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采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献
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The single-longitudinal-mode Nd:GdVO4/RTiOPO4 (RTP) solid-state Green laser operation of a laser-diode (LD) end-pumped laser is realized by multi-cavities and a Brewster plate. The LD-pumped single-frequency green laser has been demonstrated by optimizing several parameters and a cavity length, with precise temperature controlling of Nd:GdV04, RTP and laser diode. When the incident pump power is 2 W at 808.4 nm, a single-frequency cw green laser at 532nm with output 210 m W is obtained, the optical-to-optical conversion efficiency is up to 10.5%. 相似文献
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对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变.
关键词:
Fe/Si多层膜
层间耦合
界面扩散 相似文献
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用溶胶 凝胶法以磷钼酸 (MPA)的镍盐溶液水解钛酸四丁酯制备了NiPMo/TiO2 催化剂 .使用ICP、XRD、TG DTA、IR、TPD MS和微反应技术研究了催化剂的化学组成、热稳定性、化学吸附性质和催化反应性能 .杂多钼酸盐与TiO2 通过O2 -在TiO2 表面发生了键合 .在 6 2 3K下 ,杂多阴离子仍保持原有的Keggin结构 .CO2 在Lewis酸位Ni(Ⅱ )和Lewis碱位Ni-O -Mo的桥氧协同作用下生成CO2 卧式吸附态Ni(Ⅱ )←O - (CO)← (O--Ni) .丙烯有多种吸附态在催化剂上吸附 .在 5 6 3K、1MPa和空速 15 0 0h-1的反应条件下 ,丙烯的摩尔转化率为 3.2 % ,产物MAA选择性为 95 % . 相似文献
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ZHOU Ming-Xiua② YANG Chuna DENG Xiao-Yana YU Wei-Feib LI Jin-Shanb a 《结构化学》2006,25(6):647-652
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S… 相似文献
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用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进. 相似文献
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