纯锆上离子注入钇和镧后的表面分析

用金属蒸汽真空弧源，以40kV加速电压对纯锆样品分别进行了10¹⁶—10¹⁷/cm²的钇、镧离子注入，注入温度约为130℃.然后对注入样品进行表面分析.x射线光电子能谱分析表明，注入的钇以Y₂O₃形式存在，镧以La₂O₃形式存在.俄歇电子能谱表明，纯锆基体表面的氧化膜厚度随着离子注入剂量的增加而增加，当离子注入剂量达到10¹⁷/cm²时，氧化膜的厚度达到了最大值.卢瑟福背散射显示镧层的厚度约为30nm，同时直接观察到当离子注入剂量为(La+Y)10¹⁷/cm²时，纯锆样品表面发生了严重的溅射. 关键词： 纯锆 钇和镧离子共注入 卢瑟福背散射 x射线光电子能谱     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

A Novel Method to Synthesize Polyorganozircosilazane

A new kind of polyorganozircosilazane as Si/Zr/C/N-based ceramic precursor was synthesized from the condensation reaction of hexamethyleyclotrisilazane lithium salts(D3^NLi）and zirconium tetrachloride(ZrCl4).In the presence of N,N,N’,N’-tetramethyl ethylene diamine(TMEDA),polyorganozircosilazane was obtained in high yield.     

氟碳铈矿-独居石混合精矿碳热氯化反应

研究了氟碳铈矿-独居石混合精矿的高温氯化反应, 发现在活性脱氟剂存在下, 在500～800 ℃之间, 稀土氯化率由无脱氟剂时的55%～88%增至92%～99%. 当氯化反应温度低于600 ℃时, 氯化产物的酸不溶物的量随着温度的升高而降低; 而当温度高于900 ℃时, 酸不溶物的量明显增加. 脱氟剂的作用可以使氟碳铈矿-独居石混合精矿氯化反应在600 ℃的低温下进行, 这和1000～1200 ℃的Goldschmidt加碳氯化工艺明显不同.     

二(三甲硅基环戊二烯基)二氯合锆的合成和晶体结构

在 THF中 ,通过三甲硅基环戊二烯基锂与四氯化锆反应合成了标题化合物 ,经元素分析 ,IR和 1 H NMR谱表征了其结构 ,并用 X-射线衍射测定了晶体结构 ,该晶体属于三斜晶系 ,空间群为 P1 ,晶体学参数 :a=0 .6787(6) ,b=1 .2 92 4 (2 ) ,c=1 .30 34(2 ) nm,α=67.83(1 ) ,β=82 .50 (3) ,γ=75.64 (3)°,V=1 .0 2 5nm3 ,Z=2 ,Dx=1 .41 5 g· cm-3 ,μ=8.989cm-1 ,F (0 0 0 ) =448,R=0 .0 32。质谱研究表明 ,化合物在质谱过程中发生二聚 C*p2 ZrClZr C*P2Cl(C*P=C5H4Si Me3 )。     

铁双(环戊二烯巯基)环戊二烯基钛(Ⅳ),锆(Ⅳ)的合成和结构表征

1,1’-二巯基二茂铁分别和二氯二茂钛(Ⅳ),二氯二茂锆(Ⅳ)在无水苯中在氨基钠存在下反应,合成了两个未见报道的化合物Fe(η~5-C_5H_4S)_2M(η~5-C_5H_5)Cl[M=Ti,Zr]。它们的组成和结构经元素分析,IR和~1HNMR得到证实。     

四氯化锆四元催化体系中乙烯齐聚反应的动力学研究

研究了四氧化锆作主催化剂的四元催化体系中，乙烯压力、催化剂浓度和温度对乙烯齐聚反应的影响．测定了稳定态下乙烯齐聚反应的宏观动力学方程和表观活化能．     

LaB6-ZrB2共晶复合材料的组织特征及控制

用电弧炉和电子束悬浮区熔炉法制备了ＬａＢ６ＺｒＢ２共晶复合材料，并用ＳＥＭ和ＴＥＭ方法对其显微组织进行了研究。结果表明，ＬａＢ６ＺｒＢ２形成纤维状共晶组织，控制凝固条件可得到定向排列的组织，ＬａＢ６基体上均匀分布着直径为０２～１２μｍ的ＺｒＢ２纤维，纤维长度可达１００μｍ以上。对于固液界面为平面生长的试样，其结晶学取向关系为［００１］ＬａＢ６∥［００１］ＺｒＢ２，（１１０）ＬａＢ６∥（０１０）ＺｒＢ２。     

SO42-/Zr-ZSM-5 超强酸催化剂的制备和表征

以硅溶胶和氧氯化锆为硅源和锆源，采用水热合成的方法制得具有ZSM-5结构的Zr-Si分子筛；用0.5mol/L的硫酸处理该分子筛，并在550℃焙烧，制得具有ZSM-5结构的SO4^2-/ZrO2-SiO2分子筛型的固体超强酸。采用XRD、SEM、TG、IR、NH3-PHD和指示剂法对其结构和酸性进行表征。结果表明，该SO4^2-/ZrO2-SiO2具有ZSM-5结构和超强酸性，其酸强度大于-13.75，且具有良好的热稳定性。     

高活性锆掺杂钴催化剂的制备及其催化甲烷燃烧性能研究

由水热法制备了掺杂锆摩尔百分比为0，10，20，30．40，50％的钴催化剂，该系列催化剂对甲烷的低温催化燃烧显示出高活性．其中，10％Zr掺杂的催化剂活性最好，可在370℃使甲烷转化率达100％．XRD分析表明，该法制得的催化剂中的活性四氧化三钴物种是由一种晶态的碳酸钴前体分解而成，Co3O4为粒径在20～40nm之问的纳米粒子．用热重分析(TG)研究了碳酸钴前体的热分解行为．