首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   22068篇
  免费   6433篇
  国内免费   12174篇
化学   18022篇
晶体学   873篇
力学   4026篇
综合类   844篇
数学   3871篇
物理学   13039篇
  2024年   221篇
  2023年   781篇
  2022年   828篇
  2021年   911篇
  2020年   700篇
  2019年   793篇
  2018年   640篇
  2017年   888篇
  2016年   935篇
  2015年   1016篇
  2014年   2045篇
  2013年   1634篇
  2012年   1677篇
  2011年   1787篇
  2010年   1689篇
  2009年   1775篇
  2008年   2033篇
  2007年   1639篇
  2006年   1665篇
  2005年   1869篇
  2004年   1559篇
  2003年   1804篇
  2002年   1452篇
  2001年   1487篇
  2000年   1158篇
  1999年   885篇
  1998年   836篇
  1997年   764篇
  1996年   719篇
  1995年   762篇
  1994年   745篇
  1993年   525篇
  1992年   559篇
  1991年   516篇
  1990年   536篇
  1989年   463篇
  1988年   108篇
  1987年   100篇
  1986年   60篇
  1985年   37篇
  1984年   19篇
  1983年   24篇
  1982年   18篇
  1981年   3篇
  1980年   1篇
  1979年   4篇
  1978年   1篇
  1977年   1篇
  1963年   1篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 14 毫秒
991.
通过对金属镍、镍镀层及Nl-La2o3复合愤层于900℃、1000℃时的恒温氧化实验,发现Nl-La2O3复合镀层的氧化行为明显改善。高分辨电子显徽镜(HREM)的观测研究表明,Ni-La2O3复合铰层氧化时,纳米尺寸的ka2O3颗粒掺人到氧化层中,形成了NiO-La2O3复合氧化物层;在氧化层晶界发现了异常原子排列的新现象。由此认为,Ni-La2O3复合镀层抗高温氧化性能的提高,主要归因于小尺寸的纳米颗粒可微量溶解,成为La(3+)的晶界们聚“源”,阻止Ni(2+)的短路向外扩散,从而改善了氧化层的微观结构和生长机制。  相似文献   
992.
活性炭自溶液吸附锌(II)离子及其配合物   总被引:10,自引:0,他引:10  
近年来,有人提出通过表面处理提高活性炭表面电荷,加强对无机离子吸附力等观点,但活性炭对无机离子的吸附活性点,表面含氧基团及配体对吸附的影响等重要问题仍众说纷经[1-4]为此,本文提出用氧化一负离子化法处理活性炭,以表面酸度表征表面含氧基团的量,探讨活性炭对Zn(Ⅱ)及其配合物的吸附特性.1试验(1)试验材料活性发由北京光华木材厂出品,分析纯.过20-30目,BET法测得比表面为1316m2·g-1.在2.5×10-2mlo·dm-3的NaNO3中,测得等电点pHIEP为7.75[5],元素含量(质量分数)为C(83.9%),N(0.07%),H(1…  相似文献   
993.
采用从头算Hartree—Fock方法对具有Keggin结构的多金属氧酸盐离子α-[SiW12O40]^4-进行优化.以基态几何为基础,进行单激发组态相互作用(CIS)计算.结果表明,WO6单元形成扭曲的八面体,而SiO4部分仍具有准四面体结构;阴离子的4个三金属簇W2O13可容纳3~4个负电荷,从微观结构上揭示了杂多阴离子拥有大量负电荷仍能稳定的原因.  相似文献   
994.
本文在已有研究的基础上,进一步研究构造同构函数在求解导数综合压轴题中的应用,就解题层面具体厘清并回答师生们关心的两个基本问题:一是构造同构函数可以简化哪些常见基本结构?如何实现简化?二是常用于同构函数的函数结构类型有哪些?灵活运用的关键是什么?  相似文献   
995.
1引言Stiefel流形上的优化问题一般形式可以表示为:min x∈S_(n,p) f(X)(1.1)其中目标函数f:R^(n×p)→R为连续可微函数,S_(n,p)表示Stiefel流形,即S_(n,p)={X∈R^(n×p):X^(T)X=Ip,p相似文献   
996.
