Vacum Black Hole Mass Formula Is a Vanishing Noether Charge

The Noether current and its variation relation with respect to diffeomorphism invariance of gravitational theories have been derived from the horizontal variation and vertical-horizontal bi-variation of the Lagrangian,respectively.For Einstein‘s GR in the stationary,axisymmetric black holes,the mass formula in vacuum can be derived from this Noether current although it definitely vanishes.This indicates that the mass formula of black holes is a vanishing Noether charge in this case.The first law of black hole thermodynamics can also be derived from the variation relation of this vanishing Noether current.     

Z=50—71核质量与核形状跃变

对Johansson质量公式的某些参数及β方程进行修改;在50≤Z≤71区域,计算了640个原子核的质量和双中子分离能.理论值与实验值相比,方均根误差分别为0.827MeV和0.406MeV.双中子分离能理论曲线很好地重现了N=82的中子满壳层效应和N>90时原子核发生大形变的特性.     

2+1维SU(2)格点规范场胶球质量的七阶RPA近似

采用无规相近似(RPA)方法,用空心图作为试探波函数,利用Feymann?Hellman定理计算七阶2?+?1维SU(2?)格点规范场的胶球质量,在弱耦合区1/g2?=1.0?–?1.8胶球质量表现出良好的标度行为,基本趋于常数(m/e2?≈1.2?0±0?.0?1)?.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

封三照片说明

饮食男女，人之大欲存焉。现代化的飞速发展使生活节奏不断加快，轻松快捷地提高生活质量，已成为人们热切追求的目标。烹饪机器人的诞生给未来生活带来了变革。     

尿样中核基质蛋白22的免疫电化学生物传感器研制

将(4,4',4',4')四羧基酞菁钴(CoTcPc)和HRP标记核基质蛋白22抗体(HRP-Ab-NMP22)一起固定在Au电极表面,构建了一种快速测定膀胱肿瘤患者尿液中NMP22抗原含量的安培免疫传感器(HRP-Ab-NMP22/Fe3O4/CoPc CME).实验表明:该传感器对NMP22抗原具有良好的电化学响应,HRP对H2O2电催化氧化电流I0降低,△I0与NMP22浓度在1.0～150ng·mL-1成线性关系,检测限则为0.5ng·mL-1.该传感器基于一次性竞争性免疫反应,较Elisa法提高了检测速度,有望用于膀胱肿瘤的迅速诊断.     

径向剪切干涉法综合诊断光束质量研究

 为了解决高功率激光装置光束质量诊断系统的自验证问题，研究了基于空间相位调制的径向剪切干涉法综合诊断光束质量的实验应用。该方法理论上只需一台干涉仪且从单幅干涉图中获取光束的近场、相位和远场分布信息。实验结果表明，目前可以得到高分辨率的相位分布，由测量近场和相位恢复出的远场同CCD直接测量得到的远场形态相同，环围能量比曲线相当吻合，不足之处在于只能提取近场较低空间频率成分，还达不到CCD直接测量的空间分辨水平。     

安全质量费用工期在网络计划中的系统优化研究

施工网络计划中安全、质量、费用、工期达到综合优化是工程管理决策追求的目标,在工程项目管理中对这4个指标进行全面系统分析,并且进行综合均衡优化,对于提高工程项目的综合效益至关重要.采取在网络计划所有可行的施工方案中寻求最优的方案组合,从而达到总目标的优化.并且通过一个实例来说明本方法的应用.     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

Ca3La(BO3)3：Tb3+的合成与发光性质

高温固相反应法合成了Ca₃La(BO₃)₃:Tb³⁺光致发光材料。利用扫描电镜和激光衍射分析仪测定了样品的晶粒形貌及粒径大小分布,利用荧光分光光度计研究了Ca₃La(BO₃)₃:Tb³⁺的光致发光特性。确定了在Ca₃La(BO₃)₃基质中Tb³⁺离子浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机理;探讨了助熔剂Li₂CO₃、敏化剂Ce³⁺离子的加入对荧光粉发光强度的影响。