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181.
用 界面元来连接纤维与基体,利用界面元的力学特征来模拟纤维与基体的粘结特性,计算了纤维单向周期排列的多层板在横向载荷作用下的应力分布问题,计算结果表明,中间相力学特征的变化对纤维和基体的应力分布有明显的影响。 相似文献
182.
简要地阐述了同步辐射的优越性,介绍了国家同步辐射实验室光电子能谱站与光束线的设备,综述了国内主要用主站工作人员在金属/半导体界面等方面所开展的工作和一些结果。 相似文献
183.
184.
ZhuJianxin 《高校应用数学学报(英文版)》2000,15(4):443-452
In this paper, a local orthogonal transformation is created to transform the Helmholtz waveguide with curved interface to the one with a flat interface within the two-layer medium, and the Helmholtz equation uxx uzz k^2(x,z)u=0 is transformed to Vxx αVzz βVz γV=0. Numerical results demonstrate that the transformation is more feasible. This transformation is particularly useful for the research on wave propagation in acoustic waveguide. 相似文献
185.
186.
有机半导体多层薄膜器件的性质很大程度上由有机-有机界面的传输性质所决定,但是现有的关于有机-有机界面的分析模型很难适用于实际器件的模拟.以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,充分考虑有机-有机界面和金属-有机界面性质的不同,建立了一个新的描述有机-有机异质界面电荷传输的解析模型.结果表明有机异质界面的载流子传输不仅取决于界面的肖特基势垒,而且还取决于界面附近两边的电场强度和载流子浓度.此模型可用于有机半导体多层薄膜器件的电流密度、电场分布和载流子浓度分布的自洽计算.
关键词:
有机半导体
界面
载流子传输 相似文献
187.
利用第一性原理中的DFT理论研究了Fe/Al界面的能量学和电子结构,讨论了替位型掺杂的元素Zn、Mn、Ni在Fe/Al界面处的作用.结果表明:元素Zn、Mn、Ni都会优先替换界面处的Fe原子,使得界面结合能增加,体系更稳定,有利于界面的结合;跨界面的Fe原子与Al原子之间的电荷布居、键长以及差分电荷密度图的计算表明:掺杂后有利于跨界面的Fe-Al间成键,从而加强了Al层与Fe基体的结合,且结合强度由强到弱依次为:掺Zn>掺Mn>掺Ni;与实验比较吻合.最后对掺杂Zn的增韧机理加以解释. 相似文献
188.
189.
采用有限元方法对钼基体上不同厚度(20~1 000 μm)金刚石膜的热残余应力进行了全面的模拟与分析,得出了它们在膜内分布的等值线图,研究了金刚石膜厚度尺寸对整个膜内的最大主拉应力和界面处每个应力分量最大值的影响。结果表明:在整个膜内,最大主拉应力的位置出现在膜的表面、界面或侧面,其值随膜厚度的增加而增大;在界面处,最大轴向应力随膜厚度的增加而增大,而最大径向压应力、最大周向压应力和最大剪应力则随膜厚度的增加而减小,其中最大剪应力减幅较小;膜厚度越大时,以上各量随厚度增(减)的速度越慢。其结论对于在金刚石膜的制备中合理地选择厚度、有效地进行应力控制有一定的参考价值。 相似文献
190.
Organic Light Emitting Diodes with an Organic Acceptor/Donor Interface Involved in Hole Injection
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Organic light emitting diodes with an interface of organic acceptor 3-, 4-, 9-,10-perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA) and donor copper phthalocyanine (CuPc) involved in hole injection are fabricated. As compared to the conventional device using a 5 nm CuPc hole injection layer, the device using an interface of 10nm PTCDA and 5 nm CuPc layers shows much lower operating voltage with an increase of about 46% in the maximum power efficiency. The enhanced device performance is attributed to the efficient hole generation at the PTCDA/CuPc interface. This study provides a new way of designing hole injection. 相似文献