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71.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
72.
孪晶型阻尼材料已被实际应用,(011)孪晶通过fcc-fct马氏体相变形成,而γMn基合金中,马氏体相变又与合金的反铁磁转变密切相关.因此研究γMn基孪晶型阻尼材料,无疑必须探讨反铁磁转变与一级马氏体相变的之间关系,反铁磁转变和马氏体转变对孪晶形成的作用.本文通对富锰的γMn基合金(Mn-Cu,Mn-Fe,Mn-Ni)的内耗和模量的测量,研究这二类相变在不同材料,不同成分合金中的耦合的机制,以及反铁磁转变和马氏体相变对孪晶形成的作用.结果显示,马氏体相变和反铁磁转变耦合或马氏体相变与孪晶阻尼峰耦合都可以获得材料的高阻尼性能.当锰含量较高时,反铁磁转变和马氏体相变发生耦合,或马氏体相变内耗与孪晶内耗叠加,在室温附近形成高内耗阻尼;当锰含量较低时,马氏体相变温度降到室温以下,反铁磁转变形成的微孪晶亦能产生内耗阻尼峰. 相似文献
73.
掺Eu3+硅基材料的发光性质 总被引:9,自引:5,他引:4
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。 相似文献
74.
20 0 2年 8月 12日的Phys .Rev .Lett.第 89卷第 0 75 5 0 2页上发表了Petkov等的论文“渗入Cs的ITQ - 4沸石 (Zeolite)的结构 :在膺一维空隙中的金属离子列和相关的电子” ,文中发展了X射线原子对分布函数 (PDF)方法 .这种结构可以发展成为应用广泛的新的电极材料 .沸石ITQ - 4是一种由SiO4四面体为骨架的网格状硅酸盐 ,其中的空隙尺寸略小于1nm ,允许尺寸小于它的分子通过 ,因此它也是一种分子筛 .沸石原来是晶态 ,渗入Cs后则处于晶态和非晶态之间的中间状态 ,其中的晶态部分产生X射线布拉格… 相似文献
75.
76.
77.
改进形态学相关算法以识别高相似度灰度图像 总被引:3,自引:3,他引:0
从形态学角度定义了灰度联合图像相似度,提出两种基于位表示法形态学相关算法的改进算法,通过提取位表示法的图像片边缘特征或二元化位表示法的图像片功率谱,以提高位表示法形态学相关算法对高相似度灰度图像的识别能力。 相似文献
78.
79.
80.