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991.
将V2O5溶胶电泳沉积在ITO导电基片上制备V2O5薄膜.运用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构进行分析,通过紫外-可见光透射光谱和循环伏安法分别测试其光学和电化学性能.实验结果表明,电泳沉积V2O5薄膜具有致密的显微结构,薄膜厚度均匀、与基片的粘附性很好;循环实验中,薄膜呈现黄色到绿色的可逆变化,最大的透射率变化达到30%左右;薄膜具有很好的注入/退出可逆性和循环稳定性,50次循环效率仍能达到88.02%,并且循环后的薄膜与ITO导电玻璃的粘附性仍然很好,没有溶解现象;应用交流阻抗法计算Li+在V2O5薄膜着色过程的扩散系数为5.10×10-12cm2/s,表明该薄膜可以作为电致变色材料得到应用. 相似文献
992.
采用改进的溶胶-凝胶方法在单晶Si(100)衬底上制备了介电性能优异的(Ba0.7Sr0.3)TiO3/LaNiO3异质薄膜.实验发现,在750 ℃下 、O2气氛中晶化的LaNiO3薄膜的电阻率最小.C-V与I-V特性测量表明(Ba0.7Sr0.3)TiO3薄膜具有优异的介电性能,在频率为50kHz、零偏压下的相对介电常数εr>300,偏压为6V时漏电流密度JL<1.2×10-6A/cm2.
关键词:
xSr1-x)TiO3铁电薄膜')" href="#">(BaxSr1-x)TiO3铁电薄膜
3底电极')" href="#">LaNiO3底电极
溶胶-凝胶法 相似文献
993.
利用电化学方法在室温下成功地沉积了类金刚石(DLC)薄膜和非晶CNx薄膜,并 对制备条件进行了讨论.通过扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱技术,分析了薄膜的表面形貌和化学结合状态.场发射测量结果表明:DLC膜和非晶CNx的开启场分别为88和 10V/μm;并且在23V/μm的电场下,DLC膜和非晶CNx膜的发射电流密度分别达到10 和037mA/cm2.
关键词:
电化学沉积
类金刚石薄膜
x薄膜')" href="#">CNx薄膜
场致电子发射 相似文献
994.
不同形貌氧化锌纳米棒的CVD法制备及生长机制讨论 总被引:3,自引:0,他引:3
采用CVD技术制备了不同形貌的ZnO纳米棒.并利用XRD、SEM、能谱仪、荧光光谱仪对比研究了其表面结构、成份、相结构及光致发光特性.结果表明,样品形貌随着沉积位置的变化而变化,其生长遵循金属自催化机制.并且表明离子化氧空位的存在有利于ZnO的绿光发射. 相似文献
995.
相干光波必有平行电振动分量的演示 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了几种证实相干光波必有平行电振动分量的演示实验,比较直观,有较好的效果. 相似文献
996.
997.
将晶核析出的Avrami 方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变. 根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射. 为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化. 数值模拟结果表明,在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化,这一结果已被实验所证实.
关键词:
电迁移
Al互连
电阻变化 相似文献
998.
从电磁统一到电弱统一 总被引:1,自引:0,他引:1
概括介绍从“电磁统一”到“电弱统一”的研究历程,并指出这一研究的科学意义以及可能给予后继研究者在科研方法上的启示. 相似文献
999.
研究了导H^+离子全固态电致变色器件性能退化摧在机制,发现有两个因素导致器件性能退化,在器件褪色过程中,存在于WO3薄膜中的水份将导致OH^-在WO3中积累而在其中产生碱性环境,WO3溶于碱性环境而生成钨酸盐,在较高电压作用下H2O电解释放出气体H2和O2而使膜层剥落,通过改进器件结构和改善制备工艺条件,获得了光学密度高达0.5,着色/漂白(Color/Bleach)循环次数高达10^6以上的性能 相似文献
1000.
p型硅片上激光诱导局部化学沉镍 总被引:1,自引:0,他引:1
在以肼为还原剂的碱性化学镀镍溶液中实现p型单晶硅片上激光诱导微区化学沉镍,讨论了激光能量、照射时间对镍沉积层的影响,使用SEM、AES和RBS等方面对镀层的形貌、性质进行了分析。激光诱导化学沉积得到了均匀致密、结合力好的纯镍镀层。镀层与基体间具有Schottky接触特性。 相似文献