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121.
利用16O重离子束轰击142Nd和147Sm同位素靶分别生成153Er和157Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图.从中指认出153Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出157Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间. 相似文献
122.
本文研究并比较了分别以8-羟基喹啉和巯基苯骈噻唑为萃取剂,以活性硅胶为载体的柱式萃取色谱法对环境水中Zn、Cu、Pb、Cd、Fe、Co、Ni和Mn的最佳富集和洗脱条件。实验证明,后者明显优于前者。以巯基苯骈噻唑为萃取剂的色谱柱对金属元素的吸附具有快速、完全、寿命长和重现性好等特点。在pH=7~8之间回收率可达98%以上,富集倍数为200倍。 相似文献
123.
124.
125.
126.
工件带到达时间的两阶段柔性流水作业的近似算法 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了工件带到时间的两阶段柔性流水作业的排序问题,基于求解流水作业和平行机问题的算法思想,提出两个相应的近似算法H(R)和H(MR(?)),证明了这两个算法的最坏情况性能比分别为3-1/m和2/5-1/m,讨论了界的紧性,并利用数值模拟以分析算法与最优值的近似性能比. 相似文献
127.
给出了一种新的二进小波1/f过程模型,从理论上证明了一类谱指数为H的近似1/f过程可通过一簇平稳随机过程产生.由于所提方法利用了1/f过程小波系数的相关性,因而有效地减少了合成1/f过程的谱误差.数值实验结果表明,新模型很好地改进了已有模型. 相似文献
128.
Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
129.
氩气介质阻挡放电的发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文使用水电极介质阻挡放电装置,采用光学方法测量了氩气介质阻挡放电的发光特性。发现在驱动电压处于一定的范围内时,放电处于丝极模式,在驱动电压的每半周期内,无论是放电的总光还是单个微通道的放电发光均只有一次脉冲,单个微放电的时间为2μs,而总放电时间为2.4μs,这表明在氩气的丝极模式中,各单丝产生与熄灭的时间极其接近,各个放电丝之间有着很好的时间相关性。最后将本文的结果与空气中介质阻挡放电丝极模式的发光特性相比较,空气放电在每半周内的总光信号由多个脉冲组成,而每一个脉冲对应多个放电丝,因而氩气中各个放电微通道之间的时间相关性远强于空气的情况。 相似文献
130.