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71.
在不同条件下用各种硅改性剂对ZSM-5沸石分子筛进行改性,并将其用于催化乙苯歧化生成对二乙苯的反应。实验结果表明,在合适条件下用SiCl4对ZSM-5改性后,可以获得高性能形选催化剂。硅改性可以有效地消除催化剂外表面酸中心,并能对分子筛孔道进行微调。根据反应结果和反应物在催化剂中的扩散系数判断,当改性后催化剂的孔道半径与NaZSM-5沸石孔道半径相近时,其催化选择性最佳。 相似文献
72.
73.
首次报道了用恒电位电解法将饵、钇共掺入多孔硅(porous silicons, PS) 中,经高温退火处理后,观察到了在近红外区(1.54 μm)室温下较强的光致发光 (photoluminescence, PL),并与掺饵多孔硅(erbium-doped porous silicon, PS:Er)做了比较,发现钇的共掺入对掺饵多孔硅体系1.54 μm发射起了增强作用 。研究了饵、钇共掺杂多孔硅(erbium and yttrium co-doped porous silicon, PS:Er, Y)光致发光强度随温度的变化,发现PS:Er与Si:Er材料相似,有较强的 温度猝灭效应,而PS:Er,Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳,且有增强的趋势, 受温度影响不明显,并初步探讨了其发光机制。 相似文献
74.
着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用 相似文献
75.
合成了6种钨硅杂多配合物异构体α、βi-M3H2[SiW11(NbO2)O39]·H2O(M=Me4N+(TMA),Bu4N+(TBA),Et4N+(TEA);βi=β1,β2,β3)。IR光谱、UV光谱、极谱、I--S2O32-滴定证明合成的杂多配合物中有NbO2基存在, 183W NMR光谱证明其阴离子具有Keggin结构,催化实验结果表明,合成的化合物对烯烃环氧化反应具有催化活性,且过氧杂多配合物的催化活性高于非过氧杂多配合物,β异构体的催化活性高于α。 相似文献
76.
在 THF中 ,通过三甲硅基环戊二烯基锂与四氯化锆反应合成了标题化合物 ,经元素分析 ,IR和 1 H NMR谱表征了其结构 ,并用 X-射线衍射测定了晶体结构 ,该晶体属于三斜晶系 ,空间群为 P1 ,晶体学参数 :a=0 .6787(6) ,b=1 .2 92 4 (2 ) ,c=1 .30 34(2 ) nm,α=67.83(1 ) ,β=82 .50 (3) ,γ=75.64 (3)°,V=1 .0 2 5nm3 ,Z=2 ,Dx=1 .41 5 g· cm-3 ,μ=8.989cm-1 ,F (0 0 0 ) =448,R=0 .0 32。质谱研究表明 ,化合物在质谱过程中发生二聚 C*p2 ZrClZr C*P2Cl(C*P=C5H4Si Me3 )。 相似文献
77.
杂氮硅三环是一类分子内具有N→Si配位键的化合物,作者曾报道了一系列该类化合物的合成方法和化学结构。对于一个分子内带两个对称的硅三环结构的双一杂氮硅三环化合物的合成,文献报道还很少啪。我们用下 相似文献
78.
由于在微电子器件制造,成像系统及太阳能电池等领域里具有广阔的应用前景,激光诱导化学及电化学沉积金属的研究,最近几年引起了极大兴趣[1-3],例如Zahavi[4]报道了Pd,Au,Ni-Pd在氩离子激光作用下可以不加偏压实现在半导体Si,InPGaAs上的无掩膜选择性沉积,金属沉积只发生在光照部位.大多数研究工作是围绕应用技术而开展的,理论研究,尤其是光电化学方面的研究尚十分欠缺.我们认为对于普通电镀液中的激光诱导电沉积来讲,既使不需外加偏压,沉积过程也必然伴随着溶液中金属离子与半导体能带之间的电荷传递,因此可以通… 相似文献
79.
80.
硅杂环丁烷在有机硅化学中是一类非常重要的小分子环系化合物。由于硅杂环丁烷和环丁烷的环张力相似,因而显示出较高的反应活性。例如能与某些试剂作用,生成开环产物;在光解或热解条件下,产生具有Si=C结构的高活性中间体,可用以合成多种有机硅化合物。 相似文献