不同气压背景下激光烧蚀Al靶产生等离子体特性分析

用时间和空间分辨诊断技术研究了脉冲激光烧蚀不同气压环境下金属Ａｌ靶过程中产生的等离子体羽的特性。     

X光光电子能谱法测定胶片中氟,硅和铝的研究

应用Ｘ光光电子能谱法测定了几种彩色胶片表面层中氟的１ｓ能级的结合能；分别比较了水处理前后、溅蚀前后胶片护膜层氟的变化，表明氟化物分布在护膜最表层，是一种易溶于水的氟化物；测定了彩色片护膜层所含硅２ｐ能级的结合能，与自制彩色片护膜层测定结果比较，优质片含一种较多负电性，用与自制片的无机硅不同的硅化物作毛面剂；对溅蚀前后优质片和自产彩色片中的硅铝比变化进行比较，提出优质彩色片Ｆ－４００的护膜层可能是双     

线圈型全光纤偏振器的研究

本文采用等效电流法对线圈型全光纤偏振器进行了分析计算.对应于保偏光纤中两正交传输基模的消光比,提出了一种分析保偏光纤弯曲损耗的新方法,这种方法基于将保偏光纤两个不同偏振模式分别等效为两个普通圆光纤的基模,等效参数通过测量不同偏振模式的模场半径来确定.实验证明这种理论计算方法与实验结果一致.最终,我们研制出的线圈型光纤偏振器在1.31μm工作波长下,实测消光比达30dB以上,工作偏振模式插入损耗≤3dB.     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

一个与Chebyshev多项式有关的极值

C[-1,1]表示[-1,1]上的连续函数空间,‖·‖_(?)是它的一致范数.又a=(a_0,a_1,…,a_n)∈l~(n 1),a_(i)∈R,记|a|_2=(sum from i=0 to n a_i~2)~(1/2).令和本文的主要目的是证明:     

手性噻唑烷-铑(I)配合物催化的苯乙酮不对称硅氢化反应

由L-半胱氨酸甲酯与α-吡啶甲醛缩合制备了2-(α-吡啶基)-4-羧甲基-1, 3-噻唑烷手性配体。用该手性配体与[Rh(COD)]2反应原位生成的Rh(I)配合物为催化剂进行了苯乙酮的不对称硅氢化反应。反应的化学产率达91%, 光学产率达82.1%e.e.。考察了各种反应条件对催化剂性能的影响。     

1．5GHz锯材超导腔的研制

介绍铌材超导腔的研制进展，重点讨论了国产铌腔的材料改性，以及相应的超导腔性能的改进．叙述了１．５ＧＨｚ铌腔的腔形设计，分析了铌材的射频性能和机械性能，制定了铌腔制作与后处理的特定工艺．最后给出了１．５ＧＨｚ铌材超导腔的低温实验结果．     

A Novel Method to Synthesize Polyorganozircosilazane

A new kind of polyorganozircosilazane as Si/Zr/C/N-based ceramic precursor was synthesized from the condensation reaction of hexamethyleyclotrisilazane lithium salts(D3^NLi）and zirconium tetrachloride(ZrCl4).In the presence of N,N,N’,N’-tetramethyl ethylene diamine(TMEDA),polyorganozircosilazane was obtained in high yield.