ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

SA耐火材料多晶结构与性能的研究

本实验采用磨具废砂和炉皮SiC废砂生产SA耐火材料，通过XRD分析和计算机处理确定各试样中的晶相（4H－SiC，33R－SiC，3C－SiC，α－Al2O3，β-石英和Al6Si2O13）及其各相的含量。通过材料性能与结构综合分析，确定较好的配方，其含量：磨具废砂50％，炉皮砂45％，结合剂5％，外加矿化剂2％。     

多晶顺磁共振谱的拟合

对电子自旋1/2≤S<3.5,核自旋1/2≤I<4.5和配体少于10个的顺磁体系的多晶EPR谱的拟合进行研究。在VAX-11/785计算机上用FORTRAN语言建立EPR谱模拟程序包,计算了多个例子,获得较为满意的结果。     

多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。     

高压下ZnS荧光材料中锰与稀土的相互作用

本文系统地研究了高压条件下,硫化锌荧光材料中锰离子与稀土离子的相互作用。发现由于压力的作用,使锰离子和稀土离子的发光峰值均发生红移,尤以锰离子更为明显。本文较详细地讨论了引起峰值移动的原因。另外压力改变了锰离子和稀土离子之间的相互作用距离,从而使它们之间的能量传递几率增大。     

硫化物纳米级粒子化膜的形成与气相性质的影响

采用偏振光反光度、紫外及可见光谱、电子显微镜形貌观察、粒子大小测定及电子衍射等方法加以系统研究硫化锌纳米级粒子化膜的制备与气相性质的影响．     

多晶Hg0.09Cd0.91Te薄膜的光电化学行为

富镉Hg_(1-x)Cd_xTe是一种新型的光电转换材料,已用于固体结太阳能光伏电池:ITO/CdS/Hg_(1-)Cd_xTe/Au。我们曾对Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积机理作过研究。最近我们用电沉积制备的Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te多晶薄膜做成了液体结太阳能光电化学电池并观察到明显光电响应。     

半导体硫化锌纳米微粒的合成与表征

采用液相均沉淀法,用不同原料(采用不同硫源或金属离子螯合剂)从3个途径合成了不同粒径的半导体ZnS纳米粒子,并用透射电子显微镜、X射线粉末衍射仪对粒子进行表征.     

晶界在多晶ZrO2基固体电解质中的作用

在实验的基础上将ZrO₂基固体电解质的晶界分为三类:“清洁”晶界、含非晶相的晶界和含晶态相晶界,并分析了各类晶界的形态与性质,其中根据有效介质理论的计算,晶态晶界相的电导率约为基体的三倍,因而据此提出了一个运用“晶界工程”进一步提高ZrO₂导电性的方法。用理论模型分析了各类晶界对ZrO₂氧传感器输出电势的影响。 关键词：