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91.
遗传中紧空间与散射分解 总被引:5,自引:0,他引:5
本文证明了可数仿紧(中紧、亚紧)空间有类似Junnila的刻画,遗传中紧空间不具有类似Junnila的刻画,并给出了每个散射分解有紧有限的开膨胀的充要条件. 相似文献
92.
93.
94.
提出了在聚乙烯醇存在下,Fe(Ⅲ)-磺基水杨酸-甲基紫三元配合物光度法测定Fe(Ⅲ)的方法.该法灵敏度高(ε=3.44×105L@mol-1@cm-1),选择性及精密度均好,用于水中痕量铁的测定,结果满意. 相似文献
95.
报道了用高电荷态离子129Xe30+(150keV) 轰击金属Ni表面,激发的200—1000nm NiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果.实验结果表明:用电荷态足够高的离子作光谱 激发源,无需很强的束流强度(nA量级),便可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所 形成的可见光波段的特征谱线,特别是NiⅠ和NiⅡ偶极禁戒的电四极跃迁E2和磁偶极跃迁M1 的特征光谱线.通过分析发现,在禁戒跃迁的谱线中,有些是电子组态相同而原子态不同的 偶极禁戒跃迁光谱线而且NiⅡ的684.84nm谱线较强.
关键词:
光谱
禁戒跃迁
电子组态
高电荷态离子 相似文献
96.
本文对在过渡金属铁、镍电极表面制备得到的γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)膜进行了研究。实验中对硅烷膜用X-射线光电子能谱(XPS)、现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)和原子力显微镜(AFM)进行了表征。X-射线光电子能谱(XPS)的结果发现存在两个N1s峰,表明γ-APS膜中的氨基有两种存在方式:自由氨基和质子化氨基。实验中还发现现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)是研究金属/γ-APS体系中界面层结构非常有效的手段,SERS结果表明硅醇羟基和氨基发生了竞争吸附,且γ-APS分子在外加电位等条件的影响下吸附状态会发生一定变化。原子力显微镜(AFM)的表征结果在微观上显示电极表面的γ-APS膜上形成了一种较规则的微孔结构,这种结构可能与基底的性质有关。 相似文献
97.
We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co. 相似文献
98.
光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)在饱和放大区存在一个增益稳定点,据此设计了一个输出稳定的三级OPCPA系统;第一、二、三级分别选用准相位匹配的周期极化钛氧磷酸钾(PPKTP)晶体、LBO晶体和KDP晶体作为增益介质。饱和放大时,增益随泵浦光强度变化时的增益输出稳定性明显改善,在泵浦光强度抖动低于6%的情况下,各级光参量放大器OPA输出的增益抖动小于1%。前级采用准相位匹配的PPKTP晶体作为增益介质,在远低于破坏阈值的30MW/cm2的泵浦功率密度下,可得到2×105的饱和放大增益和20%的能量转换效率。 相似文献
99.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
100.
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 . 相似文献