β沸石的铝化

β沸石自1988年结构被确定以来受到普遍重视,由干结构上的特殊性,G沸石既具有较强酸性又具有明显的碱性［‘,‘］．但q佛石的高硅铝比使其在化学组成上对碱性的贡献甚微,如果能降低其硅铝比,则有可能获得具有较强碱性的佛石分子筛．直接合成的o佛石,硅铝比一般在10以上．     

过氧铌杂多配合物位置异构体的合成、表征及催化性能

合成了6种钨硅杂多配合物异构体α、β_i-M₃H₂[SiW₁₁(NbO₂)O₃₉]·H₂O(M=Me₄N⁺(TMA),Bu₄N⁺(TBA),Et₄N⁺(TEA);β_i=β₁,β₂,β₃)。IR光谱、UV光谱、极谱、I^--S₂O₃^2-滴定证明合成的杂多配合物中有NbO₂基存在, ¹⁸³W NMR光谱证明其阴离子具有Keggin结构,催化实验结果表明,合成的化合物对烯烃环氧化反应具有催化活性,且过氧杂多配合物的催化活性高于非过氧杂多配合物,β异构体的催化活性高于α。     

二(三甲硅基环戊二烯基)二氯合锆的合成和晶体结构

在 THF中 ,通过三甲硅基环戊二烯基锂与四氯化锆反应合成了标题化合物 ,经元素分析 ,IR和 1 H NMR谱表征了其结构 ,并用 X-射线衍射测定了晶体结构 ,该晶体属于三斜晶系 ,空间群为 P1 ,晶体学参数 :a=0 .6787(6) ,b=1 .2 92 4 (2 ) ,c=1 .30 34(2 ) nm,α=67.83(1 ) ,β=82 .50 (3) ,γ=75.64 (3)°,V=1 .0 2 5nm3 ,Z=2 ,Dx=1 .41 5 g· cm-3 ,μ=8.989cm-1 ,F (0 0 0 ) =448,R=0 .0 32。质谱研究表明 ,化合物在质谱过程中发生二聚 C*p2 ZrClZr C*P2Cl(C*P=C5H4Si Me3 )。     

多组分比光谱导数法分析数据处理软件的研制和应用

研制开发了多组分比光谱导数法分析数据处理软件。该软件是对紫外 可见分光光度计的处理软件的补充和完善。软件界面清晰明了 ,使用方便 ,省去了使用比光谱导数法进行数据处理时手算带来的繁杂和一系列不便 ,使对多组分的分析测定更加准确、快捷。该软件可应用于教学实验和科研实际工作     

双-杂氮硅三环化合物的合成

杂氮硅三环是一类分子内具有N→Si配位键的化合物，作者曾报道了一系列该类化合物的合成方法和化学结构。对于一个分子内带两个对称的硅三环结构的双一杂氮硅三环化合物的合成，文献报道还很少啪。我们用下     

新试剂3,5—二溴—4—偶氮8—羟基喹啉苯基荧光酮光度法测定微量铝

在溴化十六烷基三甲胺（ＣＴＭＡＢ）存在下，ＰＨ６，０的ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲介质中，铝与新试剂３，５－二溴－４－偶氮８－羟基喹啉苯基荧光酮形成红色三元胶束配合物，最大吸收波长位于５６４ｎｍ，表观摩尔吸光系数ε为１．３５×１０＾５．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１，铝浓度在０～５μｇ／２５ｍＬ范围内符合比耳定律，拟定的方法用于铝铁黄铜中微量铝的测定，结果满意。     

铜在ρ-Si上激光诱导电沉积过程的研究

由于在微电子器件制造，成像系统及太阳能电池等领域里具有广阔的应用前景，激光诱导化学及电化学沉积金属的研究，最近几年引起了极大兴趣［1－3］，例如Zahavi［4］报道了Pd，Au，Ni－Pd在氩离子激光作用下可以不加偏压实现在半导体Si，InPGaAs上的无掩膜选择性沉积，金属沉积只发生在光照部位．大多数研究工作是围绕应用技术而开展的，理论研究，尤其是光电化学方面的研究尚十分欠缺．我们认为对于普通电镀液中的激光诱导电沉积来讲，既使不需外加偏压，沉积过程也必然伴随着溶液中金属离子与半导体能带之间的电荷传递，因此可以通…     

多孔硅的电化学制备

单晶硅在氢氟酸溶液中阳极氧化可制得多孔硅, 多孔硅是一种以新形态存在的硅, 与单晶硅相比, 它表现出独特的物理性质和化学活性。荧光光谱峰的蓝移表明, 在p-型低掺杂衬底硅上形成的多孔硅中存在量子尺寸效应, 新近获得的Raman光谱也证实了这一点。     

1-烃基-1-硅杂环丁烷的合成及其Si—H键伸缩振动频率与结构关系的研究

硅杂环丁烷在有机硅化学中是一类非常重要的小分子环系化合物。由于硅杂环丁烷和环丁烷的环张力相似,因而显示出较高的反应活性。例如能与某些试剂作用,生成开环产物;在光解或热解条件下,产生具有Si=C结构的高活性中间体,可用以合成多种有机硅化合物。     

三氯化钛存在下碘酸钾滴定法测定锡

提出了采用铝加铁混合还原剂还原,三氯化钛存在下碘酸钾滴定法测定锡的绝对测量方法,研究了三氯化钛抑制氧的作用效果及作用机理。应用于巴氏合金中锡含量的测定,方法简便、快速,结果准确可靠。