部应力的特点。不需要大功率的激光器,条纹清晰,无畸变,对于平面应力问题可以得到应力分量的全部信息。在复合材料力学、断裂力学和接触问题等领域有广泛的应用前景。文章闸述了该方法的原理和技术,并应用它得到一受三点弯曲荷载的有裂纹的复合材料梁粘结层的应力分布。  相似文献   
996.
在等温等压条件下,通过pB=cBRT关系转换,所得关系式证明了-RTlnK—cΟ=ΔrG—mΟ(c—Ο)。还分析推证出ΔrG—mΟ(c—Ο)和ΔrG—mΟ(p—Ο)、ΔrH—Οm(c—Ο)和ΔrHΟ—m(p—Ο)、ΔrSΟ—m(c—Ο)和ΔrSΟ—m(p—Ο)、ΔrUΟ—m(c—Ο)和ΔrHΟ—m(cΟ—)以及ΔrG—Οm(c—Ο)和ΔrA—mΟ(c—Ο)之间的几个关系式,进一步证实了-RTlnK—cΟ=ΔrGΟ—m(c—Ο)。  相似文献   
997.
设$L$为$L^2({{\mathbb R}^n})$上的线性算子且$L$生成的解析半群 $\{e^{-tL}\}_{t\ge 0}$的核满足Poisson型上界估计, 其衰减性由$\theta(L)\in(0,\infty)$刻画. 又设$\omega$为定义在$(0,\infty)$上的$1$-\!上型及临界 $\widetilde p_0(\omega)$-\!下型函数, 其中 $\widetilde p_0(\omega)\in (n/(n+\theta(L)), 1]$. 并记 $\rho(t)={t^{-1}}/\omega^{-1}(t^{-1})$, 其中$t\in (0,\infty).$ 本文引入了一类 Orlicz-Hardy空间 $H_{\omega,\,L}({\mathbb R}^n)$及 $\mathrm{BMO}$-\!型空间${\mathrm{BMO}_{\rho,\,L} ({\mathbb R}^n)}$, 并建立了关于${\mathrm{BMO}_{\rho,\,L}({\mathbb R}^n)}$函数的John-Nirenberg不等式及 $H_{\omega,\,L}({\mathbb R}^n)$与 $\mathrm{BMO}_{\rho,\,L^\ast}({\mathbb R}^n)$的对偶关系, 其中 $L^\ast$为$L$在$L^2({\mathbb R}^n)$中的共轭算子. 利用该对偶关系, 本文进一步获得了$\mathrm{BMO}_{\rho,\,L^\ast}(\rn)$的$\ro$-\!Carleson 测度特征及 $H_{\omega,\,L}({\mathbb R}^n)$的分子特征, 并通过后者建立了广义分数次积分算子 $L^{-\gamma}_\rho$从$H_{\omega,\,L}({\mathbb R}^n)$到 $H_L^1({\mathbb R}^n)$或$L^q({\mathbb R}^n)$的有界性, 其中$q>1$, $H_L^1({\mathbb R}^n)$为Auscher, Duong 和 McIntosh引入的Hardy空间. 如取$\omega(t)=t^p$,其中$t\in(0,\infty)$及$p\in(n/(n+\theta(L)), 1]$, 则所得结果推广了已有的结果.  相似文献   
998.
用小角/广角X射线散射(SAXS/WAXS)联用的实验方法考察了等温结晶温度(Tc)和等温时间对聚(ε-己内酯)(PCL)片晶形态的影响.根据WAXS数据计算了PCL的重量结晶度,进而求得其体积结晶度Vc(WAXS).在不同Tc下结晶的PCL样品的Vc(WAXS)均略高于50%.对SAXS谱线做一维相关函数(1DCF)分析,得到了PCL的片晶长周期(LP)和无定形层厚度(La).通过比较WAXS及SAXS的数据分析结果,认为PCL晶体需用"三相模型"予以描述,其过渡层厚度(E)约为LP的15%~18%,对片晶形态具有重要影响.随着Tc升高,PCL晶体的Lc、La及E均逐渐增大,但Lc的变化率最大,这使得结晶度上升.在50℃等温结晶不同时间,发现Lc随延长时间显著增加,而La及E则不断减小.等温10天后,PCL晶体的SAXS谱线上可观察到5级散射,表明片晶相当完善.  相似文献   
999.
利用维纳滤波改善声透镜光声成像系统的分辨率   总被引:1,自引:1,他引:0  
为了克服衍射效应对光声成像系统分辨率的限制,需要采用逆卷积方法进行图像反演.从理论上分析了声透镜成像原理,模拟仿真了声透镜的点扩展函数对声透镜成像系统分辨率的影响和维纳滤波解卷积方法复原光声成像的过程,并利用自搭建的声透镜光声成像系统进行了深入的实验研究,得到了物平面上相距4 mm和3 mm的两个黑胶带点的直接成像光声...  相似文献   
1000.
拉盖尔高斯径向偏振光高数值孔径聚焦特性   总被引:4,自引:4,他引:0  
光波在高数值孔径聚焦下焦点区域光强分布呈现出的特殊性质已经被应用到光学显微成像、微粒控制、光存储等领域中.本文基于矢量Deby衍射理论研究了TM01模拉盖尔高斯径向偏振光经高数值孔径聚焦下焦点区域光强分布.通过调节入瞳半径与光束束腰之比,发现拉盖尔高斯径向偏振光光斑由明亮尺寸小光斑变化成环形中空光斑,并且通过光瞳滤波器...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号