一种新的$1/f$过程小波模型

给出了一种新的二进小波1/f过程模型,从理论上证明了一类谱指数为H的近似1/f过程可通过一簇平稳随机过程产生.由于所提方法利用了1/f过程小波系数的相关性,因而有效地减少了合成1/f过程的谱误差.数值实验结果表明,新模型很好地改进了已有模型.     

用AT89C51单片机和MAX505 DAC研制的程控信号源

本文介绍了用单片机AT89C51和MAX505 DAC制作程控信号源的原理,并在其中对AT89C51单片机和MAX505 DAC的工作原理及特性,怎样用单片机的中断控制和串行接口控制作为重点给予了阐述。     

氯代5-氟脲嘧啶卟啉的红外光谱特性的研究

本文对新合成的对位及间位两类氯代苯基 5 氟脲嘧啶卟啉的红外光谱吸收峰进行了归属和总结 ,讨论了其红外吸收频率随取代基位置变化的规律。指出了苯环上的取代基为电负性强的基团时 ,由于场效应的存在 ,使被测化合物的羰基伸缩振动吸收峰的相对强度发生改变。同时 ,表明了嘧啶环上N原子发生了取代 ,形成单、双取代 5 氟脲嘧啶卟啉化合物的红外光谱特性。     

Co(NH3)6Cl3中钴含量的测定

在现有的一些无机化学实验教材中,配合物Co(NH_3)_6Cl_3中钴含量的测定采用碘量法,其实验结果常因“重蓝”现象而偏高,学生操作越慢或越细致,其结果越偏高,因而影响教学效果。经我们试验,在酸性介质中,用H_2O_2或盐酸羟胺做还原剂将Co(Ⅲ)还原为Co(Ⅱ),采用配位滴定法(返滴或直接滴定)可获得满意的结果。     

J/ψ衰变到重子、反重子对中SU(3)对称性破坏的研究

利用粒子数据手册(PDG2004)公布的J/ψ衰变到重子、反重子对(BB)各个衰变道分支比的平均值, 对重子八重态的SU(3)对称性重新做了分析. 研究了J/ψ→BB中电磁相互作用和强相互作用的干涉. 得到了在J/ψ→BB中SU(3)单态、电磁 相互作用和SU(3)破坏各个因素所占的大小.     

Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films

Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.     

ZnSe/SiO2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究

采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术，制备了ZnSe/SiO₂复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌，结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒，也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ，Δ与波长λ的关系，采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS 关键词： 2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO₂复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