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71.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发现体系低能带主要由Ga的s态、p态、d态和As的s态、p态构成;高能带主要由Ga和As的s态、p态构成.掺杂B原子与存在空位缺陷的二维GaAs相比,静态介电常数相对较低,变为8.42,且易于吸收紫外光,在3.90~8.63 eV能量范围具有金属反射特性,反射率达到52%. 相似文献
72.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了本征石墨烯和空位石墨烯吸附钠原子的电荷密度、吸附能、态密度和储存量.结果表明,在两种石墨烯中,钠原子的最佳吸附位置都为H位.空位石墨烯对钠原子的吸附能是-2. 46 eV,约为本征石墨烯对钠原子吸附能的3. 4倍;钠原子与空位石墨烯中的碳原子发生轨道杂化,而与本征石墨烯没发生轨道杂化现象.存在一个空位的石墨烯能够吸附5个钠原子,与本征石墨烯相比显著提高.因此,空位石墨烯有望成为一种潜在的储钠材料. 相似文献
73.
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了立方相Cu_3N晶体中含Cu、N空位体系的稳定性、电学、光学性能.研究结果表明含Cu空位和N空位体系的结构比较稳定,Cu空位和N空位降低了体系的导电性,但增加了体系的透射率;含Cu空位和N空位体系的禁带宽度均大于Cu_3N体系,说明实验中制备的Cu_3N有时表现为绝缘体的可能原因为体系中存在Cu空位或N空位. 相似文献
74.
计算钛空位(VTi)和氧空位(VO)共存情况下未掺杂金红石TiO2的铁磁性.发现VO可以产生局域磁矩,由它引起的自旋极化比VTi引起的更加局域,导致VO之间的铁磁耦合作用弱于VTi之间的铁磁耦合作用.VTi之间的铁磁耦合在引入VO之后进一步加强.VO引入的电子调制两个分离的VTi之间的长程铁磁耦合.加入VTi之后,两个VO的磁矩猝灭,当VO的数量多于VTi的数量二倍时,VO会对磁矩有贡献.结果与实验发现的VO可以提高铁磁有序,并且总的磁矩会随着VO数量的增多而增加的结果符合很好. 相似文献
75.
76.
Laser-polarization-dependent spontaneous emission of the zero phonon line from single nitrogen vacancy center in diamond 下载免费PDF全文
We investigate spontaneous emission properties and control of the zero phonon line (ZPL) from a diamond nitrogen- vacancy (NV) center coherently driven by a single ellipfically polarized control field. We use the Schrrdinger equation to calculate the probability amplitudes of the wave function of the coupled system and derive analytical expressions of the spontaneous emission spectra. The numerical results show that a few interesting phenomena such as enhancement, narrowing, suppression, and quenching of the ZPL spontaneous emission can be realized by modulating the polarization- dependent phase, the Zeeman shift, and the intensity of the control field in our system. In the dressed-state picture of the control field, we find that multiple spontaneously generated coherence arises due to three close-lying states decaying to the same state. These results are useful in real experiments. 相似文献
77.
In this paper, the stable structure and the electronic and optical properties of nitric oxide (NO) adsorption on the anatase TiO2 (101) surface are studied using the plane-wave ultrasoft pseudopotential method, which is based on the density functional theory. NO adsorption on the surface is weak when the outermost layer terminates on twofold coordinated oxygen atoms, but it is remarkably enhanced on the surface containing O vacancy defects. The higher the concentration of oxygen vacancy defects, the stronger the adsorption is. The adsorption energies are 3.4528 eV (N end adsorption), 2.6770 eV (O end adsorption), and 4.1437 eV (horizontal adsorption). The adsorption process is exothermic, resulting in a more stable adsorption structure. Furthermore, O vacancy defects on the TiO2 (101) surface significantly contribute to the absorption of visible light in a relatively low-energy region. A new absorption peak in the low-energy region, corresponding to an energy of 0.9 eV, is observed. However, the TiO2 (101) surface structure exhibits weak absorption in the low-energy region of visible light after NO adsorption. 相似文献
78.
Role of Oxygen Vacancy Arrangement on the Formation of a Conductive Filament in a ZnO Thin Film 下载免费PDF全文
We perform first-principles calculations for ZnO thin films with oxygen vacancy defects. The densities of states, partial atomic densities of states, charge density differences and atomic populations are presented. We show that the SET process, i.e., from a high resistive state to a low resistive state, is attributable to the aggregation and regular arrangement of the oxygen vacancies, which causes the formation of conductive filaments and leads to the low resistive state of the system. 相似文献
79.
Comprehensive first-principle calculations on strained SnO2 crystal structure indicate that the formation energy of different types of oxygen vacancies depends on the external strain. Many novel Raman modes can be observed, their intensities and positions are strongly dependent on applied stain, which can be ascribed to crystal symmetry destruction by oxygen vacancies. Applied strain can compress/stretch distances between Sn and O atoms; therefore, Sn-O band vibration frequencies can be adjusted accordingly. Our calculated results disclose that the Raman spectra of SnO2 crystal structure with different types of oxygen vacancies are obviously different, which can be used to identify the oxygen vacancy types in strained Sn02 crystal structures. 相似文献
80.
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿型AlN中引入不同电荷态的N空位和Al空位时结构中最大局域化Wannier函数,并根据Wannier函数的空间分布及空间分布的几何中心位置,对空位引起的晶体电子结构变化及[0001],[ˉ1010],[ˉ12ˉ10]晶向上的自发极化进行了研究.结果表明,利用最大局域化Wannier函数分析电子结构具有直观的特点,清晰地表明N—Al键具有较强的离子性.研究发现,N空位结构中悬挂键上电荷向空位处转移,而Al空位结构中悬挂键上电荷则远离空位,沿悬挂键方向移动到N原子一侧.同时发现,空位的引入破坏了[ˉ1010],[ˉ12ˉ10]晶向上的中心对称结构,产生了极化,且极化强度随着空位电荷态的增加而增大.在[0001]晶向上,随着N空位电荷态的增加,空位周围电子结构发生了剧烈变化,使得自发极化发生了逆转,极化强度随着电荷态的增加而增大;而在Al空位中,随着电荷态的增加,自发极化沿原方向显著增加,但没有发生极化反转. 相似文献