针对点阵夹层结构主动热防护问题,建立了夹层结构面板和芯体导热与冷却剂对流耦合的非稳态传热理论模型,利用有限体积法离散控制方程并在MATLAB中进行了迭代求解.模型首次考虑了面板与夹芯杆之间的收缩热阻,并利用分离变量法得到了收缩热阻的近似解析解.基于单胞模型和周期性边界条件,模拟得到了模型所需的表面对流传热系数h_(b)和h_(fin).最后,选取多单胞计算工况进行数值模拟和理论模型对比,并讨论了收缩热阻对模型预测精度的影响.结果表明:理论模型能够准确预测夹层结构及内部流体的温度变化,理论与仿真之间的最大误差不超过1%;随着外加热流密度不断增大,忽略收缩热阻使得计算结果造成的误差不断增大;与数值模拟相比,理论模型可显著地减少计算时间并节省计算资源,尤其适用于非均匀、非稳态复杂热载荷下点阵夹层结构的温度响应计算.  相似文献   
997.
李军成  刘成志  郭啸 《计算数学》2022,44(1):97-106
由于分段三次参数Hermite插值的切矢往往被作为变量,故可对其进行优化以使得构造的插值曲线满足特定的要求.为了构造兼具保形性与光顺性的平面分段三次参数Hermite插值曲线,给出了一种通过同时极小化导数振荡和应变能来确定切矢的方法.首先以导数振荡函数和应变能函数为双目标建立了切矢满足的方程系统;然后证明了方程系统存在唯一解,并给出了解的具体表达式;最后给出了误差分析,并通过数值算例表明方法的有效性.结果表明,相对于导数振荡极小化方法和应变能极小化方法,所提出的导数振荡和应变能极小化方法同时兼顾了平面分段三次参数Hermite插值曲线的保形性和光顺性.  相似文献   
998.
李步扬 《计算数学》2022,44(2):145-162
许多物理现象可以在数学上描述为受曲率驱动的自由界面运动,例如薄膜和泡沫的演变、晶体生长,等等.这些薄膜和界面的运动常依赖于其表面曲率,从而可以用相应的曲率流来描述,其相关自由界面问题的数值计算和误差分析一直是计算数学领域中的难点.参数化有限元法是曲率流的一类有效计算方法,已经能够成功模拟一些曲面在几类基本的曲率流下的演化过程.本文重点讨论曲率流的参数化有限元逼近,它的产生、发展和当前的一些挑战.  相似文献   
999.
The methanolic extract from a Chinese endemic Chrysanthemum plant, Dendranthema indicum var. aromaticum, was found to show high antifeeding activity against Pieris brassicae L., and by bioassay-guided separation, the active component, B-ring-homo-tonghaosu, 2-(2‘,4‘-hexadiynylidene)-1,6-dioxaspiro-[4,5]-dec-3-ene (2) was isolated. Its structure was elucidated by comparing its spectroscopic data with those of 2 reported in the literatures. Furthermore new convenient total synthesis methods of B-ring-homo-tonghaosu were also developed to confirm its structure and make its further application in crop protection available. In addition, extensive comparison of spectroscopic data showed that the structure of compound 21 reported in literature should be revised to 2.  相似文献   
1000.
项目投资与融资匹配程度,不仅关系到项目资金成本的大小,还体现对项目利率风险的对冲。基于债券久期的概念内涵,提出了项目久期与融资结构久期的概念及计算方法。以具体项目的投融资为案例进行研究,对案例公司已拟定的针对独立项目的债券融资方案进行投融资久期匹配、各期现金流匹配评价,并从市场利率曲线中发现融资成本优化空间,从投融资久期差及各期投融资现金流量差中找到优化融资的方案。以此提出结论:项目久期与融资结构久期的匹配是降低项目利率风险的重要手段;应综合融资结构久期与项目久期、现金流大小选择融资结构。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号