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81.
本在分析经济增长的技术进步因素的希克期中性假定的基础上,利用势分析方法提出了中性假定的一般性,并计算了我国改革开放以来技术进步对经济增长贡献率。  相似文献   
82.
83.
84.
We consider an optimal growth (multi-sector) model with nonconvex technology. Using the Clarke results on generalized gradients, we prove that the value function has left and right derivatives with respect to the initial capital stock, without requiring supermodularity assumptions.  相似文献   
85.
1IntroductionIntillspaper,weare(follccrlledwitlltileexistellccofPositly(tsollltiollsoftilefollowillgnonhonlogelleousellipticProblclll:whereg(x)EL'(R'),g(:v)Z0alldg(x)t0,f(x,t)=h(x,t).hi=withb>0,h(x,t)EC(R=xR,R)alldtilefollowing(CI)-(C3)11old:(CI)sliphillM0.linljfl- x,h(T,t)(t--if-=011llif'orllllyforxeR2.hill}t:l-:,t)(axle(~ltJ')= lx,11lliforllllyl'Ora:6RZ.ltl~la(C3)ThereexistM>0,aE(0,1]sucllthatFOllowing[1,5],wesaythatf(x,t)=h(x,f…  相似文献   
86.
Ahn  In-Ae  Woong Kim  Sang  Ro  Seonggu 《Molecular diversity》1998,4(1):23-24
Peptides containing azaglycine located terminally or within the backbone have been prepared in the solid phase by means of an automatic synthesizer.  相似文献   
87.
Two types of mechanisms are proposed for mound coarsening during unstable epitaxial growth: stochastic, due to deposition noise, and deterministic, due to mass currents driven by surface energy differences. Both yield the relation H=(RWL)2 between the typical mound height W, mound size L, and the film thickness H. An analysis of simulations and experimental data shows that the parameter R saturates to a value which discriminates sharply between stochastic () and deterministic () coarsening. We derive a scaling relation between the coarsening exponent 1/z and the mound-height exponent which, for a saturated mound slope, yields . Received: 11 November 1997 / Revised in final form: 28 November 1997 / Accepted: 28 November 1997  相似文献   
88.
许多乙酰芳胺类化合物具有优异的生物活性,例如除草剂苯噻草胺,可抑制细胞生长和分裂,防除稻田中禾本科杂草[1];杀菌剂甲霜灵可防治作物霜霉病[2]。本文将具有多种生物活性的嘧啶基团引入到乙酰芳胺结构中[3],合成下列10个未见文献报道的标题化合物Ⅰ,通...  相似文献   
89.
在水热晶化合成一系列NASICON型化合物的基础上,应用固体高分辨31P和29Si MAS NMR,研究了几种NASICON化合物的结构,观察其骨架原子P和Si在结构中的状态及分布,并解释了由于在结构中发生取代作用而引起,Si或P的化学位移的变化.  相似文献   
90.
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