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微腔激光器的发展与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文探讨了微腔激光器的分类、基本原理及特点,并简单介绍了目前几种微型激光器的发展及应用。 相似文献
42.
氩气介质阻挡放电的发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文使用水电极介质阻挡放电装置,采用光学方法测量了氩气介质阻挡放电的发光特性。发现在驱动电压处于一定的范围内时,放电处于丝极模式,在驱动电压的每半周期内,无论是放电的总光还是单个微通道的放电发光均只有一次脉冲,单个微放电的时间为2μs,而总放电时间为2.4μs,这表明在氩气的丝极模式中,各单丝产生与熄灭的时间极其接近,各个放电丝之间有着很好的时间相关性。最后将本文的结果与空气中介质阻挡放电丝极模式的发光特性相比较,空气放电在每半周内的总光信号由多个脉冲组成,而每一个脉冲对应多个放电丝,因而氩气中各个放电微通道之间的时间相关性远强于空气的情况。 相似文献
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成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加,当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时,其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ/IPDDOPV分别为1.092、1.329、1.605、2.046。换句话说,该器件的发光颜色是压控可调的,这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ/IPDDOPV受电压控制的原因。 相似文献
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为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
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采用蒙特卡罗方法,对EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。给出了由氢原子谱线测定电子平均能量的方法,结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均能量,进而可以有效地控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。 相似文献
47.
Applied Biochemistry and Biotechnology - 相似文献
48.
掺杂对碳纳米管拉曼光谱及场发射性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用高温热解法在860℃分别制备出了镓、氮以及硼和氮掺杂的碳纳米管,提纯后利用丝网印刷工艺分别将它们制备成薄膜,并测试了它们的拉曼光谱与场发射性能。测试结果表明,掺杂纳米管的缺陷密集度比纯碳纳米管明显增大,而它们的场致电子发射性能则与掺杂元素的性质密切相关。镓和氮掺杂的纳米管均具有非常优异的场发射性能,而硼和氮共掺杂的纳米管的场发射性能很差。掺杂引起碳纳米管费米能级附近能态密度的变化及功函数的降低是其具有优异场致电子发射性能的主要原因。 相似文献
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