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本文探讨了影响高速公路沥青路面平整度的因素,就此提出控制其平整度的方法,旨在确保高速公路的施工质量,提高路面使用性能。 相似文献
62.
63.
采用延迟扩散方程[7,9]描述了具有边界吸收条件下,非定常剪切流动中的剪切弥散特性.给出了记忆函数、中心位移函数的控制方程.特例分析结果表明:所采用的模型方程是合理的;边界吸收效应使得纵向浓度分布具有后倾的趋势.这主要是由于边界吸收使得低速强剪切区浓度减少,剪切弥散贡献减少,从而污染物对流速度高于断面的平均速度. 相似文献
64.
因素空间理论与知识表示的数学框架(Ⅸ)──均衡函数的构造与Weber-Fechner特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文是文[1-8]的继续,该文及后续论文仍将系统地研究因素空间理论及其在知识表示中的应用。该文研究均衡函数的构造,并且引入了激励型均衡函数和混合型均衡函数。特别,从混合型变权出发,我们得到与WeberFechner定律一致的综合函数。 相似文献
65.
Kondo Resonance versus Fano Interference in Double Quantum Dots Coupled to a Two-Lead One-Ring System 下载免费PDF全文
We analyse the transport properties of a coupled double quantum dot (DQD) device with one of the dots (QD1) coupled to metallic leads and the other (QD2) embedded in an Aharonov-Bhom (A-B) ring by means of the slaveboson mean-field theory. It is found that in this system, the Kondo resonance and the Fano interference exist simultaneously, the enhancing Kondo effect and the increasing hopping of the QD2-Ring destroy the localized electron state in the QD2 for the QD1-leads, and accordingly, the Fano interference between the DQD-leads and the QD1-leads are suppressed. Under some conditions, the Fano interference can be quenched fully and the single Kondo resonance of the QD1-leads comes into being. Moreover, when the magnetic flux of the A-B ring is zero, the influence of the parity of the A-B ring on the transport properties is very weak, but this influence becomes more obvious with non-zero magnetic flux. Thus this model may be a candidate for future device applications. 相似文献
66.
67.
A threshold voltage model MOSFETs considering for high-k gate-dielectric fringing-field effect 下载免费PDF全文
In this paper, a threshold voltage model for high-k gate-dielectric metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is developed, with more accurate boundary conditions of the gate dielectric derived through a conformal mapping transformation method to consider the fringing-field effects including the influences of high-k gate-dielectric and sidewall spacer. Comparing with similar models, the proposed model can be applied to general situations where the gate dielectric and sidewall spacer can have different dielectric constants. The influences of sidewall spacer and high-k gate dielectric on fringing field distribution of the gate dielectric and thus threshold voltage behaviours of a MOSFET are discussed in detail. 相似文献
68.
以知识为载体突出联系展现思想方法——对“方程的根与函数零点”教学的思考 总被引:1,自引:1,他引:0
如何能够在课堂教学中较为自如地面对不断变革的数学教育,提高课堂教学效益,涉及到多方面的因素. 相似文献
69.
互联网的发展催生了新的文化消费形态,便捷了居民文化消费渠道,涌现出各类新型的文化产品,对居民文化消费产生了重大影响。因此,研究新环境下居民文化消费的影响因素,对促进居民消费结构优化升级,推动文化产业经济快速健康发展具有重要意义。但目前研究还未考虑网络因素对居民文化消费的实际影响,忽视了系统研究新环境下文化消费不同影响因素间交互作用及其在地区间的影响差异和空间效应等。基于此,文章通过纳入互联网发展程度变量,研究了新环境下居民收入、支出、文化消费供给等基本要素对文化消费的单独影响、交互作用影响和综合影响,以及文化消费及其影响要素的区域发展关联性等,从而实现了对文化消费与其影响因素间关系的从时间、空间双层面的完整分析,更深刻的识别了文化消费影响因素的关键作用路径。 相似文献