粒子鉴别中dE/dx和TOF的权重

在北京谱仪数据分析中,粒子鉴别使用了dE/dx和TOF的信息.在利用dE/dx和TOF联合鉴别粒子时,通常的做法是把两者的χ²值等权重相加(χ²方法).在不同的动量区间,dE/dx和TOF对粒子的鉴别能力不同.本文给出两者联合鉴别时不同动量区间的权重,并构造一个新的线性变量来进行粒子鉴别     

25MeV/u6He+9Be反应的轻粒子发射

在25MeV/u ⁶He与⁹Be靶的反应中,107°和128°处明显地观察到了轻粒子发射.粒子能谱形状与平衡热源蒸发相一致,分析得到热源的核温度为完全熔合条件下的5.6MeV或非完全熔合条件下的5.2MeV .实验发现发射氚的数量特别大,这可能与目前广泛研究的⁶He的集团结构和同位旋效应有关.     

基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

分子射线中分子的频率分布

由麦克斯韦速率分布率导出分子射线中分子按频率分布 ,并给出了分子射线中分子按频率分布中的三个特征频率、分界动能和分界温度。     

粒子分辨CCT方法中的δ电子效应

提出了切伦科夫相关时间测量(CCT)中初始粒子在辐射体里产生的δ电子的干扰问题,以及降低干扰的方法. 通过模拟计算给出了北京τ-C工厂探测器初步设计中CCT的π/K分辨本领.     

不同温度均匀二半空间接触后产生的辐射场

 应用电磁线路中涨落耗散理论，推导了不同温度均匀二半空间接触后产生辐射场密度的公式。将此公式近似展开后，即得Grover和Urtiew所获得的表示式，不过多了一松弛项，该项如用非富里叶热传导理论推导，也是存在的。该结果和实验结果一致，不过这里的松驰时间可以应用介质性质进行计算。     

腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

首次测定短寿命缺中子同位素153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图

利用¹⁶O重离子束轰击¹⁴²Nd和¹⁴⁷Sm同位素靶分别生成¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb的EC/β⁺衰变纲图.从中指认出¹⁵³Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出¹⁵⁷Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间.     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。     

热核区共振的温度相关性

用含温度的Heartree-Fock方程及线性响应理论计算了²⁰⁸Pb在不同温度下的电偶极和电四极巨共振的强度分布.结果表明,随着核温度的升高,巨共振峰展宽并向低能端移动.