500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备

从双波长激光运转及和频的机理出发，对LD泵浦Nd∶YAG，LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上，为了达到最佳的和频输出，对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后，利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法，通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转，并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW.     

DIELECTRIC EFFECT ON THE RADIO-FREQUENCY CHARACTERISTICS OF A RECTANGULAR WAVEGUIDE GRATING TRAVELING WAVE TUBE

A new type of partial-dielectric-loaded rectangular waveguide grating slow-wave structure (SWS) for millimeter wave traveling wave tube (TWT) is presented in this paper. The radio-frequency characteristics including the dispersion properties, the longitudinal electric field distribution and the beam-wave coupling impedance of this structure are analyzed. The results show that the dispersion of the rectangular waveguide grating circuit is weakened, the phase velocity is reduced and the position of the maximum E _z is basically invariant after partially filling the dielectric materials in the rectangular waveguide grating SWS. Although the coupling impedance decreases a little, it still keeps above 40 Ω.     

薄原子蒸汽膜的双光子光谱及Dicke窄化

薄原子蒸汽膜的单光子Dcike窄化吸收光谱可以拓展到双光子情形，以级联三能级系统为例,从理论上得到了亚多普勒结构的双光子吸收光谱，其线型表现出和单光子过程相似的与膜厚和探测光波长的比值(L/λ)相关的周期性.当L/λ=(2n+1)/2(膜厚为半波长的奇数倍)时，吸收谱线窄化现象明显.当L/λ=2n/2(膜厚为半波长的偶数倍)时，单光子情形的谱线窄化现象消失，而双光子情形的谱线仍表现为亚多普勒结构，尤其在异侧入射的情形下，可以获得极窄的双光子谱线结构. 这种结构来自原子与腔壁碰撞的消激发效应和双光子过程的抽运-探测机制的贡献. 关键词： 薄原子蒸汽膜 双光子光谱 Dicke窄化     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

射频磁控溅射法制备薄膜电池电极的计算机模拟初步

计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。     

溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究

利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键 关键词： 溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性     

矩孔金属光栅矢量模式理论的数值计算

根据矩孔金属光栅的矢量模式理论，计算了不同入射方向，波长及偏振态情况下衍射场的分布，研究了不同光栅结构对衍射效率，偏振态变化的影响；同时，根据实际需要，加工制作了一批不同深度的矩孔光栅样品，进行了实验测量，并将计算值与实验值进行了比较，两者基本相符。     

高温超导薄膜微波非线性研究的进展

文章介绍了高温超导薄膜微波非线性的主要特征，阐述了高温超导薄膜微波非线性产生的原因和相关的研究现状，指出了高温超导薄膜非线性研究中遇到的困难和尚未解决的问题．     

气相传输平衡法在(11-20)面蓝宝石上制备γ铝酸锂膜

为了寻找可能替代蓝宝石作为氮化镓外延的新型衬底,通过48 h的气相传输平衡,分别在1000℃、1030℃、1050℃、1070℃和1100℃制备了一层单相多晶的γ铝酸锂膜。X射线衍射和扫描电镜分别用于表征膜的物相、取向和表面形貌。结果显示,γ铝酸锂择优取向的好坏取决于气相平衡传输温度,在1050℃制备的γ铝酸锂具有高度的[100]择优取向;在γ铝酸锂(001)面上的双轴拉应力可能有助于[100]择优取向的形成;γ铝酸锂晶粒表面裂纹的方向一致性与其择优取向紧密相关。上述结果表明在合适的工艺条件下,气相传输平衡法制备的γ铝酸锂/蓝宝石可能成为一种很有前景且适合(1-100)面氮化镓生长的复合衬底。     

Polarization inscription in ferroelectric (111) PZT and (100) SBT films

Ferroelectric thin films form an equilibrium domain structure compatible with their respective crystallographic symmetry. In tetragonal (111) PZT, 90° domains prevail; in (pseudo-tetragonal) (100) SBT both 90° and 180° domains are present. The size of 90° domains has been measured for e.g., PZT as slabs of 15 nm width. Domain size is a result of stress minimization in the film during the paraelectric (PE) → ferroelectric (FE) transition. A precise and regular domain pattern for (111) PZT and (100) SBT films has been investigated in detail by TMSFM. Single domains can be addressed mechanically with the tip of an AFM. Such single domain switching corresponds to a data storage density of 200 Gbit/inch². Applications of ferroelectric and high- paraelectric materials for e.g., non-volatile data storage replacing DRAM devices or as sensors in infrared cameras are increasingly becoming popular.