分子动力学方法研究纳米摩擦问题

分子动力学方法中忽略了电子相互作用,因而具有高效率,可以从原子水平研究大体系的动态过程。随着计算技术的进步,分子动力学逐渐在纳米工程领域显现了巨大的应用前景。本文综述了利用分子动力学方法从微观角度研究摩擦行为的进展,同时也就其进一步的应用做了展望。     

海藻酸盐凝胶化及其在软骨组织工程和药物控释领域的应用

介绍了海藻酸盐水溶液的凝胶化及其临界行为和松弛临界指数n.提出了将凝胶化按高分子的分子链长短分为生长型和交联型两类,前者为无规交联,符合逾渗连接的条件;后者大分子链间交联,不符合无规逾渗连接的条件.介绍了微囊化细胞载体、预成型支架和可注射支架,能够为软骨细胞提供良好的三维生长环境;通过LbL、二价离子交联等自组装技术,海藻酸能够实现对多种类型药物的包埋和控释.     

嵌入式系统原理课程教学的几点思考

介绍了广西师范大学电子工程学院嵌入式系统原理课程的教学内容、模式,重点讲述实验、实践教学的设计思路和内容,阐述了样机演示以及实例实验对于培养工程能力的重要性。并且在创新基地、创新基金的支撑下,学生通过对创新项目的整体设计,能够有效掌握嵌入式系统软硬件开发的流程。实践证明,这种教学方法能够加强学生的理论知识掌握程度以及工程开发能力。     

二氧化碳探测仪典型透镜支撑结构的设计及分析(英文)

为了降低外界载荷和温度变化对二氧化碳探测仪光学系统透镜面形及共轴的影响,根据系统的特点和技术要求,对其典型透镜的支撑结构进行了研究,设计了一种径向挠性支撑结构并建立了3D实体模型。运用工程CAD分析软件,采用非线性有限元分析方法对其进行了动静刚度特性和热特性仿真分析,验证了支撑结构设计的合理性。分析结果表明,透镜结构组件的一阶固有频率为1 301 Hz;利用面型拟合,得到了各工况下镜面面形误差值为PV≤λ/10,RMS≤λ/50,偏转误差≤1″。该径向支撑结构能很好地保持透镜共轴精度,减小了温度变化对镜面变形的影响,各项结果满足设计要求,证明了结构设计的合理性。     

《发光学报》成为美国《EI》收录源期刊

2010年3月25日,《发光学报》接到EI中国信息部通知:从2010年第1期起正式被《EI》(《工程索引》)收录为刊源。EI作为世界领先的应用科学和工程学在线信息服务提供者,是全世界最早的工程文摘来源,一直致力于为科学研究者和工程技术人员提供最专业、最实用的在线数据、知识等信息服务和支持。《发光     

《发光学报》成为美国《EI》收录源期刊

2010年3月25日,《发光学报》接到EI中国信息部通知:从2010年第1期起正式被《EI》(《工程索引》)收录为刊源。EI作为世界领先的应用科学和工程学在线信息服务提供者,是全世界最早的工程文摘来源,一直致力于为科学研究者和工程技术人员提供最专业、最实用的在线数据、知识等信息服务和支持。《发光学报》进入EI收入系统,对加强我国发光学研究领域及论文作者开展更广泛的国内外交流,提升我国技术人员学术声誉具有积极的促进作用。《发光学报》由中国物理学会发光分会、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所主办,徐叙瑢     

“中国兵工学会2011年光学与光电技术交流会”征文通知

<正>"中国兵工学会2011年光学与光电技术交流会"将于2011年10月举行(会议地点待定)。主办单位:中国兵工学会承办单位:中国兵工学会光学专业委员会光学技术杂志社一、征文内容会议研讨或征文内容:工程光学与光学制造;数控光学加工系统;光学薄膜技术新进展;精密光学测量新进展;新型光学材料及其应用;光电技术及系统;激光物理、技术及应用;全息与光信息处理;颜色科学与成像技术;光纤传感与光通信;生物医学光子学;非线性光学;自适应光学与大气光学。     

中国光学学会2011年学术年会将与光博会同期同地举行 强强联合打造光电盛宴

来自中国国际光电博览会(CIOE)组委会的最新消息,经中国光学学会常务理事会决定,2011年中国光学学会学术年会将于2011年9月5日至8日和第十三届中国国际光电博览会(CIOE2011)在深圳会展中心同期举行。本届会议由中国光学学会主办,中国国际光电博览会、深圳大学和深圳市光学学会联合承办,中国国际光电高峰论坛(CIOEC)协办。《光学学报》、《中国激光》、《中国光电》、《应用光学》等9家光学领域的专业性期刊全程参与报道大会盛况。     

Improved charge trapping flash device with Al2O3/HfSiO stack as blocking layer

In this paper, we investigate an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer of a metal-oxide-nitride-oxide-silicon-type (MONOS) memory capacitor. Compared with a memory capacitor with a single HfSiO layer as the blocking layer or an Al₂O₃/HfO₂ stack as the blocking layer, the sample with the Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer shows high program/erase (P/E) speed and good data retention characteristics. These improved performances can be explained by energy band engineering. The experimental results demonstrate that the memory device with an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer has great potential for further high-performance nonvolatile memory applications.