首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1399篇
  免费   152篇
  国内免费   613篇
化学   1793篇
晶体学   46篇
力学   31篇
综合类   19篇
数学   16篇
物理学   259篇
  2024年   1篇
  2023年   14篇
  2022年   46篇
  2021年   65篇
  2020年   55篇
  2019年   48篇
  2018年   42篇
  2017年   51篇
  2016年   59篇
  2015年   47篇
  2014年   67篇
  2013年   119篇
  2012年   89篇
  2011年   121篇
  2010年   78篇
  2009年   89篇
  2008年   107篇
  2007年   138篇
  2006年   116篇
  2005年   132篇
  2004年   91篇
  2003年   115篇
  2002年   63篇
  2001年   81篇
  2000年   64篇
  1999年   42篇
  1998年   31篇
  1997年   44篇
  1996年   32篇
  1995年   28篇
  1994年   28篇
  1993年   14篇
  1992年   12篇
  1991年   8篇
  1990年   8篇
  1989年   4篇
  1988年   2篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1983年   4篇
  1982年   1篇
  1978年   2篇
排序方式: 共有2164条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
应用同步辐射小角x射线散射方法研究了由不同城市固体垃圾制备而成的活性炭的孔结构-结果发现利用木类、纸张、塑料这三类典型垃圾组分的热解残余物为原料制备中孔发达的活性炭是可行的-活性炭的形态和结构取决于垃圾热解残余物的组分和热解程度等因素- 关键词: 小角x射线散射 活性炭 分形维数 平均孔径  相似文献   
12.
Nanoporous alumina membrane prepared by anodic oxidation using sulfuric acid electrolyte was subjected to TG-DTA and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS or ESCA) to further study the distribution of sulfur. In XPS study, Ar+ ion bombardment was performed on the sample to etch the surface at a rate of 3 nm min-1. As a result, sulfur was found to be concentrated within a depth of 3nm from the surface. The S content of the surface was found to be 2.7±0.5 wt%, and that at a depth of ca. 3 nm and ca. 10 nm was found to be as low as about 0.6±0.11 wt% (5.37±1.0 wt%→ 1.26±0.2wt% SO2). In TG-DTA, the mass loss of 7.3% was in fair agreement with that calculated on XPS results (7.1±1.2%). This revised version was published online in July 2006 with corrections to the Cover Date.  相似文献   
13.
The Ni/CeO2-ZrO2-Al2O3 catalyst with different Al2O3 and NiO contents were prepared by hydrothermal synthesis method. The catalytic performance for CO2 reforming of CH4 reaction, the interaction among components and the relation between Ni content and catalyst surface basicity were investigated. Results show that the interaction between NiO and Al2O3 is stronger than that between NiO and CeO2-ZrO2.The addition of Al2O3 can prevent the formation of large metallic Ni ensembles, increase the dispersion of Ni, and improve catalytic activity, but excess Al2O3 causes the catalyst to deactivate easily. The interaction between NiO and CeO2 results in more facile reduction of surface CeO2. The existence of a small amount of metallic Ni can increase the number of basic sites. As metallic Ni may preferentially reside on the strong basic sites, increasing Ni content can weaken the catalyst basicity.  相似文献   
14.
1-Benzopyran-4(4H)-one derivatives have been successfully employed as novel activated alkenes in the Baylis-Hillman coupling with heteroaromatic-aldehydes, nitrobenzaldehydes and isatin-derivatives and the corresponding adducts, derived from pyridine-2-carboxaldehyde, have been transformed into a novel indolizine-fused-chromone framework.  相似文献   
15.
武森涛  储伟  崔名全 《合成化学》2003,11(3):257-259,266
以改性活性炭担载的Pt为催化剂催化硝基苯经加氢重排一步合成对氨基苯酚,收率54.70%,选择性可达91.40%。  相似文献   
16.
介绍了以活性炭为载体的负载型杂多酸催化剂的研究进展,包括制备方法、影响负载量的因素、负载催化剂的性质、吸附模型和脱附作用。总结了杂多酸在活性炭上的吸附形态研究以及杂多酸与活性炭表面含氧基团的化学键合作用的研究成果,展望了该催化剂未来的研究方向。  相似文献   
17.
超临界co2中模板法制备氧化铝多孔材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
超临界co2;活性炭;模板;氧化铝;多孔  相似文献   
18.
杨琪  邓意达  胡文彬 《无机化学学报》2007,23(12):2049-2053
采用聚乙烯醇对碳纳米管表面进行改性,通过化学沉淀法将Al(OH)3均匀沉积在碳纳米管表面,然后在氮气气氛下于500 ℃煅烧2 h,制备出氧化铝/碳纳米管复合材料。采用TEM、TG、DTA、XRD、IR、氮吸附脱附(比表面积及孔结构分析)等对氧化铝/碳纳米管复合材料进行表征,结果表明:未经聚乙烯醇改性的碳纳米管,氧化铝与碳纳米管相互分离;经聚乙烯醇改性的碳纳米管,氧化铝与碳纳米管结合良好。经聚乙烯醇改性的碳纳米管表面均匀覆盖一层聚乙烯醇膜,通过聚乙烯醇的吸附作用, Al(OH)3沉积在碳纳米管表面形成一层连续的覆盖层。  相似文献   
19.
磷酸镧铈钺荧光体微波热效应法合成和发光性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
李沅英  王Min 《应用化学》1996,13(3):72-74
  相似文献   
20.
氧化铝具有许多重要的工业用途,而制备高热稳定活性氧化铝的技术也在不断地发展[1,2],因此,研究其高温烧结下的相变过程很有意义.离子深法作为新型测试手段,已成功地用于生物大分子结构与功能研究方面[‘],而在固体材料测试中的应用尚未见报道.我们以EU’“作为荧光探针,并结合**D和*nR研究了川对。在不同烧结温度下的相变过程.1实验部分样品的制备采用复盐分解法.先将Elf刀s用高纯硝酸溶解定容.以占AlzO。重量1%的量加入到硫酸铝锭溶液中,进行超声处理,冷冻干燥.再依次登于900”C、1000C、1100C、1200C的高温炉…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号