基于时序逻辑和SCR方法的需求分析方法

以定义事件驱动型系统需求的ＳＣＲ（Ｓｏｆｔｗａｒｅ ＣｏｓｔＲｅｄｕｃｅ）方法和时序逻辑为基础,提出了一种能够根据ＳＣＲ方法与时序逻辑之间的语义联系和时序逻辑的推理能力有效地检查用ＳＣＲ方法定义的事件驱动型系统的需求分析方法．为便于理解,还给出了一个简单的例子来介绍如何分析和检查用ＳＣＲ方法定义的需求的有效性．     

ON THE CONVERGENCE OF THE PARABOLIC APPROXIMATION OF A CONSERVATION LAW IN SEVERAL SPACE DIMENSIONS

1.IntrodnctionWegiveaproofofthestrongconvergenceinofthesolutionoftheparabolicapproximationtowardstheentropicsolutiontothescalarconservationlawwhereuo(RN),udenotessomeapproximationofuosuchthatandthefluxfsatisfiesTheconvergenceoftheapproximatesolutions...     

异方差回归模型近邻型估计的相合性

本文研究异方差回归模型Ｙｉ＾（ｎ）＝ｇ（ｘｉ＾（ｎ））＋εｉ＾（ｎ）,ｉ＝１,…,ｎ,其中ｇ是右实函数,ｘｉ＾（ｎ）是非随机设计点列,εｉ＾（ｎ）是随机误差,文中定义了一类ｇ（ｘ）的近邻型估计ｇｎ（ｘ）＝（ｎ）∑（ｉ＝１）Ｗｍ（ｘ）Ｙｉ＾（ｎ）,得到了ｒ阶平均相全和渐近正态性,特别,在（∞）∑（ｎ＝１）（ｎ）∑（ｉ＝１）Ｅ／εｉ＾（ｎ）／＾ｓ／（ｎｉ）＾ｓ／ｒ〈∞,ｍａｘＥ（１≤ｉ≤ｎ）／εｉ（＾     

RL-C并联谐振态量与Q的几个关系式

对ＲＬ－Ｃ并联谐振电路中的几个谐振态量与Ｑ之间的关系作了详尽的推导。     

Bi2212晶须中磁通线运动临界电流的反常现象

我们对同一Ｂｉ２２１２晶须样品加不同方向的磁场,比较了Ｈ∥ｂ和Ｈ∥ｃ两种情况下的Ｉ－Ｖ曲线。我们发现,当Ｈ∥ｃ时,驱动磁通线运动的临界电流Ｉｃ与温度的关系遵循一般的单调地随温度上升而下降的关系。但是,当Ｈ∥ｂ时,Ｉｃ在Ｔ＾＊＝２５．５Ｋ附近出现了一个峰值：当Ｔ〉Ｔ＾＊时,Ｉｃ温度的下降而升高;Ｔ〈Ｔ＾＊时,Ｉｃ随温度的下降而下降。我们在文章中对此现象进行了讨论。     

高临界温度氧化物超导体的临界电流

本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。     

新一代超声波玉石加工机问世

交通部上海船舶运输科学研究所,采用全部国产化元、器件,经过3年多时间的努力,研制成功了新一代超声波玉石加工机,命名为CK-250-1型。前不久在北京通过定型鉴定。 该机由超声波发生器、振动系统和机床部等三大部分组成。超声波发生器:全晶体管化;输出电功率≥250W(连续可调),工作频率为21kHz±2kHz,输出阻抗:45Ω、50Ω、75Ω、100Ω、150Ω五档;有他激、自激两种工作方式,在满负荷功率下可连续工作8小时,功耗不大于450VA。振动系统:由阶梯式压电型振     

中立型时滞微分方程解的振动性

1.引言 近十多年来,时滞微分方程的振动理论得到了迅速发展,但大部分是针对滞后型的。对中立型情况的研究结果还比较少,其中变系数方程的结果则更少。关于中立型方程解的振动性研究,不仅具有理论上的意义,从应用的观点来看也是十分重要的。例如,可以参看文献[3]和[6]。 最近,阮炯,Grammatikopoulos,Grove和Ladas,及Ladas和Sficas分别研究了中立型时滞微分方程     

解线性不等式的神经网络

本文提出两个解线性不等式的Hopfiedl-Tank型的神经网络。第一个网络模拟同时松弛投影方法，第二个网络是二次规划方法。当线性不等式的解集非空时，这两个方法都给出该线性不等式的解。同时我们还给出了这两个网络的数值模拟。     

Single Cell Element of Chalcogenide Randoul Access Memory Fabricated with the Focused Ion Beam Method

A singie cell element of chalcogenide random access memory was fabricated by using the focused ion beam method.The contact size between the Ge2Sb2Te5 Phase change film and the top electrode film is about 600nm (diameter) and the contact area is caiculated to be 0.28μm^2.The thickness of the phase change film is 83nm.The current-voltage characteristics of the cell element are studied using the home-made current-voltage tester in our laboratory.The minimum threshold current of about 0.6mA is obtained.