首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   214篇
  免费   133篇
  国内免费   39篇
化学   27篇
晶体学   43篇
力学   4篇
综合类   3篇
数学   2篇
物理学   307篇
  2024年   4篇
  2023年   17篇
  2022年   19篇
  2021年   13篇
  2020年   4篇
  2019年   14篇
  2018年   9篇
  2017年   9篇
  2016年   7篇
  2015年   14篇
  2014年   26篇
  2013年   24篇
  2012年   29篇
  2011年   19篇
  2010年   16篇
  2009年   19篇
  2008年   18篇
  2007年   7篇
  2006年   12篇
  2005年   11篇
  2004年   13篇
  2003年   19篇
  2002年   15篇
  2001年   6篇
  2000年   10篇
  1999年   2篇
  1998年   6篇
  1997年   7篇
  1996年   2篇
  1995年   2篇
  1994年   4篇
  1993年   3篇
  1992年   2篇
  1991年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   2篇
排序方式: 共有386条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
采用非平衡分子动力学(NEMD)方法研究了微尺度下硅锗合金的热导率变化情况。结果表明,硅锗合金热导率具有明显的尺寸效应,显著小于大体积晶体的实验值;并且受边界散射效应的影响,热导率值随硅锗原子百分比的不同发生变化;同时热导率随温度的升高而增大,与实验值比较大致吻合。  相似文献   
92.
Thermal conductivity of methane hydrate was measured in hydrate dissociation self-preservation zone by means of the transient plane source (TPS) technique developed by Gustafsson. The sample was formed from 99.9% (volume ratio) methane gas with 280 ppm sodium dodecyl sulfate (SDS) solution under 6.6 MPa and 273.15 K. The methane hydrate sample was taken out of the cell and moved into a low temperature chamber when the conversion ratio of water was more than 90%. In order to measure the thermal conductivity, the sample was compacted into two columnar parts by compact tool at 268.15 K. The measurements are carried out in the temperature ranging from 263.15 K to 271.15 K at atmospheric pressure. Additionally, the relationship between thermal conductivity and time is also investigated at 263.15 K and 268.15 K, respectively. In 24 h, thermal conductivity increases only 5.45% at 268.15 K, but thermal conductivity increases 196.29% at 263.15 K. Methane hydrates exhibit only minimal decomposition at 1 atm and the temperature ranging from 263.15 K to 271.15 K. At 1 atm and 268.15 K, the total gas that evolved after 24 h was amounted to less than 0.71% of the originally stored gas, and this ultra-stability was maintained if the test was lasted for more than two hundreds hours before terminating.  相似文献   
93.
94.
张振  樊仲维  苏良碧 《人工晶体学报》2022,51(9-10):1560-1572
高功率固体激光技术的发展史就是一部与“废热”的斗争史,为抑制热效应对光束质量的不利影响,先后出现了热容激光器、薄片激光器、板条激光器以及光纤激光器,新的增益介质形态结合先进的散热技术将激光输出功率提升至百千瓦量级。固体激光增益介质的热学性能是限制激光功率进一步取得突破的重要瓶颈。因此,寻找具备超高热导率的激光晶体材料意义重大。本文介绍了上述四种激光器的基本原理及其在高功率激光方面取得的研究进展,从提高增益介质材料热导率的角度出发,对目前已有的方法和研究成果进行了分析与总结,对超热导激光晶体研究和高功率激光技术的发展进行了展望。  相似文献   
95.
用变长度“T”形法测量单根纤维热导率   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了解决"T"形法中的接触热阻问题,本文在不改变纤维与热线之间的接触节点的前提下,通过测量同一根纤维不同长度对应的表观热阻,同时得到了纤维热导率以及节点的接触热阻.用变长度"T"形法测量得到 Pt 丝以及两根沥青基碳纤维的热导率分别为 73,480 和 500 W m-1 K-1.  相似文献   
96.
变热导率的测量方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
1前言热导率是材料的重要热物理性质,因此,其测量就成为传热学的一个重要的研究方向,测量方法也在不断发展[1-4]。很多物质的热导率与温度有关。Ecker[5]分析了温度对物质热导率的影响,指出一些物质的热导率与温度呈线性关系,而另外一些物质则随温度的变化呈现复杂的关系。杨世铭[6]则以图的形式表示了类似的关系。使用稳态法测量物质的热导率时,得到的是在所测温度范围内的平均热导率[7]。对于热导率小的物质(如污垢层和保温材料),可能两侧的温差很大,因此,所得的热导率是在很大的温度范围的平均值。而平均热导率常常并不能满…  相似文献   
97.
SiC�ݶ�Ϳ��Բ���ʯī�������ܵ�Ӱ��   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用化学气相反应法对掺杂石墨材料进行了SiC梯度涂层,研究了SiC梯度涂层对掺杂石墨材料热力学性能以及微观结构的影响。获得了约100μm的SiC涂层,涂层后的材料导热性能下降,而机械强度有所增加。对涂层表面的物相成分分析表明,除了SiC之外,还有少量的单质Si。厚膜SiC梯度涂层的掺杂石墨材料在HT-7托卡马克装置中经等离子体放电实验后,SiC的颗粒形貌发生了明显的变化,涂层厚度下降到约30μm。  相似文献   
98.
利用基于有效介质理论的介孔硅传热机理,提出一个用于分析氧化介孔硅热导率的理论模型,对影响氧化介孔硅有效热导率的因素进行了理论分析,得出用于计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式. 采用双槽电化学腐蚀法制备介孔硅,利用微拉曼光谱技术研究了氧化介孔硅热导率随所制备介孔硅孔隙率的变化规律,比较了经不同温度处理的氧化介孔硅的导热性能差异. 孔隙率为60%,73.4%和78.8%的所制备介孔硅经300℃氧化处理后,其热导率值为8.625W/(m·K),3.846W/(m·K)和1.817W/(m·K);孔隙率为73.4  相似文献   
99.
某铝合金薄壁件的连接最好采用焊接,在焊接方法中以电阻点焊为宜,而铝合金电阻率ρ小,而热导率λ大,焊接性指数Q值较低,焊接性较差。而目工件要求具备足够的耐腐蚀性能,若在点焊后进行表面处理,将会有表面处理的液体难以彻底清除,在使用和存储过程中会有局部腐蚀,不能满足要求。为此需先进行表面处理,针对LF21防锈铝薄壁件,选择合适的表面处理工艺方法、工艺规范,使表面处理后的膜层耐腐蚀性能满足要求、表面电阳特性适应后续的点焊要求;点焊试验后检测焊点表面质量、焊点熔核金属的直径,分析熔核金属的显微金相组织,测试单个焊点的抗静剪切载荷。  相似文献   
100.
一种估算热导率的方法   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
径向热导率是金刚石膜应用中的一项主要技术指标.本文介绍了一种通过热导率和X衍射晶面图间相关性估算直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜径向热导率的方法.该方法需满足的条件为(111)为主的三向系中(220)和(311)的CPS值分别是23~33;和8~15;,或者是在四取向膜中要求(400)的CPS值低于5;.估算值的最大偏差为-9.5;和3.5;.当(220)的CPS值高时或(311)的CPS值低时,估算值比测量值高,反之亦然.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号