KrF准分子激光激发掺锗光纤折射率扰动的非线性过程

本文采用了一种简单的功率监测法,观察了KrF准分子激光对掺锗光纤折射率影响的非线性过程。观察到子纤芯折射率扰动过程中非稳定现象、饱和现象和折射率扰动的非线性。     

类锂硅离子软X射线激光研究

在激光等离子体典型参数条件下，利用碰撞－辐模型计算了类锂硅离子５ｆ－３ｄ和４ｆ－３ｄ跃的粒子数反转比率和激光增益系数。讨论了不同热带条件和不同冷却速度下，激光增益系统数的变化。计算结果表明，高功率，短脉冲激光生产的高温等离子体在快速冷却条件下能产生软Ｘ射的线激光增益。     

多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。 关键词：     

元素在石墨炉内石墨探针表面上的原子化机理研究：Ⅶ.锗的原子化机理

本文应用Ｘ－射线衍射，Ｘ－射线光电子能谱，俄歇电子能谱和其它一些实验，考察石墨炉升温过程中氟化锗，锗酸钠在石墨探针表面上的形态变化，阐明了它们的原子化机理：ＧｅＦ２与Ｎａ２ＧｅＯ３首先分解为ＧｅＯ２，ＧｅＯ２还原为ＧｅＯ，后者在＞２４００Ｋ热分解产生自由态的锗原子，ＧｅＦ２和Ｎａ２ＧｅＯ３的原子化均源于ＧｅＯ（ｇ）的气相分解。原子化的升温过程中，在１４００－２４００Ｋ ＧｅＦ２和Ｎａ２ＧｅＯ３都产     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：     

钯作基体改进剂FIA－HG－GFAAS法测定锗及其机理研究

采用钯，钯－镁作基体改进剂，ＦＩＡ－ＨＧ－ＧＦＡＡＳ法成功地测定了锗。灵敏度、精密度和分析速度都得到很大的提高。峰值吸收的特征质量８．０ｐｇ，检出限１０．９ｐｇ，相对标准偏差０．３４％，同时探讨了基体改进剂钯的稳定作用机理及锗在石墨管中的原子化机理。     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.