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71.
煤粉在热分解过程中比表面积和孔隙结构的变化   总被引:17,自引:7,他引:17  
用氮气等温吸附(77K)方法测量了四种不同煤粉在热分解过程中的BET比表面积和孔隙结构。结果表明,不同煤种的比表面积在热分解过程中其变化有着相似的规律。在热分解温度低于500℃时,煤粉所释放的挥发份主要来自煤粒外表面。当热分解温度高于500℃后,煤粉释放出的挥发份主要来自煤粒内部深处。在800℃时,由于煤的塑性,煤粒的部分孔减小和关闭,使其比表面积以及孔隙明显减少。在热分解温度高于850℃后,煤粉的比表面积随温度升高而急剧增大。  相似文献   
72.
用WAXD和SAXS研究交联1,4-顺式聚丁二烯的取向结晶。结果表明:该试样在拉伸状态时,形成折叠链片晶,而不是伸直链纤维晶。片晶之间断产生新的片晶,使长周期减小,并且片晶的横向尺寸不断增大,由此导致结晶度增大。  相似文献   
73.
Sr/Ca比变化对红色荧光粉Ca1-xSrxS:Eu^2+的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在CO气氛下采用固相反应法合成了发红光的Ca1-xSrxS:Eu^2 荧光粉,研究了基质阳离子Sr/Ca比变化对其晶体性质及发光性能的影响。结果表明,随着Sr/Ca比的减少,荧光粉的晶胞参数逐渐降低;同时,由于受电子云膨胀效应和晶体场影响,发射主峰向长波方向移动,红色比逐渐增大,色纯度提高。  相似文献   
74.
铂/L分子筛重整催化剂烷烃芳构化反应机理   总被引:4,自引:0,他引:4  
铂/L分子筛新型重整催化剂具有碱性、单功能与独特的孔结构。与双功能催化剂对比,它对n-C_6~n-C_8直链烷烃有极高的芳构化活性和选择性,其芳构化机理可能与双功能催化剂不同。本文应用正己烷(n-C_8)、正庚烷(n-C_7)、正辛烷(n-C_8),2-甲基己烷(2MHx)、甲基环戊烷(MCP)等探针分子,在脉冲微反装置上考察了它们在Pt/BaL催化剂上的芳构化性能和产物分布。提出烷烃分子(≥C_6)主链的1,6位碳原子经与  相似文献   
75.
76.
煤焦在燃烧过程中孔隙结构变化的模拟   总被引:4,自引:1,他引:4  
煤焦在燃烧过程中的物理特性,如比表面积和孔径分布会发生连续变化,直接测量煤焦在燃烧过程中的孔隙结构变化很困难,但可以通过合适的数学模型来观察,二维的圆柱孔模型已大量用来对煤焦气化与燃烧过程中表面积和孔隙结构的变化进行模拟,这个模型把孔隙分成两大部分--大孔与小孔,因为小孔构成比表面的绝大部分,所以在反应过程中比表面积的变化可以由单一小孔模型来拟合,本文采用了用Tseng和Edgar提出的孔模型对几  相似文献   
77.
本文采用三电极有机锂盐体系对一种性炭(AC)的比容量进行测试、分析,发现在活性炭对称电容器中,正极活性炭的双电层容量为79.24F/g,活性炭做负极时,在不同的电位下表现出不同的容量性质,在较低电位下活性炭比容量为61.85F/g,而较高的电位比容量为96.54F/g。在对比活性炭对称电容器体系和AC/Li4Ti5O12、LiMn2O4/AC两种不对称电容器体系,发现AC/Li4Ti5O12、LiMn2O4/AC不对称电容器测试出来的活性炭比容量比活性炭对称电容器的测试出来比容量提高约9.6%-17.8%不等。  相似文献   
78.
钴硫氰酸根离子缔合—萃取光度法测定盐酸布比卡因   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文提出了在N,N-二甲基酰胺(DMF)存在下,用萃取光度法研究了盐酸布比卡因与钴硫氰酸根络阴离子生成的离子缔合物的实验条件及反应机理,并用于实际样品的测定,获得了良好的效果。实验结果表明,由于DFM对二氯甲烷的协同作用,使反应体系较之单一溶萃取更稳定、更灵敏。  相似文献   
79.
FTO客体3m闪光照相的Monte Carlo研究   总被引:1,自引:14,他引:1       下载免费PDF全文
 研究了客体模型FTO的闪光照相系统X光输运过程,给出了直穿照射量、散射照射量、直散比、直穿照射量能谱、散射照射量能谱、直穿X光通量能谱和散射X光通量能谱在记录平面的空间分布。结果表明:后锥是照射量散射成分的主要来源,后锥照射量占总散射量97%;后锥也是造成散射的空间分布不均匀的主要器件,这一不均匀性高达58%。照相系统的最小直散比非常小,表明锥造成的散射已经严重地淹没了直穿(轫致辐射)信号。计算中使用高空间分辨率记录法进行分点,合成图像对吸收系数的复原结果与国外报道的结果相符。  相似文献   
80.
退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究   总被引:3,自引:3,他引:3       下载免费PDF全文
 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低。  相似文献   
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