光盘阵列系统的一种性能优化方法

提出了一种用低性能驱动器组建高性能光盘阵列系统性能的优化方法。针对传统的低性能光盘驱动器(驱动器内部数据传输率及接口速率均较低),提出了一种新型的数据传输模式。采用此优化方法可以使光盘阵列系统的整体性能得到较大地提高。同时还可以提高系统整体的性价比。     

CH3S CH2SH异化反应的理论研究

利用密度泛函理论(DFT)和从头算(ab initio)研究了CH3S←→CH2SH互异化的反应机理．采用HF、B3LYP、MP2理论水平和中等基组6-31(d)，计算了CH3S、CH2SH及其过渡态的结构参数、谐振频率、零点能(ZPF)、总能量和相对能量，并利用B3LYP／6-31(d)的方法计算了反应的内禀反应坐标(IRC)，给出了分子构型和自旋污染沿反应坐标的变化曲线，以及最小能量曲线(MEP)、绝热能量曲线．此外，利用传统过渡态理论(CTST)研究了该互异化反应的速率常数和平衡常数在200～1000K的变化．     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

生长曲线模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布

对于生长曲线模型,基于理论发展和应用效果的考虑,本文引入了Gauss型误差．在此误差下,本文研究了模型中回归系数阵的极大似然估计的精确分布,求出了此分布的密度和特征函数．     

Mn^22＋电子碰撞激发截面和速率系数

采用Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｒｏｎ交换近似，在Ｚ标度类氢模型下计处了“水窗”波段Ｍｎ＾２２＋离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更有效地考虑碰撞过程中电子的关联和相对论效应，在计算中对有效核电荷的计算作了修改。     

粒径和流速对吸附速率的影响

本文主要考察了吸附剂的粒径大小及动态循环时流速大小对吸附速率的影响，根据膜扩散限制和孔隙扩散限制的理论模型对其影响作了定量描述。     

跳浓弛豫法研究钇与DBC-偶氮氯膦配位反应

推荐一个用跳浓弛豫法测定钇与DBC 偶氮氯膦配位反应的表观速率常数的实验 ,该实验方法和原理简单 ,知识内容丰富 ,可以提高学生学习物理化学的兴趣 ,加深学生对快速反应课堂教学内容的理解和基本概念的掌握     

取代硫脲化合物对作物的生长调节作用

取代脲类化合物已广泛用作除草剂、杀虫剂、杀鼠剂。根据结构活性关系,亦对烯丙基、甲基、二芳基取代硫脲衍生物的植物生长调节活性进行了研究。本文合成了3类取代硫脲化合物:R_1NHCSNHR_2,其中:R_1=苯基,α-萘基,叔丁基,R_2=α-苯基乙