首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10233篇
  免费   3964篇
  国内免费   3065篇
化学   4713篇
晶体学   1980篇
力学   633篇
综合类   236篇
数学   1183篇
物理学   8517篇
  2024年   83篇
  2023年   329篇
  2022年   323篇
  2021年   321篇
  2020年   246篇
  2019年   340篇
  2018年   219篇
  2017年   327篇
  2016年   366篇
  2015年   432篇
  2014年   864篇
  2013年   671篇
  2012年   741篇
  2011年   737篇
  2010年   714篇
  2009年   817篇
  2008年   941篇
  2007年   817篇
  2006年   845篇
  2005年   730篇
  2004年   805篇
  2003年   671篇
  2002年   642篇
  2001年   485篇
  2000年   368篇
  1999年   392篇
  1998年   334篇
  1997年   477篇
  1996年   344篇
  1995年   289篇
  1994年   234篇
  1993年   243篇
  1992年   280篇
  1991年   222篇
  1990年   255篇
  1989年   216篇
  1988年   59篇
  1987年   33篇
  1986年   10篇
  1985年   14篇
  1984年   6篇
  1983年   12篇
  1982年   4篇
  1980年   2篇
  1979年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
单光子态的产生与测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了通过自发参量下转换产生单光子态的实验研究,使用中心波长425 nm的飞秒脉冲泵浦Ⅰ类非共线相位匹配的BBO晶体,在实验上得到单光子计数率为2.978×10-4,并分析了实验中的相关问题.  相似文献   
42.
风力发电机组变速恒频控制系统研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
全面介绍了一种最新应用于风力发电中的新型电机—无刷双馈电机,并分析了这种新型电机作变速恒频运行的原理并对这种电机进行了动态特性仿真研究,给出了形式简洁的控制方程和易于实现的控制方案。  相似文献   
43.
障碍拟阵图     
Let G be a simple graph and T={S :S is extreme in G}. If M(V(G), T) is a matroid, then G is called an extreme matroid graph. In this paper, we study the properties of extreme matroid graph.  相似文献   
44.
研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu3+掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化,辐照后,未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260~270 nm和320 nm波段产生了附加吸收峰,分别是由F心和O-心的吸收引起的;经过空气退火的纯YSO晶体中,由于消除了氧空位,因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu3+∶Y2SiO5晶体中,不但有相同的F心和O-心吸收峰,而且还有Eu2+离子在300 nm和390 nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加,色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu3+∶Y2SiO5晶体中的色心,而氢气退火能增加色心。  相似文献   
45.
激光晶体YAG中Er3+的辐射跃迁   总被引:2,自引:0,他引:2  
于亚勤  李玫 《发光学报》1989,10(4):271-277
本文讨论和分析了激光晶体YAG中Er3+离子的激光上能级的4S3/2、4I11/2和4I13/2辐射跃迁的有关因素。  相似文献   
46.
Fabrication of Compound Lattice by Holographic Lithography   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Some compound lattices in photonic crystals with large complete photonic band gaps, such as the diamond structure and the two-dimensional hexagonal compound structure, is desired for fabrication. A novel method for fabrication of compound lattices by holographic lithography is reported. The key point is phase modulation by photoelectrical control and multiple-exposure techniques. This technique introduces many advances: for instance,using the same coherent beams and without changing the position of the sample during multiple-exposure.  相似文献   
47.
分析和计算了双结超导环在无偏置电流时的磁通、环流、自由能与外磁场的关系.发现双结环与单结环在磁场中的行为有所不同.当两个结的Ic相等时,双结环在1<β=2πLIcΦ0<2时,若无偏置电流,总磁通Φ、环流I与外磁通Φe的关系仍然是非回滞的曲线.仅当β≥2时,曲线才出现回滞.另外双结环有两支解,并且每支解的周期为2Φ0. 关键词: 双结环 双支解 2Φ0周期 回滞  相似文献   
48.
We report that the measurements of the pyroelectric current of the pre-poled [111]-oriented 0.955 Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-0.045 PbTiO3 (PZN-4.5%PT) single crystals can shed some light on the phase transition and spontaneous polarization characters of this material in a similar way to measures of remanent polarization and dielectric properties. The pyroelectric current is measured and the corresponding spontaneous polarization is calculated as a function of temperature with various poling fields added during cooling the sample from 200℃ to room temperature. Critical electric field of 0.061 k V/cm is found to be essential to induce the intermediate ferroelectric orthorhombic phase between the ferroelectric rhombohedral and tetragonal phases. Below the critical field, the polarization increases almost linearly with the increase of poling field. At the critical field, the polarization at 30OC increases abruptly from 14μC/cm^2 for a poling field of O.06kV/cm to 29.5μC/cm^2 for a poling field of 0.061 kV/cm, and afterwards, increases slowly and saturates to 31 μC/cm^2 for poling fields beyond 0.55 kV/cm.  相似文献   
49.
50.
磺酸双氢麦角毒碱(Co-dergocrine mesvlate,Hydergine)又名喜得镇、舒脑宁,我国将其列为国家基本药物.目前,测定甲磺酸双氢麦角毒碱的分析方法,主要有荧光分光光度法、可见紫外分光光度法、免疫分析法,但未见文献报道过化学发光法测定甲磺酸双氢麦角毒碱的研究.作者发现,在碱性条件下,过氧化氢直接氧化甲磺酸双氢麦角毒碱不会产生化学发光,但当高碘酸钾和甲磺酸双氢麦角毒碱混合反应后,再加过氧化氢氧化会产生较强的化学发光,且发光强度与甲磺酸双氢麦角毒碱的浓度在一定范围内有良好的线性关系,据此建立了流动注射化学发光测定甲磺酸双氢麦角毒碱的新体系.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号