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41.
β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究   总被引:5,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.  相似文献   
42.
英国《新科学家》杂志日前刊载文章称,新一代X射线激光器能用于研究蛋白质和其他生物分子的构造和行为。新一代X射线激光器的能量将是现有设备的100亿倍,能使科学家观察到最微小最精妙的分子构造。利用这种技术可以破解复杂的蛋白质和完整的病毒结构,甚至可能获得DNA的三维图像。X射线激光器被称作自由电子激光器。与传统激光器不同,自由电子激光器并不是通过光照或电流刺激某种物质发射光子,而是使用粒子加速器让极小的电子云穿过磁铁组,这些磁铁把电子推来推去,直到电子释放出光脉冲。传统激光器的激光波长是由发射光子的物质本…  相似文献   
43.
关于康托集类光栅的实验探究   总被引:1,自引:1,他引:0  
赵国俭  张莲莲 《物理实验》2006,26(4):9-11,18
设计制作了康托集分形衍射光栅,通过对康托集分形光栅3个阶段的夫琅禾费衍射现象的观察,根据惠更斯-菲涅耳原理,得到了一维康托集分形光栅的夫琅禾费衍射光强分布特性.  相似文献   
44.
β-MnO2高压相的从头计算模拟   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 基于密度泛函理论(DFT),用完全势能线性缀加平面波方法(FPLAPW)计算模拟了MnO2的同质多相变体(金红石型结构、CaCl2型结构、黄铁矿型结构),通过计算,预测了β-MnO2在5 GPa时从金红石型结构转变为CaCl2型结构,在20 GPa时进一步转变为黄铁矿型结构。另外,还总结和比较了几种金红石型结构二氧化物的压致相变特点,得出第Ⅳ主族元素的金红石型结构氧化物有很好的规律性,发生的相变序列基本一致;并随着金属阳离子半径的增大,发生相变的压力值也相应地递减,各氧化物的体积模量值相应地减小。  相似文献   
45.
 提出了一种适用于环板结构的计算等效相对介电常数的方法,利用变分法导出了介质加载环板慢波结构的色散方程和耦合阻抗表达式。计算结果表明,介质加载能够有效降低环板慢波结构的工作电压。计算结果与CST-MWS的模拟结果吻合良好,说明所提出的计算等效相对介电常数的方法和计算色散方程的方法对环板慢波结构是切实可行的。  相似文献   
46.
FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.  相似文献   
47.
我国上市公司资本结构决策的实证研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
本在已有资本结构理论研究成果的基础上,对30家沪市上市公司的资本结构进行了实证研究,提出了在我国资本市场环境下优化企业资本结构的对策建议。  相似文献   
48.
烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型,得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据.将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合,得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。  相似文献   
49.
设X是p一致凸Banach空间,具有弱一致正规结构与非严格的Opial性质.又设C是X的非空凸弱紧子集.在适当的条件下,证明了C上每个渐近正则半群T={T(t):t∈S}都有不动点进一步,在类似的条件下,也讨论了一致凸Banach空间中渐近正则半群的不动点的存在性.  相似文献   
50.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。  相似文献   
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