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91.
激光水下扫描成像系统的图像修正机理 总被引:2,自引:0,他引:2
同步扫描系统可以克服后向散射,但同时也产生了两种非线性,一是扫描线速度的非线性,一是由于距离对光能衰减造成的非线性,两种非线性都需要修正,本文从原理上讨论水下激光成像时能量衰减的修正原理与修正方法,并给出仿真结果。 相似文献
92.
A new method for indirect determination of cetyl-trimethyl ammonium bromide (CTMAB) with NaCl and NH4SCH by floatation and separation of zinc has been studied.The study shows that Zn(Ⅱ) can associate with NH4SCN and CTMAB to form insoluble ternary ion-association complex,and the precipitate can float on the surface of the liquid phase.A good linear relationship is observed between the floatation yield(E%) of Zn(Ⅱ) and the amount of CTMAB.On the ground,CTMAB Can be indirectly determined by determining E% of Zn(Ⅱ).The results were satisfactory. 相似文献
93.
94.
95.
IntroductionThesol gelprocessconstitutesoneofthemostimpor tantrouteforthepreparationofinorganicamorphoussolids.1,2 Themildreactionconditionsofthesol gelap proachallowadeliberatetailoringofhybridorganic inor ganicmaterialsbyhydrolysisandpolycondensationofmolecularprecursorsfunctionalizedbyhydrolysabletri ethoxysilanegroups .3Suchsilicahybridmaterialsconsist ingofcovalentlylinkedorganicandinorganiccomponentsarewelldefinedatthemolecularlevel.Theyhavereceivedconsiderableattentionindifferentresearc… 相似文献
96.
97.
异方差回归中的广义方差比检验 总被引:1,自引:0,他引:1
在同方差假设之下,线性模型在回归分析的理论与应用方面起着突出的作用,很受许多研究工作者的青睐.然而,回归模型中同方差性这一标准假设不一定总是成立的.因此我们考虑了用一类基于似残差的方法来检验异方差情形下线性模型拟合观测数据的情况.本文既给出了大量的模拟,又给出了实际数据作为应用的例子.效果都很好. 相似文献
98.
在G2 (CC ,MP2 )理论水平上研究了C2 (a3 Πu)自由基与NO分子的反应 .计算了反应体系最低二重态势能面上各驻点的构型参数、振动频率和能量 ,揭示了此反应存在两种反应机理 :由NO中的O原子进攻C2 自由基形成CCON中间体的CCON机理和NO中的N进攻C2 自由基形成CCNO中间体的CCNO机理 ,分析了对应与这两种反应机理的五个可能的反应通道 ,得出了由NO中的N原子进攻3 C2 自由基 ,生成中间体CCNO自由基 ,最终得到产物CN +CO的通道是最有利的通道 . 相似文献
99.
A. BOURHIM 《数学年刊B辑(英文版)》2004,25(3):369-382
In this note, the local spectral properties of unilateral operator weighted shifts arestudied. 相似文献
100.
用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进. 相似文献