基于移动粒子半隐式法的表面张力模拟

采用移动粒子半隐式法(MPS)模拟了受表面张力影响的自由面流动。表面张力的计算采取了一种较适合于MPS方法的表面自由能模型。方形液滴振荡和射流断裂的模拟结果分别与理论分析和试验结果一致,同时进行了三维射流注水模拟,从而验证了MPS方法结合该表面张力模型可以有效、方便地进行自由面流动中表面张力现象的模拟。     

带非卷积位相的粗糙核振荡奇异积分算子的加权L^p估计

文研究一类位相较多项式更一般的振荡奇异积分算子．在积分核Ω∈Llog^＋L（S^n-1）的条件下,建立了该类算子在加权Lp空间的有界性．     

On the boundedness of rough oscillatory singular integrals on Triebel-Lizorkin spaces

We obtain appropriate sharp bounds on Triebel-Lizorkin spaces for rough oscillatory integrals with polynomial phase. By using these bounds and using an extrapolation argument we obtain some new and previously known results for oscillatory integrals under very weak size conditions on the kernel functions.     

低雷诺数俯仰振荡翼型等离子体流动控制

针对低雷诺数翼型气动性能差的特点, 通过介质阻挡放电(dielectric barrier discharge, DBD)等离子体激励控制的方法, 提高翼型低雷诺数下的气动特性,改善其流场结构. 采用二维准直接数值模拟方法求解非定常不可压Navier-Stokes方程,对具有俯仰运动的NACA0012翼型的低雷诺数流动展开数值模拟.同时将介质阻挡放电激励对流动的作用以彻体力源项的形式加入Navier-Stokes方程,通过数值模拟探究稳态DBD等离子体激励对俯仰振荡NACA0012翼型气动特性和流场特性的影响.为了进行流动控制, 分别在上下表面的前缘和后缘处安装DBD等离子体激励器,并提出四种激励器的开环控制策略,通过对比研究了这些控制策略在不同雷诺数、不同减缩频率以及激励位置下的控制效果.通过流场结构和动态压强分析了等离子体进行流场控制的机理. 结果表明,前缘DBD控制中控制策略B(负攻角时开启上表面激励器,正攻角时开启下表面激励器)效果最好,后缘DBD控制中控制策略C(逆时针旋转时开启上表面激励器,顺时针旋转时开启下表面激励器)效果最好,前缘DBD控制效果会随着减缩频率的增大而下降, 同时会导致阻力增大.而后缘DBD控制可以减小压差阻力, 优于前缘DBD控制,对于计算的所有减缩频率(5.01~11.82)都有较好的增升减阻效果.在不同雷诺数下, DBD控制的增升效果较为稳定, 而减阻效果随着雷诺数的降低而变差,这是由流体黏性效应增强导致的.      

少节点基因调控网络的控制

近年来,自组织振荡网络受到越来越多科学家的关注,对生物体的生长、发育起调控作用的基因调控网络即是其中的一种.本文研究了少节点基因调控网络的控制问题.运用多相位超前驱动方法对该种网络进行调控,可以有效地提高对网络的控制效率.通过数值模拟,发现对于少节点基因调控网络,当系统参数确定时,网络的有效控制率可以达到95％以上(10节点网络);当系统参数不确定时,控制的效率也非常高.     

液滴振荡模型及与数值模拟的对比

由于碰撞壁面后液滴内部流动的复杂性, 以及气-液-固三相间的相互作用, 对液滴碰撞壁面形态变化的数学理论研究有较大的难度, 因此所见者多为实验和数值模拟. 本文通过对液滴受力状态的分析, 得到了惯性力、黏性力和表面张力带经验系数的表达式, 并进一步建立了液滴碰撞壁面振荡模型, 得到了液滴铺展半径的振荡表达式, 以及表面张力、黏性系数等参数对液滴铺展的影响. 最后通过与液滴衰减振荡数值模拟结果的对比, 确定了液滴振荡模型中的修正系数, 验证了模型的可行性. 关键词： 液滴碰撞 振荡 铺展半径/高度 数值模拟     

中微子的探索

从中微子概念的提出、中微子的发现及中微子振荡等方面,回顾了对中微子的探索历程.着重叙述了1988年、1995年、2002年获得诺贝尔物理学奖的中微子研究成果及我国大亚湾中微子实验的重大成就,并扼要介绍了未来的中微子研究方向.     

运用有限振荡核方法提高正线性算子的逼近阶

为改造正线性算子以提高其逼近阶，本文利用有限振荡核方法，从常见的Ｆｅｊｅｒ算子出发，构造出一种莼性多项式算子Ｌｎ＾（ｍ）（ｆ；ｘ），称Ｆ－Ｂ算子，它的表达式具有良好的递推性能；通过对其收敛性和饱和性的讨论，证得Ｆ－Ｂ算子对充分光滑函数的逼近阶可达Ｏ（１／ｎ＾２ｍ＋１），优于Ｂｕｔｚｅｒ与Ｓｔａｒｋ的结果（Ｏ（１／ｎ＾４）），并包含Ｂａｓｋａｋｏｖ的结果（Ｏ（１／ｎ＾３）与Ｏ（１／ｎ＾５））为其特例     

单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制，由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值，并且MOSFET使单电子晶体管(SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小.利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器，该存储器原理上是无穷多值的.并且利用它的折叠的I-V特性，实现了一个4位的Flash A/D转换器，与传统的Flash A/D转换器相比，SET-MOSFET的A/D转换器大大地简化了电路. 关键词： 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电阻 多值存储器